1. 背景知识
$``1PJoi 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
1@48BN8cm' 2. 设备能力
gN8hJG'0 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
Ks^6.) ^ 2GHe<Y 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
g,t jm( 2） 排气性能
w27KI]%( 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
qU2~fNY 极限真空：低于5.0E-5Pa
H={ DB 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
r`y ezbG 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
i$G;f^Z!Y
3） 基板加熱特性
)~4II.`%^ 最大设定温度: 350℃
/n~\\9#3 加热40分钟以内，能到达300℃
g6@Fp7T 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
\6n!3FLl 4） 电子枪/电源(JEOL制)
x9/H/' 电子枪（BS-60050EBS）：
p^<yj0Y (10kW，270°偏转)
&X@Bs- 电压 -4～-10kV(连续可变)
6*4's5>?D 5） 坩埚
O< PO^p i 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
[yl sz? 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
n~"$^Vr 6） 离子源
4(e59ZgY 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
XZ&KR .C, a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
(fNUj4 [ 栅网尺寸：10cm
.7'kw]{/ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
S= R7`a<.5 束電圧：100V～1500V
mpAR7AG 6 最大束電流：500mA
}I|u'#n_ 离子流密度分布：±10%以内
/kL $4CA 加速电压：100V～1000V
qPB8O1fyU 标准导入气体量：氧气或氩气
mK+IEZV<3 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
`p;eIt 最大射频功率：150W（13.56MHz）
:q 8b ;*: 最大中和電流：1500mA
B\J^=W+` 标准导入气体量：氩气
3G.5724, 7） 光学膜厚监控
S)QAXjH 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
S6}@I ,Q 波長范围：350～1100nm
2LrJ>Mi 波長精度：<±1nm
b KTcZG 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
bCref$| 波长再现性：±0.25 nm
}X x(^Zh 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
A +y 8） 水晶膜厚监控
5MFxo63 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
X37 L\e[c 水晶开始频率：6.0MHz
]k9)G* 频率变化测定分解能：±0.028Hz
A7(hw~+@ 测定时间间隔：0.25秒
a+hd(JX0~ -.g|l\ 3. 标准工艺
<;E 1) ITO
?$f)&O 2)太阳电池减反膜
;a-$D]Db >=]'hyn]] 3)高反膜
T+N|R xs\!$*R 4)截止滤光片
OB[o2G <0 |
8 qBm 5)UV-IRCUT
Q{k
At% GUF"<k 4w#``UY)' 5．操作手册
-( O-% 1) 目的
Pnd `=%w%] 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
`ptj? 6N- 2) 使用范围
sA g Kg=) 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
mv5n4mav 3) 注意事项
V5p=
mmnA, 1.开机前检查水电气是否正常
Lm@vXgMD 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
YeF1C/'hy 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
0 IQ'3 _ 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
odg<q$ 34 4) 准备工作
O?<&+(uMTT 1.基片清洗
jy]JiQ B 2.补充源材料
p{PE@KO : 3.清理真空室
+ >cBVx6 5) 操作步骤
Rb(SBa 1、开机
qF 9NQ; 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
/ r12h| 1.2 打开总电源
$9S(_xdI& 1.3 打开UPS电源
- l%J/ : 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
1SrJ6W @j[ 机，进行冷泵再生过程。
Cg z D $`~ 2、放样
~+Z{ Q25R 2.1 清理真空室
'ejvH;V3i 2.2 补充源材料
_ Ro! "YVX 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
ho>k$s? 2.4 放入样品
@iEA:?9uX 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
z<.?x%4O 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
;Ag
3c+ 3、熔源与蒸发镀膜
e@ {i 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
F@R1:M9* 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
<cA/<3k) 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
E*?<KZe" 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
5=e@d:Sz 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
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