[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 dO[pm0  
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一. 半导体激光器的基本结构 0o&c8?@j  
•1.半导体双异质结构 X7fJ+Cn  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 'ul~f$ V  
•3. 侧模控制(基侧模) @I0[B<,:G  
•4.横模控制 h<f]hJ`ep  
•5. 动态单模半导体激光器 Z=/bD*\g  
•6. 波长可调谐半导体激光器 T#G (&0J5  
•7.长波长VCSEL的进展 <nT).S>+  
•8.微腔激光器和光子晶体 .Vb\f  
•9.半导体激光器材料的选择 ,W&::/2<7  
\bWo"Yo  
二.半导体光波导 ?Kf?Z`9 *Y  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 =5X(RGK  
•2. 光限制因子和模式增益 0
RGSv!w  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 wfF0+T+IA  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Mhj.3nN  
•5. DFB激光器的藕合模理论 D4CiB"g3*  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 3SWO_  
•7. 等效折射率近似 _,9/g^<  
•8. 数值模拟 C{Er%  
Wfyap)y  
三.半导体中的光跃迁和增益 3eS *U`_  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 xs3t~o3y  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 92K#xM/  
•3.简约态密度及增益谱 qx3`5)ef  
•4.模式的自发辐射速率 3a]Omuu|=  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ax+P)yz  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 V9i[dF  
•7.增益谱峰值的近似表达式 $X:r&7t+Q[  
h$y0>eMWs  
四. 速率方程和动态效应 YF<;s^&@u  
•1．单模速率方程及基本物理量 ,~,{$\p   
•2．稳态输出 a6fqtkZ x  
•3. 共振频率和3dB带宽 2OJ=Xb1  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 F`\7&'I  
•5. 开启延迟时间 } h pTS_  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 j?rq%rQd  
•7. 自发辐射引起的噪声 XT 'v7  
•8. 相对强度噪声 {:r8X  
•9. 模式线宽 9&uWj'%ia  
•10. 多模速率方程 hJ1:#%Qe.  
LxC"j1wfl  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 4
TW>BA  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _~b$6Nf!83  
3.激光器寿命 27!9LU  
4.激光器阈值电流的温度特性 'v*Y7zZ#K  
T]tG,W1>i  
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