1. 背景知识
W>3[+wB 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
b|mWEB.p 2. 设备能力
LV|ZZ.d h OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
GPBp.$q+B *Kj*| >) 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
OUCL tn\ 2） 排气性能
0kxo 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
sq
`f?tA? 极限真空：低于5.0E-5Pa
4CA(` _i~ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
&)`xl Iw} 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
ZC}'! $r7 3） 基板加熱特性
Y_m/? [: 最大设定温度: 350℃
wh4ik`S 1 加热40分钟以内，能到达300℃
x \taG.'zX 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
$:IOoS|e 4） 电子枪/电源(JEOL制)
Ip#BR!$n 电子枪（BS-60050EBS）：
?d@3y<A,~ (10kW，270°偏转)
`-a](0Q U 电压 -4～-10kV(连续可变)
Q72}V9I9 5） 坩埚
$HVus=D" 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
TG4?"0`I5 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
&+ V6mH9m@ 6） 离子源
mS?.xu 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
r eo a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
ffMh2 栅网尺寸：10cm
eeKErpj8A 最大射频功率：600W（13.56MHz）
TZ#( G 束電圧：100V～1500V
nx{_^ sK 最大束電流：500mA
'Cw&9cL9w 离子流密度分布：±10%以内
{O FbU 加速电压：100V～1000V
R^8L^8EL 标准导入气体量：氧气或氩气
(-k`|X" b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Gk~QgD/Pix 最大射频功率：150W（13.56MHz）
@J J,$ ? 最大中和電流：1500mA
Axb,{X[6g 标准导入气体量：氩气
}dnO7K 7） 光学膜厚监控
:cDhqBMNr` 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
,w>WuRN" 波長范围：350～1100nm
+; /]' 波長精度：<±1nm
u,h ,;'J 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
y X%q7ex 波长再现性：±0.25 nm
ODS8bD0!i 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
Rb!|2h) 8） 水晶膜厚监控
&f12Q&jY7 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
B[XVTok 水晶开始频率：6.0MHz
& T7|f !y 频率变化测定分解能：±0.028Hz
<'s_3A C 测定时间间隔：0.25秒
tE&@U$0>o _i@{: v 3. 标准工艺
6T3uv,2 1) ITO
,'=Tf=wq 2)太阳电池减反膜
~W?F. : ?K}.Kb 3)高反膜
D@jG+k-Lm DeqTr: 4)截止滤光片
r HS;wT \}CQo0v 5)UV-IRCUT
:X1~ ^ ]nnvvp f~U~f}Uw4 5．操作手册
_8*}S= 1) 目的
S Vr3OyzI 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
wUU Dq?!k\ 2) 使用范围
2oY.MQD7iW 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
=+I~K'2 3) 注意事项
jg2 UX 1.开机前检查水电气是否正常
(~C_zG 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
&b!L $@6 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
PKDzIA~T 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
Pv mmyF 4) 准备工作
FG-v71!h# 1.基片清洗
, 7` /D 2.补充源材料
z ^e99dz 3.清理真空室
BQ X 6Q< 5) 操作步骤
Yd} Jz 1、开机
XUI9)Ne 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
N)F&c!anh 1.2 打开总电源
pKSn
3-A 1.3 打开UPS电源
,tt
.oF|
1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
|I; tBqN{u 机，进行冷泵再生过程。
k,) xv? 2、放样
<K^{36h 2.1 清理真空室
B 8XW+U 2.2 补充源材料
cr}T ? $\K 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
:5Y
yI.T 2.4 放入样品
7(ni _|$| 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
|rjHH< 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
-4rXOmi A 3、熔源与蒸发镀膜
Qq p_(5S|> 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
x,CTB 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
].=~C"s,a 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
U9?fUS 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
4rcNBmA, 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
wiwAdYEQ\ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
@W4tnM,# 3.6 打开气体流量控制仪
]l T8Z-h@ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
\a_75^2 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
*En29N #a{ 4、取样
W6e,S[J^FY 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
+ ESEAi91 行充气过程
J$aE:g6' 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
>i6sJ)2?> 清理真空室，进入到下一个循环。
GnX+.uQL| 5、关机
E{Kc$,y 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
11'^JmKA 5.2 关闭UPS，总电源
n@TK}?\UoR 5.3 关闭水、气
