光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
4Hf'/%kW 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
Xbx=h^S 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
w]xr
~D+ t3.;qDy
)g8Kicox5
=[aiW|Y
GBS+ 4xL|
Reference M*T!nwb
Wavelength(参考波长):
Qo3Enwap=
t
4M-;y
a|y'-r90
tIV9Y=ckr0
_8PNMbv{
Illuminate(光源):
/:
-&b#+
HI:1Voy
XkUwO ]
\ 6taC
(0y!{ (a
Incident 6j1C=O@S
angle(入射角):
-0`n(`2
D{d%*hlI 3
]!"7k_
"-:g.x*d
QaE!?R
Incident @>ys,dy
medium(入射介质):
WyB^b-QmDh
@6!Myez'
a|]deJU^
Ht}?=ZzW
5(1c?biP&
Substrate(基底)
^"iL|3d
dqBN_P%
_I,GH{lh I
7N OF^/nU
TntTR"6aD
Thickness(厚度)mm
hc]p^/H
keQRS+9
k=p[Mlic/
G[`2Nd<
B )\;Ja
Exit 1n6%EC|X
medium(出射介质)
=%I;Y& K
icVB?M,m
i;qij[W. z
GKUjtPu
4kV$JV.l
Detector(探测器):
[\fwnS_1
'F/uD1;
BSr#;;\
e*I92
c*R\fQd
First FH%:NO
Surface(第一面)
h'vBWtMa
mL#$8wUdt{
211T}a
[T[]U
:1"k`AG