[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 _M8Q%  
,}2M'DSWa  
一. 半导体激光器的基本结构 G5|xWeNgA  
•1.半导体双异质结构 1y$Bz?4  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) oJ ,t]e*q=  
•3. 侧模控制(基侧模) ^Jcs0c @\  
•4.横模控制 \om$%FUP  
•5. 动态单模半导体激光器 B'"C?d<7  
•6. 波长可调谐半导体激光器 t/yGMR=  
•7.长波长VCSEL的进展 A-aukJg9  
•8.微腔激光器和光子晶体 ;hA>?o_i(  
•9.半导体激光器材料的选择 s4Lqam!  
(Gf1#,/3~  
二.半导体光波导 qXR>Z=K<  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 M&Sjo' ( .  
•2. 光限制因子和模式增益 PEW^Vl-6q  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 v AP)(I  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 i=OPl  
•5. DFB激光器的藕合模理论 4.$<o/M  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?k<i e2  
•7. 等效折射率近似 l3R`3@  
•8. 数值模拟 3+@
p
  
v3x_8n$C9  
三.半导体中的光跃迁和增益 ><}FyK4C  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ?DzKqsS'  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 y2gI]A  
•3.简约态密度及增益谱 GKu@8Ol-wu  
•4.模式的自发辐射速率 >0~|iRySi  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 h-+9Bv]  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 !FX0Nx=oi  
•7.增益谱峰值的近似表达式 d@#!,P5`  
Rx<m+=  
四. 速率方程和动态效应 fNPHc_?Ybj  
•1．单模速率方程及基本物理量 coT|t T
 
•2．稳态输出 R$X1Q/#md  
•3. 共振频率和3dB带宽 sXDS_Q  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 0%+S@_|  
•5. 开启延迟时间 %W~Kx_  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Ch%W C,  
•7. 自发辐射引起的噪声 /.9j$iK#  
•8. 相对强度噪声 X|^E+ `M4  
•9. 模式线宽 7(rNJPrU~=  
•10. 多模速率方程 tsVQXvo  
f=]+\0MQ  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 /{vv n  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 qqA(Swe)T  
3.激光器寿命 qL.1N~$2  
4.激光器阈值电流的温度特性 )XV|D  
J@PwN^`  
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