[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ^'QcP5Fv  
BO[Q"g$Kon  
一. 半导体激光器的基本结构 0x# 6L  
•1.半导体双异质结构 U'-MMwE]  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) e_]1e7t  
•3. 侧模控制(基侧模) !dhZs?/UI  
•4.横模控制 =i%2/kdi0b  
•5. 动态单模半导体激光器 Fh
v)  
•6. 波长可调谐半导体激光器 qCgP8U/jv  
•7.长波长VCSEL的进展 spO?5#  
•8.微腔激光器和光子晶体  +KFK..  
•9.半导体激光器材料的选择 uNXh"?  
M#S8x@U  
二.半导体光波导 ZM;EjS1  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 1b3Lan_2  
•2. 光限制因子和模式增益 (/"T=`3t  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 +*0THol-  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 m_rRe\  
•5. DFB激光器的藕合模理论 ~ezCE4^&  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 (!X:[Ah*$  
•7. 等效折射率近似 xDADJ>u2K  
•8. 数值模拟 MiRH i<g0  
4vqu(w8 L  
三.半导体中的光跃迁和增益 m}uF&|5  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 aqzvT5*8%  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 k})9(Sy~  
•3.简约态密度及增益谱 6w1:3~a  
•4.模式的自发辐射速率 dJ24J+9}]j  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 _IlL'c5  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 {7/6~\'/@  
•7.增益谱峰值的近似表达式 fI$,?>  
bjT0Fi0-  
四. 速率方程和动态效应 a}>GQu*y  
•1．单模速率方程及基本物理量 M$&>"%Oi  
•2．稳态输出 3"L$*toRA  
•3. 共振频率和3dB带宽 7gQt k  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 R*yB);p  
•5. 开启延迟时间 ?,%N?  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 !h4So4p  
•7. 自发辐射引起的噪声 9h0|^ttF  
•8. 相对强度噪声 LoCxoAg  
•9. 模式线宽 sg6cq_\  
•10. 多模速率方程 -5>g 0o2  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 `HJwwKd  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 7L<oWAq  
3.激光器寿命 v#/,,)m  
4.激光器阈值电流的温度特性 O/-OW: 03  
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