光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
~X T
a= 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
uX5 --o=C 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
{p lmFV
+<9q]V
j5VRv$P
,h(f\h(9
$X<<JnsK
Reference MF`k~)bDV
Wavelength(参考波长)：
Xw}Y!;<IEu
(a)@<RF`Q}
*O}'2Ht6\
J ] l@ r
` S~@ FX
Illuminate（光源）：
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V.a]IkK'K
n+F-,=0
t[yD8h
jv#" vQ9A]
Incident +n. j.JP"X
angle（入射角）：
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K&P{2Hndr
u b>K^
r1[T:B'
Incident / wRK[i
medium（入射介质）：
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WZ
V*J&
#uw*8&%0
HgBEV
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Substrate（基底）
D~ `YRbv
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q@"4Rbu6
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HE <%d
Thickness（厚度）mm
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u 'n%BVt
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Exit ~)CU m[:oM
medium（出射介质）
W:( Us y
I$qtf Gr
1Y0oo jD
]{, =mOk
=ir;m
Detector（探测器）：
F^v { Jqc
#Q) w$WR
R KZk/ly
D)eKq!_
}8KL]11b
First S gsR;)2
Surface（第一面）
dz. MH
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r
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Rl!WH%;c[X
