1. 背景知识
+PfXc?VU 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
OqNt Tk+ 2. 设备能力
|y}iOI OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
8n`O{8:fi O>)Fl42IeD 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
ehe; <A 2） 排气性能
o1B8_$aYgc 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
` 0}z
;&: 极限真空：低于5.0E-5Pa
C!%\cy%Xj 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
Q`* v|Lp 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
b!hs|emo; 3） 基板加熱特性
R3,O;9i 最大设定温度: 350℃
AIK99 加热40分钟以内，能到达300℃
jXu)%< 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Fu;\t 0 4） 电子枪/电源(JEOL制)
%h M8px4d 电子枪（BS-60050EBS）：
@ UgZZ (10kW，270°偏转)
G+dQ" cI9 电压 -4～-10kV(连续可变)
34e > R?J 5） 坩埚
I(2qXOG 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
'L1=:g.\i 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
}>T$2"pf 6） 离子源
07FS|>DM'Z 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
EJ&aT etQ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
Utv#E.VI 栅网尺寸：10cm
7%x
3o#& 最大射频功率：600W（13.56MHz）
0[SJ7k19 束電圧：100V～1500V
C[0*> W8o 最大束電流：500mA
v vvH5NRm 离子流密度分布：±10%以内
{ t1|6R0 加速电压：100V～1000V
5OS|Vp||b 标准导入气体量：氧气或氩气
vSf ?o\O b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
#x^dR-@ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
,-[ e{=Cz 最大中和電流：1500mA
U|2*.''+Q 标准导入气体量：氩气
S, g /2k* 7） 光学膜厚监控
h'D-e5i 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
iT;~0XU7F 波長范围：350～1100nm
WBIJ9e2~ 波長精度：<±1nm
:
U:>X6f 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
1>wQ&{ 波长再现性：±0.25 nm
gs?=yNL 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
P}dhpU 8） 水晶膜厚监控
Uw:gJ 9 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
BEfp3|Stb 水晶开始频率：6.0MHz
V_.n G; 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Ta 0Ln 测定时间间隔：0.25秒
Gs7#W :e7 {TV6eV 3. 标准工艺
?oKY"C8/ 1) ITO
[
S_8;j 2)太阳电池减反膜
p l.D
h n@"h^- 3)高反膜
E,fG<X{ $& >z`bAS> 4)截止滤光片
kCoTz"Z- H|]~(.w 1} 5)UV-IRCUT
0
jszZ_ `VB]4i}u p~h)@ 5．操作手册
afJ`1l 1) 目的
iCK p"(kf 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
Ry+Ax4#+(y 2) 使用范围
NE'4atQ| 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
e,0y+~ 3) 注意事项
equ TKM 1.开机前检查水电气是否正常
n,.ZLuBEX 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
:^Ouv1!e1 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
S9'8rn!_ 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
B
>
sTM 4) 准备工作
k&kx%skz 1.基片清洗
nKP[U=ac 2.补充源材料
q_sQC5:s 3.清理真空室
HS % P 5) 操作步骤
G{8 > 1、开机
P<1ZpL 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
:gvw5h% 1.2 打开总电源
y_mD9bgW 1.3 打开UPS电源
[`u3SN/P 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
qxR7;/@j ) 机，进行冷泵再生过程。
p%_m!
2、放样
g 'F{;Ur 2.1 清理真空室
W%)uKQha 2.2 补充源材料
%^r}$mfy:0 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
G31??L:< 2.4 放入样品
aeP
6JHj 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
X9d~r_2&m< 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
I`O)I&K H 3、熔源与蒸发镀膜
+Je(]b @ 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
cc"L> XoK 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
pu"`*N L 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
?\eq!bu 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
w=r3QKm#K 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
AhjUFz DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
h kh b8zS 3.6 打开气体流量控制仪
BgzER[g|q{ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
iyRB} [y 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
8\85Wk{b 4、取样
?Cu1"bl 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
7Z(F-B
+j 行充气过程
bg8<}~zg 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
3e<FlH{ 清理真空室，进入到下一个循环。
L;n2, b 5、关机
NVTNjDF%s 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
z&"-%l.b@} 5.2 关闭UPS，总电源
P [.B K 5.3 关闭水、气
