[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 *?EO n-  
T@%;0Ro~  
一. 半导体激光器的基本结构 e} sc]MTM  
•1.半导体双异质结构 b`(yu.{Jn  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) P%.`c?olbs  
•3. 侧模控制(基侧模) b*btkaVue  
•4.横模控制
+vSCR(n  
•5. 动态单模半导体激光器 @SKO~?7T  
•6. 波长可调谐半导体激光器 83{x"G3>  
•7.长波长VCSEL的进展 ,`ZPtnH+  
•8.微腔激光器和光子晶体
8#X?k/mzU  
•9.半导体激光器材料的选择 YRg=yVo2  
#[gcg]6c  
二.半导体光波导 N>uA|<b,  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 } l:mN  
•2. 光限制因子和模式增益 kHt!S9r  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 >P<k[vF  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 dNR7e   
•5. DFB激光器的藕合模理论 tqff84  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 A6@+gP<  
•7. 等效折射率近似 WE+sFaKq-  
•8. 数值模拟 K*([9VZ  
o|rGy5  
三.半导体中的光跃迁和增益 5W?yj>JR  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 7bgnZ]r8t  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 G;PbTsW  
•3.简约态密度及增益谱 &,m'sQ  
•4.模式的自发辐射速率 +Fu@I{"A  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 S(g<<Te  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 G=r(SJq  
•7.增益谱峰值的近似表达式 c7FfI"7HR  
*Gk<"pEeS  
四. 速率方程和动态效应 sf.E|]isW  
•1．单模速率方程及基本物理量 #U?EOm  
•2．稳态输出 u\Nw:Uu i  
•3. 共振频率和3dB带宽 gt2>nTJz.Z  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 b9
W<1eqF  
•5. 开启延迟时间 ;a!h.8UJPI  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 %4|n-`:  
•7. 自发辐射引起的噪声 (5f5P84x  
•8. 相对强度噪声 4=?Ok":8  
•9. 模式线宽 9 NGeh*`  
•10. 多模速率方程 9G`FY:(
K  
sx;V,"Y  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 'T&=$9g7  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 6T{o3wc;  
3.激光器寿命 u7WTSL%  
4.激光器阈值电流的温度特性 c~^]jqid]  
f{+LCMbC6  
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