[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `qd+f{Q  
>5s6u`\  
一. 半导体激光器的基本结构 "S3wk=?4  
•1.半导体双异质结构 '1
3ZX:  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) iyj+:t/  
•3. 侧模控制(基侧模) '47P|t  
•4.横模控制 3^s/bm$
g  
•5. 动态单模半导体激光器 |FD}e)  
•6. 波长可调谐半导体激光器 xI>A6  
•7.长波长VCSEL的进展 :Mm3 gW)  
•8.微腔激光器和光子晶体 moP,B~  
•9.半导体激光器材料的选择 vSi_t K4  
8NaqZ+5x  
二.半导体光波导 Z|%_oR~b|  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 >``MR%E:<  
•2. 光限制因子和模式增益 Ut$;ND.-  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 nqwAQhzy(  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 o9cM{ya/>  
•5. DFB激光器的藕合模理论 \(t@1]&jw  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 %tG*C,l]  
•7. 等效折射率近似 Gmf B  
•8. 数值模拟 el:9wq  
8]&i-VFof  
三.半导体中的光跃迁和增益 +}f9  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 }$bF 5&  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 7^w >Rj  
•3.简约态密度及增益谱 JK.ZdY%  
•4.模式的自发辐射速率 Vp>|hj po  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 x\Z'
2?u}  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ('-JY  
•7.增益谱峰值的近似表达式 hKzSgYxP=t  
kOh{l: 2-+  
四. 速率方程和动态效应 $.9{if#o&  
•1．单模速率方程及基本物理量 )T;?^kho  
•2．稳态输出 6252N]*  
•3. 共振频率和3dB带宽 B'^:'uG  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 6xD#?  
•5. 开启延迟时间 O(+phRwJ  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 u|4$+QiD  
•7. 自发辐射引起的噪声 %/9 EORdeH  
•8. 相对强度噪声 `'V4PUe  
•9. 模式线宽 XS$OyW_Q  
•10. 多模速率方程 X^WrccNX  
6;|n]m\Vd  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 |=&cQRY!p  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !qX_I db\  
3.激光器寿命 It{;SKeo  
4.激光器阈值电流的温度特性 {J^lX/D  
<Qxh)@ N  
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