[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 +
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一. 半导体激光器的基本结构 W3h{5\d!  
•1.半导体双异质结构 O\5q_>]  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @Q%g#N  
•3. 侧模控制(基侧模) E979qKl  
•4.横模控制 8YLS/dN0 w  
•5. 动态单模半导体激光器 EXz{Pqz  
•6. 波长可调谐半导体激光器 :8CYTEc  
•7.长波长VCSEL的进展 +'!4kwTR  
•8.微腔激光器和光子晶体 f:K3 P[|  
•9.半导体激光器材料的选择 7k==?,LG3  
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二.半导体光波导 b~L8m4L  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 @:M?Re`L  
•2. 光限制因子和模式增益 Sd\+f6x  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 1^HUu"Kt  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Qk_Mx"  
•5. DFB激光器的藕合模理论 Kd%>:E*  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 WokQ X"  
•7. 等效折射率近似 a+_F^   
•8. 数值模拟 [h=[@ji
B  
-AX[vTB  
三.半导体中的光跃迁和增益 oKlOcws}  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 eN?:3cP#l  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 [-pB}1Dxb  
•3.简约态密度及增益谱 5"cYZvGkJ  
•4.模式的自发辐射速率 I,Z'ed..  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 rf:CB&u  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 i(p
evu  
•7.增益谱峰值的近似表达式 \~{b;$N}  
S^/:O.X)c,  
四. 速率方程和动态效应 aN}l&4d  
•1．单模速率方程及基本物理量 UZqQ|3  
•2．稳态输出 HHMv%H]M  
•3. 共振频率和3dB带宽 gvi]#|  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 xSal=a;k  
•5. 开启延迟时间 H{4/~Z  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 cz6\qSh\,  
•7. 自发辐射引起的噪声 (8?5REz  
•8. 相对强度噪声 Pqc+pE  
•9. 模式线宽 ~l@-g
Ayw  
•10. 多模速率方程 5(}Qg9%  
_hy<11S;  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 OlJkyL8|  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Dqu][~oQ  
3.激光器寿命 Jc74A=sT  
4.激光器阈值电流的温度特性 0u7\*Iy  
TzW1+DxM5  
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