光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
|2rOV&@l9 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
FV,aQ# 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
>ffC?5+ ]mgpd}Y
4 ?[1JN>
E\cX
f&RjvVP?s
Reference UIht`[(z
Wavelength(参考波长):
<HIM
k
g-NrxyTBlx
pK"Z9y&
UN:qE oS
J8Vzf$t};
Illuminate(光源):
?32i1F!
T7O)
} j;es(~D
RZ ?SiwE
_#{qDG=
Incident ^=PY6! iW
angle(入射角):
dxtG3
XV`8Vb
"}H2dn2n
>B*zzj
02T'B&&~
Incident $+Z2q<UT
medium(入射介质):
6E^9>
V)ag ss w?
FP*kA_z$
&F Yv4J
^uVPN1}b^@
Substrate(基底)
V{x[^+w7X~
_5$L`&
i*A_Po
9|OOT[
fE3%$M[V7
Thickness(厚度)mm
&n0Ag]$P
c"t&,OU:
T1x67 b
u
eIN0T;1T
^),t=!;p
Exit -9o7a_Z
medium(出射介质)
AI9922}*
/V#?d
aYWUwYB$
ap"pQ[t;
tT]mMlKJ
Detector(探测器):
&0J8ICd=
l7IF9b$c
HnsLYY\
U%;E: |
}"v#_vJfz7
First VRSBf;?
Surface(第一面)
XJ" xMv
4nh0bI N1
|_ U!i
Q]VG6x
NZFUC D)