1. 背景知识
: ))&"GY 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
g_Rp}6g 2. 设备能力
0A- yQzL| OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
{Ppb ; 2
/*z5 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
:qzh kKu 2） 排气性能
EBiLe;=X 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
v`G}sgn 极限真空：低于5.0E-5Pa
y&bZai8WlE 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
L,ax^] 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
-yb7s2o 3） 基板加熱特性
/Ak\Q5O'3 最大设定温度: 350℃
Db;>MWt+e 加热40分钟以内，能到达300℃
H9(UzyN>i 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
]&9=f#k% 4） 电子枪/电源(JEOL制)
a .?AniB0 电子枪（BS-60050EBS）：
R&g&BF (10kW，270°偏转)
(bpRX$is 电压 -4～-10kV(连续可变)
$!TMS&Wk 5） 坩埚
teC/Uf 5 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
Z9q4W:jyS 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
#2$wI^O 6） 离子源
+$#XV@@~ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
Z smv{ p a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
&9z&#`AY]> 栅网尺寸：10cm
ecO$L<9> 最大射频功率：600W（13.56MHz）
+U%epq 束電圧：100V～1500V
]6s/ y 最大束電流：500mA
,4 q ^( 离子流密度分布：±10%以内
^f-)gZ& 加速电压：100V～1000V
eVB43]g 标准导入气体量：氧气或氩气
hh5h \ZI% b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
<a&xhG} 最大射频功率：150W（13.56MHz）
[2>zaag 最大中和電流：1500mA
(I(U23 A~ 标准导入气体量：氩气
uXvE>VpJG 7） 光学膜厚监控
EyA(W;r. 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
;' |CSjco 波長范围：350～1100nm
cIa`pU,6A 波長精度：<±1nm
@F*z/E}e 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
s& Al4>}.f 波长再现性：±0.25 nm
p$= 3$I 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
eibkG 8） 水晶膜厚监控
Z;BEUtR
c 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
) EQI>1_ 水晶开始频率：6.0MHz
VUP.
\Vry 频率变化测定分解能：±0.028Hz
E:+r.r"Y 测定时间间隔：0.25秒
9ZR"Lo>3e+ aY;34 SF 3. 标准工艺
g& f)WQ( 1) ITO
}NRt:J C 2)太阳电池减反膜
9}Za_ZgG
-dN`Ok<g 3)高反膜
A7&/3C6{H kmo#jITa` 4)截止滤光片
(Q
^=^s| ?I:_FT 5)UV-IRCUT
l-!" w ZbT*rU c&aqN\'4" 5．操作手册
bY*_6SPK4 1) 目的
yx6^ mis4 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
(n_.bSI 2) 使用范围
l w?C:-m 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
HZS.%+2 3) 注意事项
Raetz>rL 1.开机前检查水电气是否正常
.y_ ~mr&d 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
[u J<] 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
<:N$ $n 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
zf5%|7o 4) 准备工作
O U9{Y9e 1.基片清洗
;~WoJlEK3 2.补充源材料
/L 2n
~/ 3.清理真空室
B<h4ZK% 5) 操作步骤
DYC2bs> 1、开机
X7:Dw]t 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
n <HF] 1.2 打开总电源
s|Vs#o.P) 1.3 打开UPS电源
3[l\l5'm8 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
7lJ8<EP9
u 机，进行冷泵再生过程。
q$IU!I4 2、放样
AX i4{Q, 2.1 清理真空室
RZSEcRlN 2.2 补充源材料
>yqEXx5{ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
K;s` 2.4 放入样品
/k^j'MMQs6 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
.> PwbZ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
eecIF0hp 3、熔源与蒸发镀膜
~ 7Nqw wx 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
*/TO $ ^s 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
b}u#MU 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
rXip"uz(K> 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
m9j jKu]| 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
s k~7"v{Y. DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
E )X_ 3.6 打开气体流量控制仪
Gz8JOl 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
#.Ly 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
ANj%q9e!Yi 4、取样
U~c9PqjZ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
L ]BTX] 行充气过程
NA /Sv"7om 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
/^&$ma\ 清理真空室，进入到下一个循环。
^<v.=7cL0 5、关机
~EYdE qS) 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
|L-- j 5.2 关闭UPS，总电源
zx"0^r} 5.3 关闭水、气
