[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 <yH4HY  
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一. 半导体激光器的基本结构 `6]%P(#a  
•1.半导体双异质结构 &-B^~M*??  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ]X ?7ZI^  
•3. 侧模控制(基侧模) jGpN,/VQa  
•4.横模控制 SX# e:_  
•5. 动态单模半导体激光器 3GhRWB-U  
•6. 波长可调谐半导体激光器 \}"$ ?d'f  
•7.长波长VCSEL的进展 t~#zMUfac  
•8.微腔激光器和光子晶体 E{Ov>osq  
•9.半导体激光器材料的选择 Wg<(ms dj  
sEGO2xeI  
二.半导体光波导 iCHOv{p.  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 5a|w+HO,  
•2. 光限制因子和模式增益 )E-inHD /  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 vPTM  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 lY?QQ01D  
•5. DFB激光器的藕合模理论 |m^k_d!d  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 3 +G$-ru  
•7. 等效折射率近似 rp!oO>F  
•8. 数值模拟 5',8 ziJQ  
1Y7Eajt-5  
三.半导体中的光跃迁和增益 {^7Hgg  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 5?3Me59  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 q#,f 4P  
•3.简约态密度及增益谱 +~mA}psr  
•4.模式的自发辐射速率 PE3vQH=t~  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 d\R,Q  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 I uMQ9&  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Wp!%-vzy&  
mUdOX7$c>  
四. 速率方程和动态效应 0;AA/  
•1．单模速率方程及基本物理量 ?"i}^B`*  
•2．稳态输出 4'a=pnE$  
•3. 共振频率和3dB带宽 7|$:=4  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 -y8`yHb_  
•5. 开启延迟时间 l0PZ`m+;j  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 CsoiyY -2  
•7. 自发辐射引起的噪声 }dWq=)*  
•8. 相对强度噪声 6/r)y+H  
•9. 模式线宽 ,D]QxbwZ  
•10. 多模速率方程 ,+meT`'vn  
8&?s#5zA  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 P3)Nl^/  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 R3;Tk^5A  
3.激光器寿命 h?BFvbAt  
4.激光器阈值电流的温度特性 i+S) K  
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