光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
@*WrHoa2N 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
a[=ub256S 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
9TEAM<b; f n8|@)J
4D6LP *
Yw\lNhoPS
@ ZN@EOM$+
Reference lInf,Q7 W
Wavelength(参考波长)：
9 $^b^It
O 2/_$i[F
~6 {U^3
L#fK
,r8
/&l4 sF1
Illuminate（光源）：
=+H,}
u.}H)wt
ak{XLzn
s<5P sR
I(b]V!mj:
Incident H>%L@Btw
angle（入射角）：
<Vh }d/
9[[$5t`8
#!P>." .
Kp19dp}'b
Sx1OY0)s
Incident z~ ua#(z1S
medium（入射介质）：
/Eu|Jg=I
1JV-X G6
k&npC8oA
:mt<]Oy3
'_ys4hz}
Substrate（基底）
T&j:g g
&d]@$4u$ ;
'f 8'|o)
BadnL<cj]
&g]s@S|%
Thickness（厚度）mm
>[Tt'.S!?
3Te&w9K
R`,|08E
lBudC
N;4wbUPL7h
Exit J|([(
medium（出射介质）
TY?O$d2b3
#$l:%
Hx n#vAc
Bv e',.xH
8[#EC 3
Detector（探测器）：
H#G3CD2&
gL`aLg_
Hk$do`H-=Y
<`NtT G
h; R>|2A
First P1 |3%#c
Surface（第一面）
5uJ!) Q
Iu^I?c[
WA.c .{w\
"`h.8=-
cv. j
