1. 背景知识
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光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
a3:45[SO4e 2. 设备能力
DqI "B OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
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9N!Fj] 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
X mb##: 2） 排气性能
>pol'= 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
]f`UflMO8 极限真空：低于5.0E-5Pa
Z,-TMtM7 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
'm< L}d 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
4__HH~j ?Q 3） 基板加熱特性
SEu:31k{o 最大设定温度: 350℃
X rc{w Dn 加热40分钟以内，能到达300℃
9N2.:<so 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
vUL@i'0&o 4） 电子枪/电源(JEOL制)
7)> L#(N 电子枪（BS-60050EBS）：
g C%$)4-: (10kW，270°偏转)
23+JuXC6> 电压 -4～-10kV(连续可变)
tmeg=U7 5） 坩埚
!6#.%"{- 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
>$3 =yw% 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
zT!.5qd 6） 离子源
4Pf"R ~&[ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
,Cy&tRjR B a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
PVN`k, 4 栅网尺寸：10cm
P= E10 最大射频功率：600W（13.56MHz）
5YUe>P D 束電圧：100V～1500V
xvWP^Qkb 最大束電流：500mA
W=#jtU`:5 离子流密度分布：±10%以内
r' |ei , 加速电压：100V～1000V
az}zoFl 标准导入气体量：氧气或氩气
Xp6Z<Z&N b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
*Hv d 最大射频功率：150W（13.56MHz）
E1 A5<^t 最大中和電流：1500mA
4VA]S 标准导入气体量：氩气
v9gaRqi8 7） 光学膜厚监控
^Y8G}Z| 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
k<o<!
波長范围：350～1100nm
Kr4%D* 波長精度：<±1nm
>;s2V_ d 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
(f* r 波长再现性：±0.25 nm
q #8z%/~k 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
sI#h&V,9 8） 水晶膜厚监控
x;4m@)Mu 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
XNBzA3W 水晶开始频率：6.0MHz
{-|El}.M 频率变化测定分解能：±0.028Hz
#TgP:t]p 测定时间间隔：0.25秒
1P BnGQYM 20Rm|CNH? 3. 标准工艺
4i29nq^n 1) ITO
u b@'(* 2)太阳电池减反膜
/ pGx ! 0 U2dNLc 3)高反膜
X`]>J5 S;{[];
4)截止滤光片
nF
'U* tK\$L Z 5)UV-IRCUT
0.wN&:I8t \qJ^ n % Lf Y[Z4 5．操作手册
BK.RYSN 1) 目的
UwDoueXs 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
En8L1$_ 2) 使用范围
L[:M[,?=` 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
n8&x=Z}Xs 3) 注意事项
Z~"8C Kz 1.开机前检查水电气是否正常
(B].ppBii 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
n+'s9 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
i_$?sg#=yk 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
4DGK Zh'm" 4) 准备工作
Ez>!%Hpn\ 1.基片清洗
<FvljKuq+ 2.补充源材料
:O*62olC5 3.清理真空室
Ak\"C4s 5) 操作步骤
M
!rw!,g 1、开机
3TKl 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
{5T:7*J 1.2 打开总电源
6 c -9[-Px 1.3 打开UPS电源
,0n=* o@W 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
x=1Sbs w{ 机，进行冷泵再生过程。
fydQaxCN D 2、放样
mZ#IP 2.1 清理真空室
J]&nZud` 2.2 补充源材料
4 ..V 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
\ &s$?r 2.4 放入样品
@])}+4D(S 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
'G3|PA7v 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
U9// m=_ 3、熔源与蒸发镀膜
/<IXCM. 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
,Q8h#0z r 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
I#CS;Yh95 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
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K 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
/oU$TaB>( 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
A) TO<dl DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
mp0! S
3.6 打开气体流量控制仪
`?vI_>md'! 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
UeSPwY 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
$K!6T 4、取样
+|spC 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
l, E4h-$ 行充气过程
<Ow +LJWQK 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
8EZ, hY^ 清理真空室，进入到下一个循环。
Um
I,?p 5、关机
g7]g0*gxXW 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
8"x\kSMb 5.2 关闭UPS，总电源
`>{S ?t< 5.3 关闭水、气
