[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `"~X1;  
7 oYD;li$k  
一. 半导体激光器的基本结构 s!Id55R]  
•1.半导体双异质结构 ~d3BVKP5  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ^^
xzaF  
•3. 侧模控制(基侧模) RHu,t5,  
•4.横模控制 w3>G3=b  
•5. 动态单模半导体激光器 %<q"&]e,  
•6. 波长可调谐半导体激光器 &7,/^ >">  
•7.长波长VCSEL的进展 &$qIJvMiK  
•8.微腔激光器和光子晶体 nu|?F\o!  
•9.半导体激光器材料的选择 _ -ec(w~/  
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二.半导体光波导 }ZwnG=7T?  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Np~qtR  
•2. 光限制因子和模式增益 FFN.9[Ly  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 l29AC}^  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 4uVyf^f\]f  
•5. DFB激光器的藕合模理论 aO<H!
hK  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 (ke<^sv7!  
•7. 等效折射率近似 ,b+Hy`t  
•8. 数值模拟 `AdHyE  
6|Rj YX  
三.半导体中的光跃迁和增益 !wrAD"l*@  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Y k"yup@3  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Xn<|6u  
•3.简约态密度及增益谱 .R^]<b:`  
•4.模式的自发辐射速率 xJvalb  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 G_5NS<JE"S  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果  q,'~=Y5  
•7.增益谱峰值的近似表达式 "yXqf%CGE  
4vH.B)S-  
四. 速率方程和动态效应 }4>#s$.2  
•1．单模速率方程及基本物理量 C|ou7g4'p  
•2．稳态输出 Lr>4~1:`  
•3. 共振频率和3dB带宽 KkHlMw
v  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 o{| |Ig  
•5. 开启延迟时间 wi:d!,P`e  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 g{7?#.7  
•7. 自发辐射引起的噪声 C2%Yry  
•8. 相对强度噪声 A<g5:\3  
•9. 模式线宽 JnH5v(/  
•10. 多模速率方程 IZ_ B $mo  
h"N#/zQ  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 dnX^?  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 gm&O-N"=U  
3.激光器寿命 jmnrpXaAx  
4.激光器阈值电流的温度特性 X`daaG_l  
|1 LKdP  
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