1. 背景知识
aO ?KRn 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
._;It198f 2. 设备能力
zL50|U0H OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
K.&6c,P] 'Z,7{U1 P 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
) k[XO 2） 排气性能
U8HuqFC 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
nehk8+eV_ 极限真空：低于5.0E-5Pa
X|g5tnsj` 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
TV_a(#S 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
wt'"<UN 3） 基板加熱特性
0$ Zh4Y 最大设定温度: 350℃
)' ,dP)b 加热40分钟以内，能到达300℃
p14$XV 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
:
4lR`% 4） 电子枪/电源(JEOL制)
R f>V] R 电子枪（BS-60050EBS）：
p<Tg}fg (10kW，270°偏转)
5 ^l-3s?M 电压 -4～-10kV(连续可变)
.{bT9Sc5 5） 坩埚
?;(!(<{ 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
sT<h+[2d 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
JlE+CAny 6） 离子源
9!2$?xqym 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
G%i&C)jZ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
A] o3 MoSt 栅网尺寸：10cm
0lcwc"_DZX 最大射频功率：600W（13.56MHz）
ov\%*z2= 束電圧：100V～1500V
Sn.I{~ 最大束電流：500mA
QZO<'q`L 离子流密度分布：±10%以内
&@2`_%QtA 加速电压：100V～1000V
u`-:'@4 标准导入气体量：氧气或氩气
v] Xy^7? b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
y|9 LtQ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
^Ga_wJP8S 最大中和電流：1500mA
1.~^QH\p?3 标准导入气体量：氩气
I3l1 _ 7） 光学膜厚监控
ashVV~\8A 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
s <$*A;t 波長范围：350～1100nm
:N
xksL^ 波長精度：<±1nm
(~b0-3s 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
T0\[":
A 波长再现性：±0.25 nm
0d`l ugf 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
%6@m~;c0 8） 水晶膜厚监控
1'k,P;s 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
vDc&m 水晶开始频率：6.0MHz
?D NeL;6 频率变化测定分解能：±0.028Hz
IZ . b 测定时间间隔：0.25秒
:ZM=P3QZ ,qdZ6bv,]| 3. 标准工艺
j2n
4; m 1) ITO
~%: TE} 2)太阳电池减反膜
9!D
c= =A"z.KfV 3)高反膜
G#'G9/Tm AIA4c"w.EO 4)截止滤光片
$')Uie<!8 5Ak>/QF9 5)UV-IRCUT
&23t/` *NI hYg6 OnE~0+ 5．操作手册
y# lg)nB 1) 目的
ADA* w 1 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
FvBnmYn W 2) 使用范围
GsE
=5A8 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
v(jZ[{x@ 3) 注意事项
L7.LFWq$S 1.开机前检查水电气是否正常
?T[K{t;~jo 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
twPD'X!r 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
6wyhL-{: 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
(i^<er q 4) 准备工作
&+pp;1ls 1.基片清洗
hXn@vK6 2.补充源材料
9z?B@;lMc 3.清理真空室
k jR-p=} 5) 操作步骤
[8`^_i=# 1、开机
')E4N+h/ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
UTuOean ]' 1.2 打开总电源
3:!5 ] 1.3 打开UPS电源
{=E,.%8 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
5U JMiwP{ 机，进行冷泵再生过程。
xa%2w] 2、放样
Hb9r.;r<EW 2.1 清理真空室
5cC) &}I 2.2 补充源材料
95 X6V 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
iA+zZVwO 2.4 放入样品
a[V 4EX1E 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
J`A )WsKkb 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
'Z^KpW 3、熔源与蒸发镀膜
ot, e?lF 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
A)o%\j 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
bRc ~e@ 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
>zcp(M98 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
\F),SL 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
}F) eA1 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
)%(H'omvl 3.6 打开气体流量控制仪
k|_LF[* Z 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
0 [SrRpD 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
>U[YSsFt6 4、取样
@?<1~/sfL 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
>]l7AZ:, 行充气过程
4B=@<( H 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
o_%gFV[q 清理真空室，进入到下一个循环。
Y \7/`ty 5、关机
.&c!k1kH 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
V% ! my[b 5.2 关闭UPS，总电源
CK RnkTTiV 5.3 关闭水、气
