[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Jlw oSe:S  
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一. 半导体激光器的基本结构 g1Q^x/  
•1.半导体双异质结构 APT'2-I_  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) V
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u,  
•3. 侧模控制(基侧模) `0rEV_$  
•4.横模控制 G 1{F_  
•5. 动态单模半导体激光器 [_jTy;E  
•6. 波长可调谐半导体激光器 TxhTK5#f  
•7.长波长VCSEL的进展 BJ3st  
•8.微腔激光器和光子晶体  J9oGwP  
•9.半导体激光器材料的选择 [=Wn7cr  
X[8m76/V  
二.半导体光波导 4-`C
!q  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 #,O<E@E  
•2. 光限制因子和模式增益 fW Vd[zuD4  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 A2z%zMlZc  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `zHtfox!  
•5. DFB激光器的藕合模理论 "t+VF4r  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Z8$@}|jN  
•7. 等效折射率近似 Ga-AhP  
•8. 数值模拟 x.r~e)x=  
im^G{3z  
三.半导体中的光跃迁和增益 M:W9h+z  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ^5biD9>M  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 o<e AZ  
•3.简约态密度及增益谱 vN%zk(?T  
•4.模式的自发辐射速率 \xk`o5/{  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 CTt3W>'=+  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 aWVJx@f  
•7.增益谱峰值的近似表达式 " *xQN "F  
`LL#Aia  
四. 速率方程和动态效应 xW{_c[oA  
•1．单模速率方程及基本物理量 +/q%29-k  
•2．稳态输出 b1>%%#  
•3. 共振频率和3dB带宽 0-EhDGa]r  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 lY_E=K]  
•5. 开启延迟时间 TuphCu+Oh  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $Q1:>i@I|g  
•7. 自发辐射引起的噪声 oUEpzv,J  
•8. 相对强度噪声 GmN} +(  
•9. 模式线宽 De[!^/f;T  
•10. 多模速率方程 ]yN]^%PYH  
q>w@W:tZ  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 )'M<q,@<(  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 p^+k:E>U  
3.激光器寿命 \$s<G|<P  
4.激光器阈值电流的温度特性 %;9f$:U  
St/Hv[H'[E  
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