[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 0_]aF8j  
}p- %~Y  
一. 半导体激光器的基本结构 Rkm7"dO0  
•1.半导体双异质结构 V)(pe #P  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) JR<R8+@g_  
•3. 侧模控制(基侧模) Osy5|Ts  
•4.横模控制 ))KsQJ"
V  
•5. 动态单模半导体激光器 NX=dx&i>+  
•6. 波长可调谐半导体激光器 b6/:reH{  
•7.长波长VCSEL的进展 moo>~F _^  
•8.微腔激光器和光子晶体 hXrvb[6  
•9.半导体激光器材料的选择 L0_=R;.<  
LB{a&I LG  
二.半导体光波导 pH
~JPNng  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 (Iq\+@xE=  
•2. 光限制因子和模式增益 AT9SD vJ  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 [&`>&u@MK  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 cEQa 6  
•5. DFB激光器的藕合模理论 VmT5?i   
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 pF!vW  
•7. 等效折射率近似 x)U;  
•8. 数值模拟 '+QgZ>q
"  
v*^2[pf  
三.半导体中的光跃迁和增益 rFK *  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 a #0{
tZd  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `fV$'u  
•3.简约态密度及增益谱 0,3 ':Df  
•4.模式的自发辐射速率 O71rLk;  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果
iLI]aZ   
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 (Z5#;rgem  
•7.增益谱峰值的近似表达式 jXDo!a|4y  
K*}j1A  
四. 速率方程和动态效应 vVf!XZF  
•1．单模速率方程及基本物理量 V9bLm,DtT  
•2．稳态输出 ^R$dG[Qf  
•3. 共振频率和3dB带宽 bbM !<&F  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 (1HN, iJy  
•5. 开启延迟时间 Cwh;+3?C|  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 5.E 2fX  
•7. 自发辐射引起的噪声 j w462h  
•8. 相对强度噪声 Y'~&%|9+T  
•9. 模式线宽 ;$/G T
 
•10. 多模速率方程 Smux&e  
!Yf0y;e|:  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 '
[E_7$d  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 syfR5wc  
3.激光器寿命 ~S6N'$^  
4.激光器阈值电流的温度特性 PWU#`>4  
H}~^,B2;  
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