[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Hm'=aff6A  
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一. 半导体激光器的基本结构 6?~"V  
•1.半导体双异质结构 4s{~r  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模)
q6`b26  
•3. 侧模控制(基侧模) TXvI4"&  
•4.横模控制 9=h'9Wo  
•5. 动态单模半导体激光器 v+#}rUTF  
•6. 波长可调谐半导体激光器 OCaq3_#tZ  
•7.长波长VCSEL的进展 A='N=^Pm  
•8.微腔激光器和光子晶体 FOy|F-j  
•9.半导体激光器材料的选择 F Yz
i~L  
rb+j*5Es  
二.半导体光波导 hD*SpVIU  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 L4z ~B!uvF  
•2. 光限制因子和模式增益 3L}!RB  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 w\i\Wp,FP  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 E
Z$>.iy{  
•5. DFB激光器的藕合模理论 k" PayyAC  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 yS(fILV  
•7. 等效折射率近似 G5aieD.#  
•8. 数值模拟 v)t:|Q{I  
/-+xQn]  
三.半导体中的光跃迁和增益 :hFIl0$,"3  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 oO|KEY(  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ,*hLFaR-  
•3.简约态密度及增益谱 ![_*(8v}S  
•4.模式的自发辐射速率 WRyaKM  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 "wnzo,  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 VZymM<O  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ^!ZC?h!rG  
SVs_dG$  
四. 速率方程和动态效应 O%
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•1．单模速率方程及基本物理量 c[4i9I3v  
•2．稳态输出 TNY&asQo  
•3. 共振频率和3dB带宽 iwp{%FF  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 fS[,vPl  
•5. 开启延迟时间 !1DKLQ  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 b#toM';T  
•7. 自发辐射引起的噪声 C=)A6 ;=se  
•8. 相对强度噪声 e .2ib?8  
•9. 模式线宽 #_J@-f7^  
•10. 多模速率方程
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B9$jSD  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Z/0fXn})  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,p2s:&"  
3.激光器寿命 KB`!Sj\  
4.激光器阈值电流的温度特性 bM!_e3ik;  
8WbgSY`  
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