光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
'~=SzO 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
64tvP^kp 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
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7 #@Jq~$N|
uK Hxe ~
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H G^'I+Yn
Reference AoxA+.O
Wavelength(参考波长)：
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VMWf>ZU
2 J BR)P
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mr^ R
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Illuminate（光源）：
wFZP,fQ9l
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Y76gJ[y jn
Incident 5=ryDrx
angle（入射角）：
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eJ-nKkg~a
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Cw&KVw*
pEA:L$&
Incident IH+|}z4N?>
medium（入射介质）：
Y.p;1"
$IpccZp A
Zj'9rXhrM1
sFRQe]zCcP
yJIscwF
Substrate（基底）
#%O0[kd
cw
<l{A
jmG~Un M
sRb9`u =)
o ^uA">GH
Thickness（厚度）mm
La[V$+Y
K{+2G&i
)vlhN2 iv
7b+6%fV
S,8e lKH4
Exit G' 1'/
medium（出射介质）
a d\ot#V
cFX p
xskz) kk
MF'JeM;H
5[0? g@aO
Detector（探测器）：
#GFr`o0$^
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&UFZS94@r
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uPvEwq*
C
First )t%b838l%
Surface（第一面）
Dw"\/p:-3
UPGtj" 2v-
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