[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 +a
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一. 半导体激光器的基本结构 Bfz]PN78.G  
•1.半导体双异质结构 qz2j55j   
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 5u3SP?.&  
•3. 侧模控制(基侧模) yQM<(;\O  
•4.横模控制 = 7TK&  
•5. 动态单模半导体激光器 mbh;oX+  
•6. 波长可调谐半导体激光器 KOM]7%ys1H  
•7.长波长VCSEL的进展 pswEIa  
•8.微腔激光器和光子晶体 TScI_8c>  
•9.半导体激光器材料的选择 4+j:]poYG{  
a]mPc^h  
二.半导体光波导 Ko|p&-Z;  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 BPkqC>w  
•2. 光限制因子和模式增益 s@c.nT%BYL  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 m^rrbU+HM?  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 qwx{U  
•5. DFB激光器的藕合模理论 >s+TD4OfY  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 _wMYA8n  
•7. 等效折射率近似 rxVJB3P9  
•8. 数值模拟 6V@?/B  
]&l%L4Z  
三.半导体中的光跃迁和增益 Kc[Y .CH  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ~'aK[3  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 +f- E8q  
•3.简约态密度及增益谱 Sx^4Y\\  
•4.模式的自发辐射速率 21
\t2<"  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 h-`*S&mZ  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 auKGm:  
•7.增益谱峰值的近似表达式 *f4BD||  
g9$P J:  
四. 速率方程和动态效应 f/Q7WXl0  
•1．单模速率方程及基本物理量 +,BJ4``*k  
•2．稳态输出 lq%6~va  
•3. 共振频率和3dB带宽 p0S;$dH\D  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 'K0=FPB/@  
•5. 开启延迟时间 a6vls]?  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 NtnKS@Ht  
•7. 自发辐射引起的噪声 LG qg0(  
•8. 相对强度噪声 QTNE.n<?  
•9. 模式线宽 7Odw{pc  
•10. 多模速率方程 R:LThFx  
^%:syg_RM[  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 zu8l2(N  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ~ [4oA$[a|  
3.激光器寿命 \HsrUZ~  
4.激光器阈值电流的温度特性 s[HQq;S  
8aSH0dX  
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