[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 [ ulub|  
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一. 半导体激光器的基本结构 6e+'Y"v  
•1.半导体双异质结构 #uhUZq  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Ds">eNq  
•3. 侧模控制(基侧模) e Wux  
•4.横模控制 W\~^*ny P6  
•5. 动态单模半导体激光器 q
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•6. 波长可调谐半导体激光器 W7qh1}_%  
•7.长波长VCSEL的进展 VV$t*9w  
•8.微腔激光器和光子晶体 GEWjQ;g  
•9.半导体激光器材料的选择 10FiA;  
-eG~  
二.半导体光波导 kcCCa@~v  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Y~I<Locv  
•2. 光限制因子和模式增益 +lx&$mr?  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 t@qf/1  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 1D*=ZkA)  
•5. DFB激光器的藕合模理论 LORcf1X/  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Z10Vx2B  
•7. 等效折射率近似 8z#Qp(he  
•8. 数值模拟 z%wh|q  
4nsJZo#S/  
三.半导体中的光跃迁和增益 ?R)]D:`  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 R@o&c%K"  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 U N9hZ>9  
•3.简约态密度及增益谱  ? }M81  
•4.模式的自发辐射速率 *S.U8;*Xj  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 dht0PZdx?  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果  [SPx  
•7.增益谱峰值的近似表达式 1r;zA<<%R  
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X!Zu  
四. 速率方程和动态效应 :o'x?]  
•1．单模速率方程及基本物理量 5RP kAC  
•2．稳态输出 9ddrtJ]  
•3. 共振频率和3dB带宽 p%Z:SZZ  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 <CyU9`ye  
•5. 开启延迟时间 ))"gWO  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 = s&Rk~2b/  
•7. 自发辐射引起的噪声 G*CPj^O  
•8. 相对强度噪声 I^
y<W%Et  
•9. 模式线宽 :$WO"HfMSn  
•10. 多模速率方程 |[*Bn3E:  
$h#sb4ek  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 {X!OK3e  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 E/zf9\  
3.激光器寿命 :7v'[b  
4.激光器阈值电流的温度特性 \2\{c1df  
2*:q$c  
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