1. 背景知识
v/+}FS = 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
LP6FSo~K 2. 设备能力
5@A=,
GPUn OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
xt0j9{ p %FFm[[nxI 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
gH55c aF< 2） 排气性能
;C3?Ic 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
`+;oo B 极限真空：低于5.0E-5Pa
rAw1g,& 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
^J~4~! 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
w} q@VVB% 3） 基板加熱特性
U`_vF~el~ 最大设定温度: 350℃
ER0#$yFpM 加热40分钟以内，能到达300℃
Wc>)/y5$ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
mg /kyua^ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
.ehvhMuG| 电子枪（BS-60050EBS）：
= >%%]0 (10kW，270°偏转)
cP=mJ1 电压 -4～-10kV(连续可变)
ioCkPj 5） 坩埚
CyDf[C)= 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
8'Bl=C|0X 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
lj*913aFh 6） 离子源
:I(gz~u6 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
Nb^:_0&H@ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
dk`!UtNNRa 栅网尺寸：10cm
(w
B[ ]O$@ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
#%tL8/K* 束電圧：100V～1500V
[4rMUS7-m" 最大束電流：500mA
&'\+Z 离子流密度分布：±10%以内
b/Q"j3 加速电压：100V～1000V
/O9EI'40) 标准导入气体量：氧气或氩气
!sQ8,l0h b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
ua-|4@YO 最大射频功率：150W（13.56MHz）
>g0@ Bk 最大中和電流：1500mA
n(S-F g 标准导入气体量：氩气
$KHD S:& 7） 光学膜厚监控
Vho0f< `E 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
v("vUqhx2+ 波長范围：350～1100nm
G{=$/&St 波長精度：<±1nm
q#-H+7 5 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
6WM_V9Tidq 波长再现性：±0.25 nm
:#jv4N 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
wGX"R 5 8） 水晶膜厚监控
e 91d~ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
o e"ShhT 水晶开始频率：6.0MHz
gRI|rDC)B 频率变化测定分解能：±0.028Hz
P32'`!/: 测定时间间隔：0.25秒
gg_(%.> --)[>6)I 3. 标准工艺
Y2&6x Th 1) ITO
V@-GQP1 2)太阳电池减反膜
&r! >2$B\ )!72^rl 3)高反膜
kcUt!PL b"bj|qF~E 4)截止滤光片
XX6)( OAOmd
4 5)UV-IRCUT
H`@7o8oj1 $, 42h t]%R4ymV 5．操作手册
J<@ ]7)|U 1) 目的
-;z\BW5 y 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
ohk =7d.' 2) 使用范围
n//a;m 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
C ( ;7*] 3) 注意事项
^KR(p!% 1.开机前检查水电气是否正常
xG L"N1 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
kk#d-!
$[ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
bNgcZ
V. 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
b1!%xdy_T 4) 准备工作
!/j|\_O 1.基片清洗
2e YkWHi 2.补充源材料
]F! h~> 3.清理真空室
?GZs5CnS 5) 操作步骤
$hh=-#J8 1、开机
2& #iHv 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
g' E^@1{ 1.2 打开总电源
9 x<
8(]\ 1.3 打开UPS电源
uESHTX/[ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
2c]O Mtk 机，进行冷泵再生过程。
P nvLXE}F 2、放样
K)ib{V( 50 2.1 清理真空室
7lu ;lAAP 2.2 补充源材料
u}_q'=<\ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
a 8TE 2.4 放入样品
[MG:Ym).2` 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
u5[Wr : 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
/qG?( 3 3、熔源与蒸发镀膜
F{H y@7 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
9'M({/7y 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
3:S "!F 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
[ ]NAV 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
"`zw( 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
$MHc4FE[ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
lM]7 @A 3.6 打开气体流量控制仪
ga1RMRu+ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
seim?LK 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
k9
E ?5 4、取样
/hHD\+ 0({ 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
U F4QPPH4 行充气过程
xgVt0=q 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
z`CI gSR 清理真空室，进入到下一个循环。
'1aOdEZA* 5、关机
?(N(8)G1 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
^ z1WPI 5.2 关闭UPS，总电源
m6}"g[nN 5.3 关闭水、气
