光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
$<dH?%!7 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
?>D+ ge 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
fn jPSts0 I T E{@1
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iTBx\ u%{
U AkT*'cB
Reference r_)' Ps
Wavelength(参考波长)：
a+[K I
.;y.]Z/;
>Eyt17_H"n
Go`vfm"S
)al]*[lY
Illuminate（光源）：
f
O}pj:
-/wtI
2@ n{yYwy
}Sm(]y
XO>KZV7)
Incident dc+>m,3$
angle（入射角）：
R$h<<v)%
{g'(~ qv
WrnrFz
YquI $PV _
[SjqOTon{
Incident ttaM.
medium（入射介质）：
6 C1#/
MD}w Y><C
}kw#7m54
EKYY6S2
R~TTL
Substrate（基底）
yJ[0WY8<kC
A]_7}<<N
2 ~dE<}
$P >
>2Y=*K,:
Thickness（厚度）mm
paA(C|%{
wm+};L&_
w1F cB$
prUN)r@U
#>a\>iKQ2q
Exit W- $Z(Z
XL
medium（出射介质）
E'f{i:O "~
Ij7p' a
*[Imn\hu
7zl5yK N
2,y|EpG#
Detector（探测器）：
77 Q5d"sIi
mtpeRVcF
F0m-23[H
^7`BP%6
(=FRmdeYl1
First 3xy<tqfr
Surface（第一面）
IY1 //9
3 #n_?-
]]HNd7Vh
"-E\[@ /
=?5]()'*n
