1. 背景知识
%GX uuE}mX 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
l`b1%0y 2. 设备能力
Vd%v_Ek OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
I7fb}j`/ F!gNt< fZ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
CGC-"A/W 2） 排气性能
V06CCy8n 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
:xFu_%7 极限真空：低于5.0E-5Pa
yuH Z& e 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
S9 G+#[.| 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
Tm)GC_ 3） 基板加熱特性
GIm
" )}W 最大设定温度: 350℃
(#6AKr9 K 加热40分钟以内，能到达300℃
MzQ\rg_B7 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
22`oFXb' 4） 电子枪/电源(JEOL制)
oZvA~]x9\ 电子枪（BS-60050EBS）：
>ZT& `E (10kW，270°偏转)
9 Uha2 o 电压 -4～-10kV(连续可变)
XXW]0{k:y 5） 坩埚
c,y|c`T 2 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
oW 1"%i% 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
we An &h| 6） 离子源
=)I"wR"v$ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
Kt
W6AZJ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
MpO R G d 栅网尺寸：10cm
1 -ZJT 最大射频功率：600W（13.56MHz）
i:o}!RZ> 束電圧：100V～1500V
Al7<s 最大束電流：500mA
$. % L 离子流密度分布：±10%以内
Ia629gi5s 加速电压：100V～1000V
d^F|lc ]8 标准导入气体量：氧气或氩气
)K~w'TUr b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
HA6G )x 最大射频功率：150W（13.56MHz）
[X,A'Q 最大中和電流：1500mA
^P`NMSw 标准导入气体量：氩气
`SV"ElRV 7） 光学膜厚监控
N&T:Lt_N 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
VFv9Q2/. 波長范围：350～1100nm
ZJ;LD* 波長精度：<±1nm
<i{K7}': 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
}N3V5cab 波长再现性：±0.25 nm
wGvhB%8K 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
2-++i:, g 8） 水晶膜厚监控
`Da+75 f6v 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
lT]=&m> 水晶开始频率：6.0MHz
!(Krf 频率变化测定分解能：±0.028Hz
IU@_)I+6 测定时间间隔：0.25秒
V vu(`9u] Lf. 1>s 3. 标准工艺
n H@(Y&S 1) ITO
>1 @Ltvm 2)太阳电池减反膜
C.~ j'5N x?"#gK`3; 3)高反膜
#EbGL])F} mwh{ "FL( 4)截止滤光片
= SAV| B'-I{~'/ 5)UV-IRCUT
$I@GUtzjp #'@i lk/ . 1,,|MW 5．操作手册
P;vxT}1 1) 目的
V8hO8 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
!}y1CA 2) 使用范围
8eluO ?p 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
B5ea(j 3) 注意事项
a2`%gh W3 1.开机前检查水电气是否正常
B8T\s)fxnX 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
nnwJ YEi 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
/.R<, /gj
4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
!aPD}xCH# 4) 准备工作
>" v9iT 1.基片清洗
S]^`woD 2.补充源材料
}aF 3.清理真空室
$ rUSKm# 5) 操作步骤
]f8L:=c 1、开机
E{4 e<%Y, 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
?]#OM_, 8 1.2 打开总电源
{$d <1y^ 1.3 打开UPS电源
F";.6 %;AC 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
f'X9HU{Cz 机，进行冷泵再生过程。
a 7#J2 r 2、放样
%'b J: 2.1 清理真空室
`&!k !FZY* 2.2 补充源材料
C&+6>L@ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
qmglb:" 2.4 放入样品
0K `[,$Y 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
P(,?#+]- 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
PT'MNH 3、熔源与蒸发镀膜
:@eHX & 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
fE]XWA4U 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
"?3` 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
edipA
P~! 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
D3D}DaEYj 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
k GHQ`h DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
fBhoGA{=g 3.6 打开气体流量控制仪
*$,:m 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
5'KA'>@ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
DY\J[l<< 4、取样
Kcy@$uF{2 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
u0 QzLi, 行充气过程
&c >?~-!W 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
X 6\ sF"E 清理真空室，进入到下一个循环。
-C-yQ.>\T# 5、关机
:Y P # 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
"ZrOrdlg+A 5.2 关闭UPS，总电源
EON:B>2a 5.3 关闭水、气
