1. 背景知识
m]/s R3yF 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
MO_;8v~0 2. 设备能力
S0tPnwco[~ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
D@yu2}F{IY }&LL o 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
Kl w9 2） 排气性能
u-HBmL 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
N@\`D O 极限真空：低于5.0E-5Pa
1I W P~G 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
$ cYKVhf 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
?Z"<&tsZ 3） 基板加熱特性
<xr\1VjA 最大设定温度: 350℃
/xkF9 加热40分钟以内，能到达300℃
&#<>fT_ 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
B^"1V{M 4） 电子枪/电源(JEOL制)
U
)J/so ) 电子枪（BS-60050EBS）：
NSQ#\:3:S (10kW，270°偏转)
KNqs=:i 电压 -4～-10kV(连续可变)
d 8M8O3 5） 坩埚
X5c)T}pyv 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
<{1=4P A 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
nSB@xP#& 6） 离子源
Vi<F@ji 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
M]A!jW tE a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
i"
>kF@]c8 栅网尺寸：10cm
ZG Qz@H5 最大射频功率：600W（13.56MHz）
H]Vo XJ\* 束電圧：100V～1500V
GaLQ/V2R 最大束電流：500mA
!s(s^ 离子流密度分布：±10%以内
d2O x:| <) 加速电压：100V～1000V
lAo S 9w 标准导入气体量：氧气或氩气
9u] "($ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
/@+[D{_F w 最大射频功率：150W（13.56MHz）
qBqh>Wo 最大中和電流：1500mA
fb D 标准导入气体量：氩气
)je d@? 7） 光学膜厚监控
z-?WU 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
Ys@G0}\3G 波長范围：350～1100nm
x 4;ndck%U 波長精度：<±1nm
UGK,+FN 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
E{}Vi>@V? 波长再现性：±0.25 nm
D:Fi/JY~ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
8d8GYTl b) 8） 水晶膜厚监控
R![4|FR 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
)G@/E^ySM 水晶开始频率：6.0MHz
L<_zQ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Vv3:x1S 测定时间间隔：0.25秒
d^^EfWU 0M 5m8 3. 标准工艺
fkJE lO-F 1) ITO
4?.L+wL 2)太阳电池减反膜
i[m-&
>IE`, fe 3)高反膜
8&UwnEk< }<g- 0&GLm 4)截止滤光片
!MQVtn^C# *e
*V%w~75 5)UV-IRCUT
)9z3T>QW pX]"^f1?O ;B6m;[M+ 5．操作手册
(v1~p3H 1) 目的
j2Uu8.8d 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
S)vNWBO 2) 使用范围
IHvrx:7 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
= `oGH 3) 注意事项
S F&EVRv 1.开机前检查水电气是否正常
-VkPy<) 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
B dKD%CJ[ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
pDM95.6 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
rxQ&N[r2 4) 准备工作
R>dd#`r" 1.基片清洗
`u#N 2.补充源材料
o 6A1;e 3.清理真空室
dI)
9@UL 5) 操作步骤
jRNDi_u?Wb 1、开机
&@/25Y2 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
y sFp` 1.2 打开总电源
p5 JRG2zt 1.3 打开UPS电源
E% d3}@ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
GLr7sack 机，进行冷泵再生过程。
8N9X1Mb | 2、放样
d .t$V RO 2.1 清理真空室
j /uu&\e 2.2 补充源材料
o2W^!#]= 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
22FHD4 2.4 放入样品
G'f5MP 1 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
0t(js_ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
[LDY;k~5+ 3、熔源与蒸发镀膜
^Rc*X'Iz(! 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
p-JGDjR0G 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
$#/f+kble 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
L{Kl! 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
B`wrr8"Rz 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
yNOoAnGT W DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
c[X:vDUX 3.6 打开气体流量控制仪
6gTc)rhRT 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
55Ag<\7 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
'o%6TWl9s 4、取样
pgEDh^[MW 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
MeW?z|x`' 行充气过程
Am"e% |: 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
-)Of\4kx 清理真空室，进入到下一个循环。
@ ~8* 5、关机
5`p>BJ+ n 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
,WtJ&S7? 5.2 关闭UPS，总电源
Z,7VOf6g 5.3 关闭水、气
