光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
:*ZijN*{)$ 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
P(UY}oU 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
eH V#Mey[ Qv<p$Up6
rJ{k1H >
I7\T :Q[
R7 rO7M !
Reference "rrw~
Wavelength(参考波长)：
xn>N/+,
M h 2Zj
-, Js2+QZ#
pD!j#suMA
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C8M
Illuminate（光源）：
*'*,mfk[
8!b>[Nsc
CTe!jMZ=
V,% K"b=
QUm[7<"
Incident icQQLSU5
angle（入射角）：
rp4{lHw>C/
P:WxhO /
}KYOde@
gC F9XKW
e=s( {V
Incident 53 $;ZO 3
medium（入射介质）：
vQG v4
Y_6 v@SiO
oWx^_wQ-=
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B6j/"x6N15
Substrate（基底）
Z&4L///
>X*G6p
E`.:V<KW/
]9~Il#
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Thickness（厚度）mm
?LJiFG]^m
BnfuI
U%0|LQk5
&^w "
,xR u74
Exit ,@fx[5{
medium（出射介质）
up aQoX/C
_#Lq~02 %
$=X>5B
PJ=| g7I
ZN l1e'
Detector（探测器）：
?D,j !Hy
|#{ i7>2U
l D->1=z
orYZ<,u
8_ascvs5
First '?
-N
Surface（第一面）
XH(-anU"!P
+]( #!}oH
[c -|`d^
<$p v;]n
(>Nwd^
