1. 背景知识
$``1PJoi 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积,利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小;采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高;利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
1@48BN8cm' 2. 设备能力
gN8hJG'0 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备,适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
Ks^6.) ^ 2GHe<Y 1) 真空室尺寸:直径900毫米,高度約1300毫米
g,tjm( 2) 排气性能
w27KI]%( 粗抽真空:从大气压到50Pa真空,8分钟以内
qU2~fNY 极限真空:低于5.0E-5Pa
H={DB 恢复真空:15分钟之内达到8.0E-4Pa
r`y ezbG 漏气速率:低于5.0E-3Pa・L/sec
i$G;f^Z!Y
3) 基板加熱特性
)~4II.`%^ 最大设定温度: 350℃
/n~\\9#3 加热40分钟以内,能到达300℃
g6@Fp7T 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
\6n!3FLl 4) 电子枪/电源(JEOL制)
x9/H/' 电子枪(BS-60050EBS):
p^<yj0Y (10kW,270°偏转)
&X@Bs- 电压 -4~-10kV(连续可变)
6*4's5>?D 5) 坩埚
O<PO^pi 环形坩埚:φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
[ylsz? 15点坩埚:外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
n~"$^Vr 6) 离子源
4(e59ZgY 离子流密度分布均匀;利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时,基片表面质量无损伤
XZ&KR.C, a) 射频离子源:(Optorun制:OIS-Four,10cm)
(fNUj4[ 栅网尺寸:10cm
.7'kw]{/ 最大射频功率:600W(13.56MHz)
S=R7`a<.5 束電圧:100V~1500V
mpAR7AG6 最大束電流:500mA
}I|u'#n_ 离子流密度分布:±10%以内
/kL$4CA 加速电压:100V~1000V
qPB8O1fyU 标准导入气体量:氧气或氩气
mK+IEZV<3 b) 射频中和器(Optorun制: RFN-1Af)
`p;eIt 最大射频功率:150W(13.56MHz)
:q8b;*: 最大中和電流:1500mA
B\J^=W+` 标准导入气体量:氩气
3G.5724, 7) 光学膜厚监控
S)QAXjH 反射式膜厚计(Optorun制HOM2-R-VIS350A)
S6}@I ,Q 波長范围:350~1100nm
2LrJ>Mi 波長精度:<±1nm
b KTcZG 波长分解能:标准6.5nm±1.0nm,546.1nm处
bCref$| 波长再现性:±0.25 nm
}X x(^Zh 安定性:<±0.1%/h(点灯60分後,环境温度安定,波長500nm)
A+y 8) 水晶膜厚监控
5MFxo63 控制仪: XTC/3 (Inficon制)
X37 L\e[c 水晶开始频率:6.0MHz
]k9)G* 频率变化测定分解能:±0.028Hz
A7(hw~+@ 测定时间间隔:0.25秒
a+hd(JX0~ -.g|l\ 3. 标准工艺
<;E 1) ITO
?$f)&O 2)太阳电池减反膜
;a-$D]Db >=]'hyn]] 3)高反膜
T+N|R xs\!$*R 4)截止滤光片
OB[o2G <0 |
8qBm 5)UV-IRCUT
Q{k
At% GUF"<k 4w#``UY)' 5.操作手册
-(O-% 1) 目的
Pnd`=%w%] 在真空
系统中,利用电子束将坩埚中的源材料(介质)加热,使其蒸发,在基底表面形成均匀的薄膜。
`ptj?6N- 2) 使用范围
sAg Kg=) 可装载六英寸基片6片;基底最高加温350℃;现有源材料:TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
mv5n4mav 3) 注意事项
V5p=
mmnA, 1.开机前检查水电气是否正常
Lm@vXgMD 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
YeF1C/'hy 3.使用离子源结束后,需对中和器继续充Ar气使其冷却
0IQ'3_ 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
odg<q$34 4) 准备工作
O?<&+(uMTT 1.基片清洗
jy]JiQB 2.补充源材料
p{PE@KO: 3.清理真空室
+ >cBVx6 5) 操作步骤
Rb(SBa 1、开机
qF 9NQ; 1.1 打开冷却水,N2气、压缩空气
/r12h| 1.2 打开总电源
$9S(_xdI& 1.3 打开UPS电源
-l%J/ : 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”,设定开机时间,自动开
1SrJ6W @j[ 机,进行冷泵再生过程。
Cgz D$`~ 2、放样
~+Z{Q25R 2.1 清理真空室
'ejvH;V3i 2.2 补充源材料
_ Ro!"YVX 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
ho>k$s? 2.4 放入样品
@iEA:?9uX 2.5 如需使用离子源,必须将保护盖拿出
z<.?x%4O 2.6 关真空腔门,运行“CHAMBER EXHAUST”,抽真空
;Ag
3c+ 3、熔源与蒸发镀膜
e@{i 3.1 打开电脑,点击ACS图标,进入
软件操作界面
F@R1:M9* 3.2 在Melting中点击“select”,选择熔源程序
<cA/<3k) 3.3 在process中点击“select”,选择镀膜程序
E*?<KZe" 3.4 如需使用离子源,在“Enable IBS Control”前打勾
5=e@d:Sz 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
[!%![E DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
S$2b>#@UJ 3.6 打开气体流量控制仪
F4Y@
B 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜,结束后关闭离子源,顺序与
9<Kj6t_ 3.5中相反,继续给中和器中充入N2一段时间
N?X^O#[ 4、取样
5MzFUv0) 4.1 当基片温度降到80℃以下,点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”,执
1Z{ZV.! 行充气过程
!~Q2|r 4.2 恢复到大气状态下,开腔室,先盖上离子源与中和器的保护盖,取样,
=TqQbadp 清理真空室,进入到下一个循环。
&i!vd/*WlD 5、关机
kD[ r.Dma 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
p _d:eZ 5.2 关闭UPS,总电源
"T H6o:x 5.3 关闭水、气