1. 背景知识
ha! "BR 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
m@u`$rOh 2. 设备能力
i%4 k5[f.: OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
arKmc@"X ~9{;V KgK 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
So.P @CCd 2） 排气性能
=Fy8rTdk6r 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
~"2@A
F 极限真空：低于5.0E-5Pa
!o': \hex6 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
zn1Rou] 6 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
vcO`j<` 3） 基板加熱特性
@[lc0_ b 最大设定温度: 350℃
]NV ]@*`tO 加热40分钟以内，能到达300℃
+JS/Z5dl+} 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
xcvr D 4） 电子枪/电源(JEOL制)
lV6[d8P 电子枪（BS-60050EBS）：
\nAHpF (10kW，270°偏转)
&MZy;Sq 电压 -4～-10kV(连续可变)
'Sy *'& 5） 坩埚
SuH.lCF-g 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
Wo+CQH6( 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
2qMsa>~ 6） 离子源
33'lZ ubV 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
UW[{d/.wC a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
D *I;|.=u 栅网尺寸：10cm
T)
tZU? 最大射频功率：600W（13.56MHz）
Df:7P> 束電圧：100V～1500V
56SS
>b 最大束電流：500mA
# 3 yw
离子流密度分布：±10%以内
Vy^yV|`v 加速电压：100V～1000V
L\wpS1L( 标准导入气体量：氧气或氩气
oX lxPN3 9 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
J2<
QAX 最大射频功率：150W（13.56MHz）
L@n6N|[_ 最大中和電流：1500mA
h<' 5q&y 标准导入气体量：氩气
.A7tq 7） 光学膜厚监控
27E9N O = 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
t_>bTcsU 波長范围：350～1100nm
sC5uA
.?>9 波長精度：<±1nm
-N7L #a 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
+ iH30v 波长再现性：±0.25 nm
[}ZPg3Y 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
w-H%B`/ 8） 水晶膜厚监控
rH&r6X v[ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
K+@eH#Cv,( 水晶开始频率：6.0MHz
Ep\ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
`,Y[ Z 测定时间间隔：0.25秒
u2-@?yt e4=FU&RpNH 3. 标准工艺
IFrb}yH 1) ITO
Fb|e]?w 2)太阳电池减反膜
Z#F,y )YiO 33<fN:J]f 3)高反膜
_@/C~ En,)} yI 4)截止滤光片
q]N?@l] +eBMn(7Cgv 5)UV-IRCUT
kUg+I_j6* HLSfoQ&)v 6/mkJj+" 5．操作手册
@UpC{M--Wr 1) 目的
C](z#c~c 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
xdL/0 N3 2) 使用范围
\U!@OX.R'M 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
F8[B^alAe 3) 注意事项
"s>fV9YyZ 1.开机前检查水电气是否正常
)ew[ Ak| 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
C,{F0-D 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Cgz&@@j,] 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
&gA6+b' 4) 准备工作
.lvI8Jf~X 1.基片清洗
[Y2 2Wi 2.补充源材料
\7,MZt 3.清理真空室
/i{tS`[F2a 5) 操作步骤
i5
L:L 1、开机
H ~[LJ5x 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
aJ6#=G61l 1.2 打开总电源
dNUR)X#e 1.3 打开UPS电源
>P \h,1 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
7`b lGzP_ 机，进行冷泵再生过程。
Q(I JD4 2、放样
~*7 O(8 2.1 清理真空室
=de<WoKnu2 2.2 补充源材料
I(OAEIz 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
8"km_[JE e 2.4 放入样品
(ve+,H6w\ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
y Y>-MoF/t 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
83KfM!w 3、熔源与蒸发镀膜
a [1sA12 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
]{IR&{EI- 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
~LawF_]6 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
}rz dm9 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
p-5P as 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
`E 3:;| DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
X0y?<G1( a 3.6 打开气体流量控制仪
(O8,zqP9l 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
${hy Nt 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
VLcyPM@"Q! 4、取样
4 ,p#:! 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
DeOXM=&z 行充气过程
Ro'jM0(KE 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
5%<TF .;-J 清理真空室，进入到下一个循环。
koOy Z> 5、关机
r0F_; 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
XVQL. A7 5.2 关闭UPS，总电源
O.*jR`l 5.3 关闭水、气
