1. 背景知识
Hzcy ' 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
&=Gz[1
L 2. 设备能力
#v0"hFOH, OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
CC0@RU `MA ee8u' 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
y>Zvos e 2） 排气性能
s :'M[xI 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
vIF=kKl9, 极限真空：低于5.0E-5Pa
HJhPd#xCW 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
QM\v ruTB 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
9f+|m9~2 3） 基板加熱特性
3FT%.dV^ 最大设定温度: 350℃
]( V+ qj 加热40分钟以内，能到达300℃
}S<2({GI 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
M $ DJ$G|Z 4） 电子枪/电源(JEOL制)
C)~YWx@v 电子枪（BS-60050EBS）：
Fq! 12/Nn (10kW，270°偏转)
(# Z2 电压 -4～-10kV(连续可变)
J~eY,n.6] 5） 坩埚
$/90('D 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
+-&N<U 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
c9-$t d& 6） 离子源
)SQ*"X4" 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
n F~</> a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
A ${b] 栅网尺寸：10cm
;
Xrx>( n 最大射频功率：600W（13.56MHz）
|7,|-s[R^ 束電圧：100V～1500V
3v)v92; 最大束電流：500mA
] as_7 离子流密度分布：±10%以内
Pk9s~}X 加速电压：100V～1000V
1|bu 0d\] 标准导入气体量：氧气或氩气
-fw0bL%0 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
&dF$:$'s 最大射频功率：150W（13.56MHz）
;F9<Yv 最大中和電流：1500mA
2
*IF 标准导入气体量：氩气
Q];gC{I 7） 光学膜厚监控
Z)EmX= 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
hYMIe]kJ 波長范围：350～1100nm
RmxgCe(2a 波長精度：<±1nm
2ME"=! &5 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
C` +g:qT 波长再现性：±0.25 nm
| !{Q4< 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
}c1Vu 8） 水晶膜厚监控
,oX48Wg_+ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
_5%SYxF*y 水晶开始频率：6.0MHz
_/ bF t6 频率变化测定分解能：±0.028Hz
JW9^C 测定时间间隔：0.25秒
5QB] 2c^ yaD<jc(O 3. 标准工艺
tt%Zwf 1) ITO
TU$PAwn= 2)太阳电池减反膜
c[E{9wp v _=E))Kp{z 3)高反膜
{k] 2h4 &h 35 z]pn%L 4)截止滤光片
(rO_ Vfaa pg~vteq5 5)UV-IRCUT
P7QO lTQI <h|XB}s+ H `y.jSNi 5．操作手册
geU-T\1[l 1) 目的
<GPL8 D 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
_H}y7 2) 使用范围
|0FRK D ] 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
w{k8Y? 3) 注意事项
^@ s!"c 1.开机前检查水电气是否正常
\eF5* {9 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
B+S
& vV 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
44FK%TmtF 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
( 1H_ V( 4) 准备工作
2A|^6#XN' 1.基片清洗
[:sP Z{ 2.补充源材料
p 7IJ3YY 3.清理真空室
~ K% ]9
5) 操作步骤
XRXKO>4q 1、开机
[0.>:wT 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
uXq?Z@af|f 1.2 打开总电源
h
Vz%{R" 1.3 打开UPS电源
-v?,{?$0 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
6-va;G9Fc 机，进行冷泵再生过程。
/]%,C 2、放样
mNN,}nHu 2.1 清理真空室
#3u3WTk+ 2.2 补充源材料
G~_5E]8 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
@_ ^QB w0 2.4 放入样品
z"o;|T : 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
W=M&U 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
vLR)B@O,2 3、熔源与蒸发镀膜
y@]4xLB] 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
wpu]{~Y 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
C0/s/p' 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
1 Uz'= a 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
SdC505m 0* 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
N%;Q[*d@/ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
* 2[&26D 3.6 打开气体流量控制仪
xou 7j
3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
@iB**zR/ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
G?\o_)IJ 4、取样
% \N.m/5 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
U y ^Hh4| 行充气过程
K4SR` Q 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
/eDah3%d 清理真空室，进入到下一个循环。
JfKhYRl 5、关机
: i0xer 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
WhE5u&` 5.2 关闭UPS，总电源
qMYR\4"$ 5.3 关闭水、气
