1. 背景知识
z 5]bia, 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
^ JR;epVJ
2. 设备能力
fj ,m OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
cu bUq5 Z"s|]K " 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
q:8_]Qt 2） 排气性能
\b*X:3g* 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
m%#`y\]I 极限真空：低于5.0E-5Pa
ir3VTqz 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
>`jU`bR @ 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
19q{6X`x 3） 基板加熱特性
H@uE> 最大设定温度: 350℃
[/R M=4Nh5 加热40分钟以内，能到达300℃
5HS~op2n/ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
&2I*0 4） 电子枪/电源(JEOL制)
_DP|-bp D 电子枪（BS-60050EBS）：
iK_ c.b (10kW，270°偏转)
Ejq#~Zhr! 电压 -4～-10kV(连续可变)
k#:2'!7G 5） 坩埚
"gW7<ilw
环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
;o<m}bGaT 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
W
>(vYU 6） 离子源
->lu#; A5 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
fYrGpW( ` a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
insY(.N 栅网尺寸：10cm
|vFj*XU 最大射频功率：600W（13.56MHz）
;pRcVL_4 束電圧：100V～1500V
eX l=i-' 最大束電流：500mA
FnHi(S|A 离子流密度分布：±10%以内
C+N F 9N 加速电压：100V～1000V
vs&8wb S) 标准导入气体量：氧气或氩气
&GWkq> b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
<1~^C 最大射频功率：150W（13.56MHz）
<JI&
{1 最大中和電流：1500mA
)yxT+g2! 标准导入气体量：氩气
f0Hq8qAF;^ 7） 光学膜厚监控
1QJBb \ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
. >6 Wv0 波長范围：350～1100nm
mE#nU(+Ta 波長精度：<±1nm
8r bG*6 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
bb =uF1 波长再现性：±0.25 nm
99iUOw c 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
qS8B##x+= 8） 水晶膜厚监控
~y0R'oi 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
o `r(`6@ 水晶开始频率：6.0MHz
+'03>!V 频率变化测定分解能：±0.028Hz
$GF]/;\m 测定时间间隔：0.25秒
?n'O F pd tjv\)Nn' 3. 标准工艺
.gYt0raSY 1) ITO
X,v4d~>] 2)太阳电池减反膜
2RppP?M! 8TZENRzx-| 3)高反膜
p/]s)uYp$ Jfg7\&| 4)截止滤光片
XrN- 2HTV 2Ji+{,?, 5)UV-IRCUT
P -Fg^tl 8V5a%2eV Rs$ 5PdH 5．操作手册
t;#Gmo 1) 目的
h{]#ag5` 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
W8aU "_
2) 使用范围
M$&>5n7 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
Q;26V4 3) 注意事项
XizPM N5a 1.开机前检查水电气是否正常
kR6A3?[ 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
ESDB[
O+`x 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
QB1M3b 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
/)V4k:#b 4) 准备工作
q a!RH]B3 1.基片清洗
4#E ul 2.补充源材料
30 7fBa 3.清理真空室
(@ ]tG?I= 5) 操作步骤
n,KA&)/ s 1、开机
C+l?k2 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
A4_>LO_qL 1.2 打开总电源
\f"?Tv-C' 1.3 打开UPS电源
%2yAvGa1 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
v *P[W_. 机，进行冷泵再生过程。
o'qm82*
= 2、放样
c#\-%h 2.1 清理真空室
|%ZpatZA5 2.2 补充源材料
/PC` 0/b 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
$!`L"szqD* 2.4 放入样品
ex phe+b 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
*]{=8zc2 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
k|#Zy, 3、熔源与蒸发镀膜
? ~)Ak` = 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
R `Qp d3 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
R{<Y4C2~ 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
B W71 s 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
t:9
ZCu ay 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
5<N~3
1z DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
;E's4jWq 3.6 打开气体流量控制仪
3'@&c?F ye 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
@"8~Y|L93 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
k5X b}@ 4、取样
!`C%Fkq 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
4e/cq N 6 行充气过程
,o)4p\nV 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
;o >WXw 清理真空室，进入到下一个循环。
(rMZ 5、关机
0 pNo`Bm 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
c
* 1S}us 5.2 关闭UPS，总电源
qC.i6IL 5.3 关闭水、气
