[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 '^Sa|WXq  
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}WG`  
一. 半导体激光器的基本结构 xu+wi>Y^  
•1.半导体双异质结构 Ih,~h[  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) i
9.52  
•3. 侧模控制(基侧模) 3%<ia$  
•4.横模控制 p' /$)klt  
•5. 动态单模半导体激光器 |":^3  
•6. 波长可调谐半导体激光器 -
pqShDar|  
•7.长波长VCSEL的进展 qx_+mCZ  
•8.微腔激光器和光子晶体 uY
"88|  
•9.半导体激光器材料的选择 #exE~@fy-  
DeXnE$XH  
二.半导体光波导 mGL%<4R,  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 w:N\]=Vh  
•2. 光限制因子和模式增益 %j^=  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Y;#P"-yH  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 yRieGf1'SD  
•5. DFB激光器的藕合模理论 v`Sllv5bV  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 :kFWUs=  
•7. 等效折射率近似 Iupk
+x>  
•8. 数值模拟 )QI]b4[  
uv_*E`pN~  
三.半导体中的光跃迁和增益 _
v2FXm   
•1. 费米分布函数及跃迁速率 (5G^"Srw  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ;! CQFJ=  
•3.简约态密度及增益谱 BT#'<!7!  
•4.模式的自发辐射速率
Pi+,y  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Q3oVl^q  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Q'Q+mt8u5  
•7.增益谱峰值的近似表达式 )C|>M'g@v  
)*s.AFu]7x  
四. 速率方程和动态效应 @.CPZT  
•1．单模速率方程及基本物理量 {mkYW
-4Se  
•2．稳态输出 1YM04*H  
•3. 共振频率和3dB带宽 u[d8)+VX  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 >mt<`s  
•5. 开启延迟时间 $,h*xb.  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 -} Z  
•7. 自发辐射引起的噪声 r."D
c  
•8. 相对强度噪声 _/MKU!\l  
•9. 模式线宽 @@# G.  
•10. 多模速率方程 0kC!v,  
&p4q# p7,  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 IS!B$  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }"xC1<]  
3.激光器寿命 \>I&UFfH)4  
4.激光器阈值电流的温度特性 #Va@4<4r  
Gm>8= =c  
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