光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
z/5TYv)S 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
4M>]0%3.D 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
>3 p8o@: rjfWty%6pX
1$ }Tn
;gJAxVD<
{Ho _U&<
Reference |,.1=| &u
Wavelength(参考波长)：
th"Aat mp
h>xB"E|.
HC ktgL:E=
bTYR=^9
_q-k1$ o$
Illuminate（光源）：
F DGzh/
Mp5Z=2l 5
5D^2
+`$/
Q R dtr
T 9}dgf
Incident f0g_Gn $
angle（入射角）：
7we='L&R
w1F)R^tU
N^[MeG,8
44^jE{,9
/^si(BuC^*
Incident ffOV7Dxy
medium（入射介质）：
h}m9L!+n8
+r"fv*g"
|9m*? 7
Kx;l a
Aba%QQQ
Substrate（基底）
@Ko}Td&E(
[4])\q^q
=jG." o
qssK 0!-
=':SOO7
Thickness（厚度）mm
|hvclEu,
>n&+<06
j3?@p5E(
EUPc+D3
&]KA%Db2
Exit &6\E'bBt
medium（出射介质）
sw(|EZ7F
HErG%v]nw
*'@T+$3s
*MCkezW7{
){tT B
Detector（探测器）：
`Z@qWB<
2tp95E`(O
eN TKX
' _n $xfH
-{*QjP;K
First P>] *pD
Surface（第一面）
;T!ZO @1X
%wq;<'W
&x[V<Gq
-0*z"a9<p8
S]c& T`jx
