1. 背景知识
Q |o$ ^D, 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
87! jn'A 2. 设备能力
p} pRf@(`\ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
'm*W< *R S/ `a;, 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
bxh-#x
& 2） 排气性能
M4)U
[v 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
c9 Et Uv~ 极限真空：低于5.0E-5Pa
PR|z -T 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
>C _G~R 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
^9,^ BHlC0 3） 基板加熱特性
@* vVc`; 最大设定温度: 350℃
!~C%0{9+u@ 加热40分钟以内，能到达300℃
* bp09XG 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
& '^.>TJ\ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
%(
7##f_ 电子枪（BS-60050EBS）：
[#Apd1S_ (10kW，270°偏转)
vai w*?jV 电压 -4～-10kV(连续可变)
B \R X 5） 坩埚
>6 Uc|D 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
/Yi4j,8!| 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
mTu>S 6） 离子源
i; {lY1 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
0e0)1;t\ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
:8O T 栅网尺寸：10cm
MkMDI)Y| 最大射频功率：600W（13.56MHz）
%]7 6u7b/ 束電圧：100V～1500V
toGd;2rl 最大束電流：500mA
2R,}
j@ 离子流密度分布：±10%以内
f$:Y'$Z1 加速电压：100V～1000V
Y)/|C7~W 标准导入气体量：氧气或氩气
X>`03?L b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
`Ns@W? 最大射频功率：150W（13.56MHz）
b%MZfaU 最大中和電流：1500mA
*y?6m,38V 标准导入气体量：氩气
RdD>&D$I 7） 光学膜厚监控
?`e@ o? 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
!D['}% 波長范围：350～1100nm
s.7=!JQ#]p 波長精度：<±1nm
%C`P7&8m=O 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
C[%Qg=< 波长再现性：±0.25 nm
:y7K3:d3 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
[c=P)t7
V 8） 水晶膜厚监控
,u>LAo0 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
mWZP.w^- 水晶开始频率：6.0MHz
*7H
*epUa 频率变化测定分解能：±0.028Hz
$=d iG 测定时间间隔：0.25秒
P^"RH&Z QJ ZMlBd}H 3. 标准工艺
v|~=rvXFC 1) ITO
@.E9 ml 2)太阳电池减反膜
'6vo#D9M `w#VYs|k 3)高反膜
b||usv[or BA1H)% 4)截止滤光片
fx+_;y &c!6e<o[p 5)UV-IRCUT
94&t0j _ y}oA!<#3 /7"V~c6 5．操作手册
b?OA |JqX 1) 目的
az![u) 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
^G`6Zg ;
2) 使用范围
]@Y!,bw& 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
YK{J"Kof 3) 注意事项
s9 "X.-! 1.开机前检查水电气是否正常
}Fu1Y@M% 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
R.WB.FP 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
}0\SNpVN 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
Kkovp^G 4) 准备工作
'z,kxra|n 1.基片清洗
bL* b>R[x 2.补充源材料
-4+'(3qr 3.清理真空室
QAx 9W% 5) 操作步骤
:k ?`g m$ 1、开机
75p9_)>96 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
sXEIC #rq 1.2 打开总电源
Q e+;BE-H 1.3 打开UPS电源
2;T?ry7 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
'lE{Nj *7 机，进行冷泵再生过程。
I~F&@ 2、放样
bC+Z R{M 2.1 清理真空室
C zw ]5 2.2 补充源材料
zqt<[=O 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
j;uUM6 2.4 放入样品
;taZixOH 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Z< >gx m< 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
j?*n@' 3、熔源与蒸发镀膜
M887 Q'HSi 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
| sr\SCx 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
USEmD5 q 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
wN'S+4 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
N LpKh1g 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
H0i nU+Ih DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
pD[&,gV$ 3.6 打开气体流量控制仪
6R^F^<< 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
eCKm4l'BZ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
*A!M0TK?i, 4、取样
Gi-pi=#&cs 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
M :OZWYQ 行充气过程
@ F(er 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
gQik>gFr 清理真空室，进入到下一个循环。
t)8c rX}P 5、关机
vcy1itY 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
KL?<lp " 5.2 关闭UPS，总电源
i#YDdz 5.3 关闭水、气
