光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
Pa6pq;4St 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
8t3m$<7 用
TFCalc如何设计,求详解?如何设置这些
参数,和后续的操作?
:KgH7s} ftG3!}
;=7K*npT
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eP,bFc
Reference lm6hFvEZ
Wavelength(参考波长):
xeL"FzF:V
\{}dn,?Fv
Zwm/ c]6`
RC/45:hZZ
_6Y+E"@zs
Illuminate(光源):
R8cOb*D
'zM=[#!B
cGiL9|k
*i}X(sfe
^DN:.qQ
Incident n>?D-)g
angle(入射角):
oNtoqYwH
u4_QLf@I
A#6zINK#B
{vGJ}q?Sd"
{9yf0n
Incident ~_-]>
SI
medium(入射介质):
tEL9hZzI
qa-FLUkIk!
NNF"si\FE
[lg!*
ni&|;"Nt-
Substrate(基底)
+i!5<nn
d)emTXB(
~\mh\a&
~W [I
dYwkP^KB
Thickness(厚度)mm
{BmqUoZrC
`XhH{*Q"X
QYMfxpiC
1vxRhS&FY
a8f#q]TyQ
Exit >Jmla~A
medium(出射介质)
1!KROes4
\4L ur
HMCLJ/
X58U>4a
? Bpnnwx
Detector(探测器):
`^Vd*
n&njSj/
)Cl>% 9
;NR|Hi]
_Xt/U>N
First `UTPX'Vz
Surface(第一面)
>!t3~q1Cn
9F>`M
T@tsM|pI
Zp>v
Jv8:GgSg