1. 背景知识
J7 p '_\ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
(F wWyt 2. 设备能力
Vk#w J- OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
(,i&pgVZ $_u9Y! 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
ZQ0R3=52r 2） 排气性能
O%Mi`\W@ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
o'`:$
( 极限真空：低于5.0E-5Pa
O< \i{4}} 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
IKm_YQ$XOy 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
]P5|V4FXo 3） 基板加熱特性
/W vgC ) 最大设定温度: 350℃
rEM#J"wF 加热40分钟以内，能到达300℃
SDW_Y^Tb 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
d/m.VnW 4） 电子枪/电源(JEOL制)
_xyq25/ 电子枪（BS-60050EBS）：
6oQSXB@ (10kW，270°偏转)
sNF[-,a 电压 -4～-10kV(连续可变)
pKxq \U 5） 坩埚
w7; ,+Jq 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
u=U. +\f5 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
pc=f, 6） 离子源
|#)S`Ua1 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
(;Ad:!9{ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
Q#Vg5H 4 栅网尺寸：10cm
Q96 "^Hd 最大射频功率：600W（13.56MHz）
!n?8'eqWru 束電圧：100V～1500V
HZ+l){u 最大束電流：500mA
kt0ma/QpP 离子流密度分布：±10%以内
9A-=T>| of 加速电压：100V～1000V
3g# 标准导入气体量：氧气或氩气
zFq8xw b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
&rj)Oh2 最大射频功率：150W（13.56MHz）
y\M K d[G7 最大中和電流：1500mA
+W8L^Wl 标准导入气体量：氩气
#7Pnw.s3zz 7） 光学膜厚监控
_T{
"F 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
&azy1.i~ 波長范围：350～1100nm
j&c YRKpz 波長精度：<±1nm
3G;#QK -c 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
X }W4dpU, 波长再现性：±0.25 nm
mHY R? 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
RTJ\|#w 8） 水晶膜厚监控
rZK;=\ Ot 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
S=N3qBH6 水晶开始频率：6.0MHz
z+k[HE^S 频率变化测定分解能：±0.028Hz
`L=d72: 测定时间间隔：0.25秒
hA6D*8oXD T-
|36Os4 3. 标准工艺
;4!,19AT 1) ITO
3Aqw )B'"_ 2)太阳电池减反膜
d<@SRHP( $1F$3 "k 3)高反膜
T |L_ +(M{ 3 u tv 4)截止滤光片
6N<v&7cSB q 9 ^6A90 5)UV-IRCUT
3rUuRsXn [2 yxTK A.%MrgOOX 5．操作手册
] c=nkS 1) 目的
t
5{Y' 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
hYI0 S7{G 2) 使用范围
RM(MCle} 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
#3h~Z)+y 3) 注意事项
\mIm}+!H 1.开机前检查水电气是否正常
^F e %1Lnt 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
+pefk+ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
'Wv`^{y <^ 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
dP7nR1GS 4) 准备工作
r) SG!;X 1.基片清洗
V(5=-8k 2.补充源材料
VxKD>:3c 3.清理真空室
x&N!S U6 5) 操作步骤
!=f$
[1 1、开机
\@K K X 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
w 9W0j 1.2 打开总电源
W7
.Y`u [ 1.3 打开UPS电源
|_A DG
1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
_x&fK$Y)B 机，进行冷泵再生过程。
6bacU#0o 2、放样
"{lw;AA5F 2.1 清理真空室
4uV, $/ 2.2 补充源材料
E;>Bc Pt5 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
l?rT_uO 4 2.4 放入样品
ku&m)' 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
' t hEZ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
'/[9Xwh9 3、熔源与蒸发镀膜
yW!+:y_N_ 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
e +? -# 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
M#U #I :z% 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
\L I 2=J* 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
2GB+st, 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
=/6rX"\P DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
AvxP0@.` 3.6 打开气体流量控制仪
%dN', 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
rF* L@HI 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
EK
JPe eRY 4、取样
f]*_]J/ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
YM(` E9{h 行充气过程
K~MTbdg 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
#dKHU@+U" 清理真空室，进入到下一个循环。
V jc*D] 5、关机
`Qrrnq 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
[tP6FdS/M= 5.2 关闭UPS，总电源
-l ?J 5.3 关闭水、气
