[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 \1mM5r~  
.(7C)P{.0  
一. 半导体激光器的基本结构 t9n  
•1.半导体双异质结构 Cxk$"_  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !N8)C@=  
•3. 侧模控制(基侧模) {IPn\Bka  
•4.横模控制 &lPBqw  
•5. 动态单模半导体激光器 7s8<FyFsjd  
•6. 波长可调谐半导体激光器  n22hVw  
•7.长波长VCSEL的进展 B_"OA3d_  
•8.微腔激光器和光子晶体 4nII/cPG  
•9.半导体激光器材料的选择 R^yZG{?t  
y|;8:b32  
二.半导体光波导 ~"q,<t  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 vN,}
aV2nq  
•2. 光限制因子和模式增益 oIvnF:c  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 cxD}t'T  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `}9 1S  
•5. DFB激光器的藕合模理论 o%+A<Ri  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 hGA!1a4 c  
•7. 等效折射率近似 ,/?%y\:J  
•8. 数值模拟 5&HT$"H:  
-S,ir  
三.半导体中的光跃迁和增益 E]H   
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Jn<e"  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 g/l0}%  
•3.简约态密度及增益谱 /;<e.  
•4.模式的自发辐射速率 762o~vY6$  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 *]m kyAhi  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 k?["F%)I  
•7.增益谱峰值的近似表达式 HTUYvU*-  
N8kb-2  
四. 速率方程和动态效应 )7I.N]=  
•1．单模速率方程及基本物理量 DO1 JPeIi  
•2．稳态输出 qX p,d  
•3. 共振频率和3dB带宽 =nvAOvP{?  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 @cu}3>  
•5. 开启延迟时间 tB,.  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 !$p2z_n$@.  
•7. 自发辐射引起的噪声 7~kpRa@\P  
•8. 相对强度噪声 })zB".  
•9. 模式线宽 _b!;(~@p  
•10. 多模速率方程 { OxAY_  
R(2HYZ  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 e7XsyL'
|p  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 A]Q1&qM%  
3.激光器寿命 9{O2B5u1  
4.激光器阈值电流的温度特性 8K@"B  
R0Ax$Cv{  
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