光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
Y2!P!u+Q 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
)k~{p;Ke 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
h
7/wkv\y9 [QZ8M@Gty#
FgnS+c3W(
s$3WJ'yr
K%@#a}kRb
Reference T/Bx3VWL
Wavelength(参考波长)：
S=zW
wo$
_(_U=
cT.8 &EEW
$5r1Si)
k:yrh:Jh B
Illuminate（光源）：
m1#,B<6
@-% .+
y,F|L?dI q
G0mvrc-(
']^_ W0?=
Incident 3d;w\#? L;
angle（入射角）：
@|;XDO`k;
8h{;*W r-
b/ g~;| <
8eDKN9kq
@"vTz8oY@
Incident A4 IPd
medium（入射介质）：
b|-7E I>l9
jlM %Y
ZC
rhH !-`m
ApotRr$)
r34 GO1d
Substrate（基底）
+ V,Ld&r
}Zp5d7(@w
V5up/ 6b,1
MngfXm
"S Fs\] Z
Thickness（厚度）mm
"*oN~&flc
x)prI6YMv\
|W;EPQ+ <
VCCG_K9'
g 6!#n
Exit gVpp9VB
medium（出射介质）
oh%/\Xu
*rmwTD"
W}.p, d
G}0fk]%\ :
t Rzo}_+N
Detector（探测器）：
1+NmiGKg
2\L}Ka|v
V1>>]] PS
G{{Or
}ej-Lu,b3
First D OGg=`XK1
Surface（第一面）
#7dM %
!Z`xwk"!
ealh>Y
2apQ4)6#[H
oQ_n:<3 X
