[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ""svDfy$  
Rte+(- iL  
一. 半导体激光器的基本结构 RmI1`  
•1.半导体双异质结构 C[WCg9Av  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) A?Wk wf  
•3. 侧模控制(基侧模) PIXL6  
•4.横模控制 gN {'UDg  
•5. 动态单模半导体激光器 iRi
{$.pVJ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 1|8<H~&  
•7.长波长VCSEL的进展 bw&myzs  
•8.微腔激光器和光子晶体 g+PPW88P;  
•9.半导体激光器材料的选择 /#<pVgN  
gh6d&ucQ^  
二.半导体光波导 &:=$wc  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 @/UfDye  
•2. 光限制因子和模式增益 iK{T^vvk  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 B}d.#G+_$x  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 0J~Qq]g  
•5. DFB激光器的藕合模理论 [@fz1{*  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 _7a'r</@  
•7. 等效折射率近似 7~M<cD  
•8. 数值模拟 {0!#>["<  
[0[M'![8M  
三.半导体中的光跃迁和增益 0iEa[G3  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 r.0oxH']  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 sCl$f7"  
•3.简约态密度及增益谱 M2@^b
B\J  
•4.模式的自发辐射速率 %]p6Kn/>  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `B8tmW#
  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ;3C:%!CdA]  
•7.增益谱峰值的近似表达式 X5g[ :QKP7  
TOLl@p]lU  
四. 速率方程和动态效应 #pdUJ2)yM  
•1．单模速率方程及基本物理量 Ml>( tec
 
•2．稳态输出 7m5Co>NkuK  
•3. 共振频率和3dB带宽 {F|48P;J  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 _x1EZ&dh  
•5. 开启延迟时间 bXM/2Z?6  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =neL}Fav56  
•7. 自发辐射引起的噪声 8
cHE[I  
•8. 相对强度噪声 /)uM[ dnai  
•9. 模式线宽 v
uz4qCQ  
•10. 多模速率方程 /,|CrNwY*  
!p 8psi0  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 `"k9wC1  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 \Btk;ivg  
3.激光器寿命 !PUp>(  
4.激光器阈值电流的温度特性 rn.\tDeA  
p SN~DvR  
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