光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
s9 &)Fv-#V 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
kyu2)L2u 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
/N%zwj/* P
eHW[\)
MYu`c[$jZ
{83C,C-
B'#4;R!8P=
Reference 1 yJ75/
Wavelength(参考波长)：
Bs@:rhDi
!G[f[u 4Zg
I}_;A<U
"]<w x_!+}
bw0 20@O*
Illuminate（光源）：
ZIe +
>~^`5a`$uI
Eo Ko
Fr2kbQTg;
[\a:4vDAbi
Incident HM
90Sb
angle（入射角）：
3? };
ot0U- G(
P*7S3Td
@Jm.HST#S8
yYM_lobn
Incident hAlPl<BO#V
medium（入射介质）：
3Qk/ Ll
S7Znz @
brj[c>ID
OgQntj:%lN
o vB=Zm
Substrate（基底）
Ca
X^)
w"BIv9N
*.:! Ax
27Cz1[oX
[z^Od
Thickness（厚度）mm
~Po\ En
qg|Ox*_od"
p%tE v
K[*h+YO
b'&L BT7
Exit iQu^|,tHEM
medium（出射介质）
fj cr<&{:
J0Jr
BXCh
b$dBV}0 L
xUQdVrFU
uL
bp.N8
Detector（探测器）：
::v;)VdX+*
b/z'`?[
re]%f"v:5
1k$2LQ
lK "' n LL
First $y8mK|3.3u
Surface（第一面）
JR] )xPI`
~KJ,SLzhx9
*3 !(*F@M,
vf6`s\6
KuIkul9^%
