光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
C
U 8s* 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
6z3`*B 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
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Reference '1NZSiv+C?
Wavelength(参考波长)：
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V =-hqo(
FS^ie|8{D-
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Illuminate（光源）：
{K ,-fbE
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m1{OaHxKh
U!D\Vd
(|t)MnPfY
Incident /vrjg)fer
angle（入射角）：
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nX\Q{R2
c3X8Wi7m
Incident VU ,tCTXz
medium（入射介质）：
S<=|i
Ou,Eu05jt'
c,FhI~>R
O o d?ifA
yaW HGre
Substrate（基底）
IKVS7m
^/_1y[j
a/s6|ri`0
o:nh3K/YJ
q+ )csgN
Thickness（厚度）mm
K.I \E
n1 +,Pe*)
=[x
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Tj_~ BT
n=tg{_9f%
Exit HS[N]'dc
medium（出射介质）
I$vM )+v=
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w 7Y>B`wm?
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mIUpAOC`"Z
Detector（探测器）：
2%oo.?!R
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G >H',iOI
I~:
AWS9
r -SQk>Y}
First H;nq4; ^yK
Surface（第一面）
+w'{I`QIL0
<+2M,fq+
KXy|Si8w
U3zwC5}BN
g6=w
MRt[
