光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
D^4V"rq 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
DvKMb-*S 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
4K,&Q/Vdd7 8 F 1ga15
g:V6 B/M&
Va:jMN
<Z wEdq
Reference } :A kpm
Wavelength(参考波长)：
9EQ,|zf'
<]J5AdJ
,s<d"]<
OTm"Iwzu@
R2gax;
Illuminate（光源）：
+d. Bf
R 1\] Y
!ym5' h
JD .z}2+
D-/A>
Incident $NSYQF%aO
angle（入射角）：
awtzt?VtLh
'McVaPav
dWEx55>,1
L T!X|O.
fz\Az-
Incident ?J
AzN
medium（入射介质）：
nfU}ECun4
37DvI&
' L7.a'
MDZb|1.AT
[\y>Gv%
Substrate（基底）
rA7S1)Kq
NjLd-v"2
qx NV~aK
6I< `N
RdjUw#\33b
Thickness（厚度）mm
[VH t#JuN,
6{ Eh={:b
?xega- l
.FyC4"b=c
D[_2:8
Exit N_U
D7P1
medium（出射介质）
:/08}!_:
S45jY=)z
/nNHI34
sT ONkd
z'o+3 zq^
Detector（探测器）：
7UiU3SUcg
;F- kE4w
]v@,>!Wn
>{[J+f{~|
uFgw eOJ
First #N:o)I
Surface（第一面）
ofV{SeD67
C\Rd] P8\
60m1
>"
}#1g;
c|XnPqo;f
