1. 背景知识
R
LD`O9#j 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
m^qBx A 2. 设备能力
_o8 ?E&d OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
R4-~j gzx -IV]U*4 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
7B?c{ 2） 排气性能
%iw3oh&Fkm 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
$q 2D+_ 极限真空：低于5.0E-5Pa
iTaWu p 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
=G]@+e 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
jm eRrnC} 3） 基板加熱特性
RD.V'`n" 最大设定温度: 350℃
c/ uNM 加热40分钟以内，能到达300℃
,cq F3 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
/7
Cn(s5 o 4） 电子枪/电源(JEOL制)
!^ _ "~ 电子枪（BS-60050EBS）：
i7ly[6{^pr (10kW，270°偏转)
N?.%?0l 电压 -4～-10kV(连续可变)
$kQ~d8 O 5） 坩埚
{^N[("` 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
)RcL/n 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
&ot/nQ Q 6） 离子源
LCQE_}Mh 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
3'X.}>o a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
W | o '& 栅网尺寸：10cm
\J6j38D5 最大射频功率：600W（13.56MHz）
D|.ic!w' 束電圧：100V～1500V
9HX =T% 最大束電流：500mA
(IPY^>h 离子流密度分布：±10%以内
h ?pkE 加速电压：100V～1000V
BGfzslK 标准导入气体量：氧气或氩气
qcT'nZ:
b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
,\@O(;
mF 最大射频功率：150W（13.56MHz）
FKmFo^^0 最大中和電流：1500mA
b Ax?&$ 标准导入气体量：氩气
8}(]]ayl 7） 光学膜厚监控
% $DI^yS 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
GDuM Y\1 波長范围：350～1100nm
&
j+oJasI 波長精度：<±1nm
|p -t%xDdr 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
n\Lb.}]1~ 波长再现性：±0.25 nm
=xS+5( 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
Rx+p. 8） 水晶膜厚监控
ERN>don2 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
+k>.Q0n%m 水晶开始频率：6.0MHz
;{ [.Zu 频率变化测定分解能：±0.028Hz
p*P)KP 测定时间间隔：0.25秒
3=L.uXVb Ggb5K8D* 3. 标准工艺
"V}[':fen 1) ITO
71{p+3Z& 2)太阳电池减反膜
2j&A iD
l(#)WWr+ 3)高反膜
=3v ]gOcO y(xJT j 4)截止滤光片
Tq4- wE+ @qHNE,K 5)UV-IRCUT
@n": w2^B s
S7c! 0MdDXG-7 5．操作手册
'Un " rts 1) 目的
e ET}r 24 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
BG u?<bET 2) 使用范围
icgSe:Ci 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
XSZ k%_ 3) 注意事项
bv*,#Qm 1.开机前检查水电气是否正常
yiA<,!;4P 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
z'EajBB\f 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
,YMp<C 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
eh5gjSqx 4) 准备工作
*v3]}g[< 1.基片清洗
s]JF 0584 2.补充源材料
qC?:*CXH 3.清理真空室
~7Tc$
"I 5) 操作步骤
= MOj|NR [ 1、开机
,9o"43D:a| 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
smDw<slC 1.2 打开总电源
>lIk9| 1.3 打开UPS电源
}7.PH' .8 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
7?%k7f 机，进行冷泵再生过程。
}x
wu*Zx 2、放样
#gcF"L| | 2.1 清理真空室
mFZ?hOyP. 2.2 补充源材料
<z!CDg4 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
%$Aq le[ 2.4 放入样品
_n` a`2C|m 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
byfJy^8G 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
<N9[?g) 3、熔源与蒸发镀膜
7[}x P#Z 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
Os1>kwC 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
BFOq8}fX2 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
!f+H,]D" 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
G JqJlgHe 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
jWE :ek* DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
}dd8N5b 3.6 打开气体流量控制仪
ZXuv CI 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
c. 2).Jt, 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
TBT:/ Vfun 4、取样
9
o &`5 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
9c6gkt9eB 行充气过程
2mGaD \?K 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
jyZWV L:_ 清理真空室，进入到下一个循环。
]&pds\ 5、关机
sU{NHC)5 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
wLOB}ZMT 5.2 关闭UPS，总电源
sH[ROm 5.3 关闭水、气
