光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
*A}td8( 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
+7
j/. R 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
E[zq<&P@ kVt/Hhd9
rf'A+q
w}(pc }^U
ZZ :* c"b:
Reference
Fe$o*r,
Wavelength(参考波长)：
>XRf=
:3
~ q/~ u
Nr)DU.f
+u5xK
0Ny +NE:6M
Illuminate（光源）：
QG
L~??
60e{]}Z
'0_W< lGB
Q?([#
Ky8,HdAq
Incident )S`Yl;o L
angle（入射角）：
Rp:I&f$Hk/
W>&*.3{v
s,/C^ E
UMF M.GI
i=rA;2>
Incident *r9D+}Y(4
medium（入射介质）：
T-7( 3#&
*&h]PhY
Y -+ Kf5_[
^HT vw ~]5
~-%z:Re'_
Substrate（基底）
8-kR {9r
pj3H4yCM:
g OE ?
meThjCC
~%
`hh9]
Thickness（厚度）mm
e~,+rM
_pvt,pW
^ AZv4H*~
K 9nW"0>
zc,X5R1
Exit Dd,
&a
medium（出射介质）
Y(T$k9%}+
,LLx&jS
#BH]`A J
I?\P^f
Ax O.adQE%
Detector（探测器）：
]S@DVXH
wsAb8U C_
BPOT!-
I-kK^_0mV<
|GPY bxzc
First ~Xr[d07bC
Surface（第一面）
c2s73i z
LCH w.
o62GEl25
cmd7-2
8LuU2Lo
