[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 cH"@d^"+q|  
I-:`cON=G  
一. 半导体激光器的基本结构 =HE m)  
•1.半导体双异质结构 gg]~2f  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "bX4Q4Dq  
•3. 侧模控制(基侧模) [&VxaJ("3  
•4.横模控制 TlPVHJyt  
•5. 动态单模半导体激光器 U6{dI@|B  
•6. 波长可调谐半导体激光器 U"5q;9#q  
•7.长波长VCSEL的进展 MW@DXbKVl  
•8.微腔激光器和光子晶体 Y6eEGo"K.+  
•9.半导体激光器材料的选择 nR'#s%Kj  
:R+],m il  
二.半导体光波导 v]bAWo  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 "{F;M{h$},  
•2. 光限制因子和模式增益 &'O?es|Lb  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0|C[-ppr  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 lO2k<  
•5. DFB激光器的藕合模理论 @d)a~[pm  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 5-'vB  
•7. 等效折射率近似 |~NeB"l{  
•8. 数值模拟 @hT;Bo2G]  
BX$hAQ(6Q  
三.半导体中的光跃迁和增益 H1Xovr  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 O,9X8$5H-a  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 s/S+ ec3  
•3.简约态密度及增益谱 %
F
S;>;i?  
•4.模式的自发辐射速率 RndOm.TE  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6Bdyf(t  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 :&$Xe1)i]  
•7.增益谱峰值的近似表达式 MVAc8dS  
9p<:LZd~  
四. 速率方程和动态效应 Mf7E72{D  
•1．单模速率方程及基本物理量 6D^%'[4t  
•2．稳态输出 -A@U0=o  
•3. 共振频率和3dB带宽 I"V3+2e  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 )dg UmN
 
•5. 开启延迟时间 '#f?#(  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ZOHRUm  
•7. 自发辐射引起的噪声 6DZ2pT:  
•8. 相对强度噪声 6QptKXu7  
•9. 模式线宽 m){&:Hs  
•10. 多模速率方程 Ph\F'xROe  
[NR1d-Wg  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 w{ m#Yt  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 )`RZkCe  
3.激光器寿命 *
lq7t2  
4.激光器阈值电流的温度特性 _6I>+9#C  
"0Y&~q[=  
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