光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
yaa+j8s] 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
qWy{{A+ 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
tV[?WA[xt lF 8B+
v7\~OOoH]
^8
AV #a
<(>v|5K0]
Reference st:[|`
Wavelength(参考波长):
t/u$Ts
Vj:)w<],
) Z0
+0^ N#0)
o{f n}
Illuminate(光源):
\@*cj8e
*,_Qdr^F
^r(2
r
H
\.EKZ
/:z}WAW
Incident @>ONp|}@qI
angle(入射角):
Oa$ew'
yV$p(+KkS
>Djv8 0
z
}R-J/xr2
Q5Y4@
Incident R D=!No?
medium(入射介质):
e1[kgp
7`~h'(k
S;Lqx5Cd
1&i!92:E
tCI8\~
Substrate(基底)
#Ru+|KL
{S~2m2up0L
$qP9EZ]JC
x|F6^d
rfXM*h
Thickness(厚度)mm
!r.X. C
S]K^wj[
B5=L</Aj
|jEKUTv,G
r\'3q'7p
Exit `5O<U~'d
medium(出射介质)
E@0wt^
+ulX(u(,
JBeC\ \QX
OAOG&6xu8
0aQNdi)b
Detector(探测器):
qVZ=:D{
vTh-I&}:
sOzjViv
o7DDL{iR/
MR#jI
First [0m'a\YE9
Surface(第一面)
O|4~$7
Hu1w/PLq
}x~|XbG
e}(.u1
&EE6<-B-