[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 O1c:X7lHc  
tuIZYp8tIN  
一. 半导体激光器的基本结构 O^=+"O]  
•1.半导体双异质结构 tB"9%4](  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) {pH#zs4Y  
•3. 侧模控制(基侧模) qe#5;
#  
•4.横模控制 !hZ: \&V  
•5. 动态单模半导体激光器 -JF^`hBD-  
•6. 波长可调谐半导体激光器 O+|C<;K  
•7.长波长VCSEL的进展 w-e{_R  
•8.微腔激光器和光子晶体 /P@%{y  
•9.半导体激光器材料的选择  {
Ba&  
~qeFSU(  
二.半导体光波导 ciN\SA ZY  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 $'3
xl2T  
•2. 光限制因子和模式增益 "E\mj'k  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 zaHZ5%{LQD  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 y`buY+5l  
•5. DFB激光器的藕合模理论 F""9O6u  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Zf@B< m  
•7. 等效折射率近似 Kus=.(  
•8. 数值模拟 aim\3y~  
sd\p[MXX  
三.半导体中的光跃迁和增益 E|f[#+:+  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 $N)G:=M!s  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ;C$+8%P4  
•3.简约态密度及增益谱 Mz6(M,hkq  
•4.模式的自发辐射速率 ]qv0Y~+`-K  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 I61S0lz/  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1]2]l*&3  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ;z4F-SYQ  
6I@j$edZ  
四. 速率方程和动态效应 OY`B{jV-  
•1．单模速率方程及基本物理量 Yn
}Gj'  
•2．稳态输出 Xh;.T=/E|  
•3. 共振频率和3dB带宽 . |T=T0^  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 R}Lk$#S#  
•5. 开启延迟时间 WMa0L&C~v  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 tf~B,?  
•7. 自发辐射引起的噪声 DQXUh#t\(]  
•8. 相对强度噪声 
eA4:]A"  
•9. 模式线宽 #,d~t  
•10. 多模速率方程 13!@LbC  
2@zduL'do_  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 &ry*~"xoh  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 /YvXyi>^"%  
3.激光器寿命 /e'3\,2_  
4.激光器阈值电流的温度特性 :]-oo*xP  
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