1. 背景知识
.j!:Hp(z} 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
d.sn D)X 2. 设备能力
=+e;BYD#! OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
~N2 [j AWZ4h,as{ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
'p Aq;2AA 2） 排气性能
* @
\LS!N 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
m7,"M~\pX 极限真空：低于5.0E-5Pa
o hPXwp?] 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
Y
Odw d}M 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
neWx-O 3） 基板加熱特性
o>M&C
X+j$ 最大设定温度: 350℃
J@N q 加热40分钟以内，能到达300℃
y X\~ {% 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
<XpG5vV 4） 电子枪/电源(JEOL制)
m] ++
! 电子枪（BS-60050EBS）：
0@!-+}i (10kW，270°偏转)
gA+@p'XnR 电压 -4～-10kV(连续可变)
l%cE o`U 5） 坩埚
w=" 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
(
Q k*B 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
uoY]@. 6） 离子源
{Cw>T-` 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
XQ k ,xQ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
F-?s8RD 栅网尺寸：10cm
g<4@5OQKu 最大射频功率：600W（13.56MHz）
{NIE:MXX 束電圧：100V～1500V
&ZP yZj 最大束電流：500mA
:jWQev"/ 离子流密度分布：±10%以内
,|R\ Z,s 加速电压：100V～1000V
-[lOf 标准导入气体量：氧气或氩气
z!9w Lo^r b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
!_1RQ5]^ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
/9u12R*< 最大中和電流：1500mA
7OZjLD{ID 标准导入气体量：氩气
6c#1Do(W+ 7） 光学膜厚监控
)e\IdK l= 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
rcMSso2 波長范围：350～1100nm
DmpD`^?-L 波長精度：<±1nm
y}lqF8s 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
?F%,d{^ 波长再现性：±0.25 nm
"M :0l Uy 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
>^KO5N-:4 8） 水晶膜厚监控
tsTCZ);( 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
20RI S j 水晶开始频率：6.0MHz
Z:%~ Al: 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Bt-2S,c,o 测定时间间隔：0.25秒
arj?U =zy -6>T0 - 3. 标准工艺
I.}E#f/A' 1) ITO
6M_,4>
- 2)太阳电池减反膜
Hk|wO:7Be w
] $Hr 3)高反膜
@ * *]o KP]{=~ ( 4)截止滤光片
?,x 3*'-( 0=K yupwXC 5)UV-IRCUT
_ye74$# 0h~7 "qUF@ +/~;y{G..z 5．操作手册
[E|% 1) 目的
rXu^]CK
*G 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
OuF%!~V 2) 使用范围
s8 0$ 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
EAXbbcV 3) 注意事项
V q<\ix Ri 1.开机前检查水电气是否正常
;sn]Blp q 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
6` @4i'. 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
ify}xv 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
rOd~sa-H 4) 准备工作
N 3g\X 1.基片清洗
zU,Qph
,< 2.补充源材料
)> |x 2q 3.清理真空室
6Z3L=j 5) 操作步骤
;/g Bjp]H 1、开机
S4FR=QuVQC 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
K _sHZ 1.2 打开总电源
&;Jg2f%. 1.3 打开UPS电源
u
=%1%p, 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
" WE*ED 机，进行冷泵再生过程。
8C>\!lW" 2、放样
{:0TiOP5x 2.1 清理真空室
+:?"P<' 2.2 补充源材料
Pwg? a 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
~*Kk+w9H< 2.4 放入样品
V*w~Sr% 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
`suEN @^ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
[=q&5' FY0 3、熔源与蒸发镀膜
CDU$Gi 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
vhOX1 ' 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
_)? 59 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
,4tuWO)" 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
eQqx0+-0c 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
oF0BBs$ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
gkw/Rd1oG 3.6 打开气体流量控制仪
R+y 9JE 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
HX p $\%A) 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
yTb#V"eR 4、取样
6_wj,7 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
-\V! f6Q 行充气过程
84}Pu % 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
L&L K
go 清理真空室，进入到下一个循环。
$)6%LG_@ 5、关机
Qaeg3f3F3 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
7lH3 )9G; 5.2 关闭UPS，总电源
kMP3P S 5.3 关闭水、气
