光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
4Hf'/%kW 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
Xbx=h ^S 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
w]xr
~D+ t3.;qDy
)g8Kicox5
=[aiW|Y
GBS+ 4xL|
Reference M*T!nwb
Wavelength(参考波长)：
Qo3Enwap=
t
4M-;y
a|y'-r90
tIV9Y=ckr0
_8PNMbv{
Illuminate（光源）：
/:
-&b#+
HI:1Voy
XkUwO ]
\ 6taC
(0y!{ (a
Incident 6j1C=O@S
angle（入射角）：
-0` n(`2
D{d%*hlI 3
] !"7k_
"-:g.x*d
QaE! ?R
Incident @>ys,dy
medium（入射介质）：
WyB^b-QmDh
@6!Myez'
a|]deJU^
Ht}?=ZzW
5(1c?biP&
Substrate（基底）
^"iL|3d
dqB N _P%
_I,GH{lh I
7N OF^/nU
TntTR"6aD
Thickness（厚度）mm
h c]p^/H
keQRS+9
k=p[Mlic/
G[` 2Nd<
B )\;Ja
Exit 1n6%EC| X
medium（出射介质）
=%I;Y& K
icVB?M,m
i;qij[W. z
GKUjtPu
4kV$JV.l
Detector（探测器）：
[\fwnS_1
'F/uD 1;
BSr#;; \
e*I92
c*R\fQd
First FH%: NO
Surface（第一面）
h'vBWtMa
mL#$8wUdt{
211T}a
[T [] U
:1"k`AG
