[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 M1/(Xla3  
*%jtcno=Y  
一. 半导体激光器的基本结构 w6>P[oW  
•1.半导体双异质结构 e%ro7~  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) AfO.D?4x  
•3. 侧模控制(基侧模) u!~kmIa4  
•4.横模控制 LFi{Q{E)  
•5. 动态单模半导体激光器 40 u tmC  
•6. 波长可调谐半导体激光器 0s//&'*Q  
•7.长波长VCSEL的进展 ,<P"\W  
•8.微腔激光器和光子晶体 L
brn8,G\  
•9.半导体激光器材料的选择 >3b< Fq$  
l v:GiA"X  
二.半导体光波导 @^ta)Ev  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 qF(i1#  
•2. 光限制因子和模式增益 /,~]1&?}1  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 <%wTI<m,-  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 g*FHZM*N9  
•5. DFB激光器的藕合模理论 `2+TN  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 MaPhG<?  
•7. 等效折射率近似 Xsanc@w)^C  
•8. 数值模拟 eV(.\Lj  
O251. hXK  
三.半导体中的光跃迁和增益 xv147"w'v  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ]b;a~Y0  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 fO5L[U^`  
•3.简约态密度及增益谱 {I0!q"sF  
•4.模式的自发辐射速率 0#Us*:[6  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 z"z$.c  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 -0;{  
•7.增益谱峰值的近似表达式 >mvE[iXRG?  
\>"Zn7  
四. 速率方程和动态效应 lz>.mXdx  
•1．单模速率方程及基本物理量 CaED(0  
•2．稳态输出 Bkn]80W  
•3. 共振频率和3dB带宽 /160pl4  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 lUq`tK8  
•5. 开启延迟时间 < <0[PJ  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Z?[R;V1j  
•7. 自发辐射引起的噪声 KMfIp:~  
•8. 相对强度噪声 @JdeOL;  
•9. 模式线宽 l_04b];  
•10. 多模速率方程 ,'YKL",  
[-W~o.`  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 J<"Z6 '0v  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 e$QMR.'  
3.激光器寿命 z\, lPwB2  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?G9DSk?6%Z  
$u,A/7\s  
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