[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 :vi %7  
L\ysy2E0  
一. 半导体激光器的基本结构 eQQVfEvS  
•1.半导体双异质结构 Jha*BaD~N  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) DQhH
U1  
•3. 侧模控制(基侧模) [%>*P~6nK  
•4.横模控制 5S? "<+J'  
•5. 动态单模半导体激光器 d '2JMdbc  
•6. 波长可调谐半导体激光器 CH+%q+I  
•7.长波长VCSEL的进展 zpT{!V  
•8.微腔激光器和光子晶体 >kAJS??  
•9.半导体激光器材料的选择 6iQqOAG  
<;i&-,  
二.半导体光波导 ~oOv/1v},  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 3Dc^lfn  
•2. 光限制因子和模式增益 }c/#WA|b  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Q\X_JZ  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 [ 2@Lc3<  
•5. DFB激光器的藕合模理论 bY`Chb.  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 0D:uM$ i]  
•7. 等效折射率近似 VFV8ik)  
•8. 数值模拟 ZHen:  
&[\zs&[@y  
三.半导体中的光跃迁和增益 y%--/;  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Q3lVx5G>4  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ?_pd#W=!  
•3.简约态密度及增益谱 h<m>S
,@g  
•4.模式的自发辐射速率 J'cE@(US  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .f!'>_  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 'PMzm/;8st  
•7.增益谱峰值的近似表达式 w;
VUP@Wm  
fR.raI4et  
四. 速率方程和动态效应 =uwG.,lC  
•1．单模速率方程及基本物理量 ^umHuAAE  
•2．稳态输出 Zo-Au  
•3. 共振频率和3dB带宽 Kc9)Lzu+  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 gKU*@`6G  
•5. 开启延迟时间 =L$RY2S"  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 #tPy0QH  
•7. 自发辐射引起的噪声 'iYaA-9j  
•8. 相对强度噪声 K6<1&  
•9. 模式线宽 r'}#usB(  
•10. 多模速率方程 kGq<Zmy|  
,v| vgt  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 QL(}k)dB  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 :Z ]E:f0P  
3.激光器寿命 $AFiPH9  
4.激光器阈值电流的温度特性 9DXu*}  
If9!S} wa  
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