光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
Z.aeE*Hs$ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
[,~;n@jz 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
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6B>*v`T :
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s6 K~I
Reference 8zJye6f;l
Wavelength(参考波长)：
u^VQwu6?G
@fVz
*
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0.(7R,-
Illuminate（光源）：
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DC$> 5FDv
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Incident >7W 8_6sC<
angle（入射角）：
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Ac
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O#vIn }
"Vwk&~B%
Incident *tDxwD7
medium（入射介质）：
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$KGRpI
UM+g8J{$*;
zj1_# =]
Substrate（基底）
c+1<3)Q<
%IUTi6P
l
GN|xd+O_
}.<] A
dFnu&u"
Thickness（厚度）mm
;,B $lgF
vFgnb WxG
x$b Cbg
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M>jk"*hA|
Exit 7 /DDQ
medium（出射介质）
xw1n;IO4
;@[a x{ J
N#X(gEV
%#lJn.o
wF['oUwHH
Detector（探测器）：
QUc& f+~
YJ 01-
k3e?:t 9
TaTw,K|/
8d>>r69$pa
First {'f=*vMI
Surface（第一面）
FWpb5jc)3
\ 3l3,VYH
- I j
{gS7pY% _W
vnv:YQV/ir
