1. 背景知识
ue@8voZhS/ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
HeCcF+ 2. 设备能力
0Qm"n6NQ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
\3r3{X
_<` "LOnD a7E^ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
4Rh R[ 2） 排气性能
t)ld<9)eB 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
NUMi])HkN 极限真空：低于5.0E-5Pa
R8tF/dx>7 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
eK9TAW 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
B#] _8svO 3） 基板加熱特性
VMx%1^/( 最大设定温度: 350℃
gC`)]*'tE 加热40分钟以内，能到达300℃
wy''tqg6 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
9UP:J0 ` 4） 电子枪/电源(JEOL制)
s|Zx(.EP 电子枪（BS-60050EBS）：
}&1Iyb (10kW，270°偏转)
P<u"97@8a 电压 -4～-10kV(连续可变)
s;J\Kc? "| 5） 坩埚
va5FxF*% 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
4b4QbJ $ 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
CN/IH 6） 离子源
k^^:;OR 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
6yI}1g a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
^/*KNnAWp 栅网尺寸：10cm
k5@d! }#c 最大射频功率：600W（13.56MHz）
a+41Ojv ( 束電圧：100V～1500V
|6%.VY2b 最大束電流：500mA
j5 \$[-'; 离子流密度分布：±10%以内
XvskB[\ 加速电压：100V～1000V
L~dC(J)@ZI 标准导入气体量：氧气或氩气
a=+T95ulDy b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
^Gq5ig1rxy 最大射频功率：150W（13.56MHz）
J3G7zu8 最大中和電流：1500mA
Wt J{ 标准导入气体量：氩气
t8& q 9$ 7） 光学膜厚监控
I] X 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
8.?E[ ~ 波長范围：350～1100nm
?U_9{}r 波長精度：<±1nm
' "'Btxz 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
^mg*;8e Ga 波长再现性：±0.25 nm
}E; F)=E 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
;xK_qBIP 8） 水晶膜厚监控
"!H@k%eAM| 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
F}U5d^!2 水晶开始频率：6.0MHz
A62<]R)n 频率变化测定分解能：±0.028Hz
]>Si0% 测定时间间隔：0.25秒
'' S&e di g~J\ 3. 标准工艺
kZVm 1W1 1) ITO
i "HgvBHx 2)太阳电池减反膜
,=o0BD2q O"*`'D|hK 3)高反膜
Q> 8pP \ho )`8p d 7<. 4)截止滤光片
&[@\ f^~ NP/> H9Q2% 5)UV-IRCUT
%6ub3PLw8 7
({=* ++8_fgM 5．操作手册
F98i* K`" 1) 目的
[$a<b/4 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
xd8
*<,Wj 2) 使用范围
Bux'hc 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
8$vK5Dnn8 3) 注意事项
o>c ^aRZ{ 1.开机前检查水电气是否正常
d TGA5c 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
( 9$"#o 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Ht[{ryTxu 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
Dag`>|my 4) 准备工作
;GsQR+en 1.基片清洗
ALGg AX3t 2.补充源材料
Pxhz@":[ 3.清理真空室
&|5GB3H = 5) 操作步骤
dqe7s Zl! 1、开机
[pgZbOIN37 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
0{) $SY 1.2 打开总电源
v-`h>J!Nx 1.3 打开UPS电源
7@~tVxB; 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
GXX+}=b7qO 机，进行冷泵再生过程。
V U~Dk);Bv 2、放样
/#S>sOg2xq 2.1 清理真空室
xx8U$,N g 2.2 补充源材料
E \{< ;S 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
~xyw>m+o. 2.4 放入样品
Owf.f;QR 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
C!%:o/ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
?KWj}| % 3、熔源与蒸发镀膜
}$g mK 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
*t9eZ!_f? 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
&L4
q10-N 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
\cuS>G 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
'Qn~H[$/p 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
"5!BU& DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
HIf{Z* mb 3.6 打开气体流量控制仪
Q\kub_I{@ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
:&VcB$ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
v{;7LXy0 4、取样
`UzVS>]l[+ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
=AOWeLk*G 行充气过程
NZXjE$<Vr 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Mkv|TyC 清理真空室，进入到下一个循环。
<@, $hso7: 5、关机
7} B 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
i$U Qbd 5.2 关闭UPS，总电源
7#-y-B]l 5.3 关闭水、气
