[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *&2
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一. 半导体激光器的基本结构 SS~Txt75m  
•1.半导体双异质结构 yb**|[By  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) iii$)4V  
•3. 侧模控制(基侧模) 0_y%Qj^e  
•4.横模控制 w)8@Tu:Q  
•5. 动态单模半导体激光器 $BBfsaJPT  
•6. 波长可调谐半导体激光器 |)JoxqR  
•7.长波长VCSEL的进展 .y2<2eW  
•8.微腔激光器和光子晶体 ]R>k0X.V  
•9.半导体激光器材料的选择 S@"=,Xj M  
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二.半导体光波导 ti#sh{t  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 yRi/YR#  
•2. 光限制因子和模式增益 >`\*
{]  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 FfgJ 2y  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 {4m"S7O  
•5. DFB激光器的藕合模理论 Zz&i0r  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ]D-4
8o0  
•7. 等效折射率近似 EhUy7b,1_  
•8. 数值模拟 9FLn7Y  
?Ru`ma\;  
三.半导体中的光跃迁和增益 S&uL9)Glb  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 4K;j:ZJ"x  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 cnPXvD^kY  
•3.简约态密度及增益谱 6uXYZ.A
  
•4.模式的自发辐射速率 ?-84_i  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 jRkq^}  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 pz IMj_  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ,"VQ0Z1  
{n{}Y.  
四. 速率方程和动态效应 G\p; bUF  
•1．单模速率方程及基本物理量 +e:ZN tr9  
•2．稳态输出 XZ&v3ul  
•3. 共振频率和3dB带宽 ?W|IC8~d')  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 `pMI[pLZe  
•5. 开启延迟时间 ">QY'r  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 D5m\u$~V  
•7. 自发辐射引起的噪声 r=Q5=(hn  
•8. 相对强度噪声 XfrnM^oty  
•9. 模式线宽 c-=0l)&'D=  
•10. 多模速率方程 ` ;=Se_  
=5M>\vt]  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 |)-:w?  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 OA=;9AcZ  
3.激光器寿命 7 f*_  
4.激光器阈值电流的温度特性 w;$+7  
FOA%(5$4  
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