光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
X?_rD'3 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
|=}+%>y_ 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
:xsZz$ xv]z>4@z,
HJl?@& l/
eHgr"f*7
2| , $#V=
Reference M1Q&)am
Wavelength(参考波长)：
!`{?qQ[=
t1T s !Q2
d8wGXNd7B
,Q"'q0hM=
q'jOI_b
Illuminate（光源）：
FF8j W1
}U7IMONU
Nn_fhc>
Q `bXsH
V6merT79
Incident NO*, }aeG
angle（入射角）：
XIIq0I
12^uu)6Xm,
a?-J j\q
8O^x~[sQ
j([b)k=
Incident %E%=Za
medium（入射介质）：
@ 51!3jeu
A ON
|b\?
P"7` : a
HK[%'OQ
Apu - 9|oP
Substrate（基底）
ytj} );,>
,i*rHMe
z
4}"oQk:r
~ T}D#}
1'~+.92Y
Thickness（厚度）mm
Y5 E0n(Z
Ps0 Cc _
" 0!#De
5JOfJ$(n
U$D:gZ
Exit igOX 0
medium（出射介质）
_
(b4|hJ'
>0kL9_9{
UVXruH
Cdl"TZ<
Rq1 5AR
Detector（探测器）：
?o V.SG'
W[QgddR
[GyPwb-
v*excl~
(QFZM"G
First x^3K=l;N
Surface（第一面）
H"+|n2E^
" QfF]/:
z V $Z@o
Gyu = }
El`G<esX
