光从GaN出来。经过 ITO,SiO2 到空气。
)o`[ wq 需要把ITO和SiO2的厚度设计成曾透的厚度。
VOGx 用
TFCalc如何设计，求详解？如何设置这些
参数，和后续的操作？
A{%LL r: Uu[dx}y
Z>PS>6
;Z.sK-NJ4
j.kv!;Rj=
Reference w JF(&P
Wavelength(参考波长)：
YkF52_^_
3g87 i r
~B\O {5W
$bFH%EA.
hV}C.- 6h
Illuminate（光源）：
lS{ ^*(a
p735i`8
Xmw%f[Xl
{J*|)-eAw
X:m m<4
Incident Vl/fkd,Z
angle（入射角）：
F60?% g g
=wznkqyhi
y*e({fio_
$CDRIn50
p0Pmmp7r
Incident #O N^6f2
medium（入射介质）：
${{[g16X
_0o65?F
KM9H<;A
4}-G<7*
2 $Um qt
Substrate（基底）
<9]J/w+
zNM*xP gS
d)kO W!5\
cb }OjM F
nCDG PzJ
Thickness（厚度）mm
a
y$CUw
?OFfU 4
4mvnFY}
-oi@1g @
Y-+JDrK
Exit L),r\#Y(v
medium（出射介质）
D< 0))r
=klfCFwP
G^:?)WRG
WsW] 1p
{7Hc00FM
Detector（探测器）：
]F 3fO5Z
P6A##z
l[^0Ik-G
e4FR)d0x
ee {K5 G
First Ec&_&
Surface（第一面）
h0")NBRV&
'4}8WYKQ
#'y& M t
6Zx 5^f(qd
@U:PXCvh
