光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
u=U.+\f5 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
;mi+[`E 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
AwC"c ' {FrcpcrQa
[ITtg?]F
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y|e@z f
Reference y\xa<!:g
Wavelength(参考波长):
Kb/w+J
S
.[qm>j,
H/v|H}d;
1
po.Cmx
fBi6%
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Illuminate(光源):
-k+}w_<Q
Q.$|TbVfds
nKO4o8js{{
-D4"uoN.
:d!qZFln
Incident 4$wn8!x2|
angle(入射角):
|_Tp:][mf
BSMM3jXb
5g$]ou
_!} L\E~
*?-,=%,z/
Incident !=Hu?F p
medium(入射介质):
-!C9x?gNY
J$/'nL<{^
RdirEH*H
KH~o0 W
=u.jZ*u]WT
Substrate(基底)
!L=RhMI
k-zkb2
8q5
`A Gl
.EXe3!J)!
l0&Y",vy
Thickness(厚度)mm
wt(Hk6/B
NQdz]o
_?YP0GpU
:Nt_LsH
X;vfbF
Exit vRR(b!Lq
medium(出射介质)
Bc!ZHW*&
naHQeX;
!go$J]T
tS@J)p+_(
]w+n39da
Detector(探测器):
keMfK]9
CU7WK}2h2C
!gKz=-C
XP|qY1
[l7 G9T}/[
First &{5v[:$
Surface(第一面)
l)m]<EX
RaBq@r*(
MB:VACCr
VOY#Y*)g
`-J$7)d@