光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
XEUa 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
5}d/8tS 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
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Wavelength(参考波长):
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Illuminate(光源):
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Incident KTLbqSS\
angle(入射角):
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v ]/OAH6D
HvqF@/xh
jsNH`"
Incident V>FT~k_"
medium(入射介质):
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v.l7Q
Uw2,o|=O
/i-xX*
bVa+kYE
Substrate(基底)
Z{,GZT
V9fGVDl;
L(WL,xnBy
E(QZ!'%K+m
()QOZ+x_!
Thickness(厚度)mm
?Y?gzD
i}/e}s<-6
|+Hp+9J
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[K cki+
Exit mQd4#LJ_
medium(出射介质)
ibd$%;bX3
r/NSD$-n
KGV.S
m,W) N9 M
f7XQ~b
Detector(探测器):
u* t,i`
{fGd:2dh
mR{CVU
@4IW=V
YSR mt/
First &8[ZN$Xe"
Surface(第一面)
G(U 9rJ9
qP~WEcH`[
1R0ffP]
U@Z>/ q
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