光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
\#dacQ2E@ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
+8N6tw/& 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
fpo{`;&F n^ fUKi*;
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Reference mi Q*enZi
Wavelength(参考波长)：
lm;hW&O9
^OWG9`p+
J$1H3#VV G
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T
pF [-fO
Illuminate（光源）：
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T Q4L~ 8
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Incident ur'<8pDb$
angle（入射角）：
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a,RCK~GR
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Incident U0j>u*yE
medium（入射介质）：
PZ8,E{V
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BK%B[f*[OA
Substrate（基底）
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Thickness（厚度）mm
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x0Loid\f
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I{B="7.
>t cEx(
Exit z f SE7i0
medium（出射介质）
`3T=z{HR9g
(y>N\xS9
K)Lo Z^x0)
*FC8=U2\X
,R`CAf%*
Detector（探测器）：
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Nz`8)Le
(?1 $
iLSUz j`
First 'xqyG XI
Surface（第一面）
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