1. 背景知识
r59BBW)M 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
N-Sjd%Z 2. 设备能力
PkDh[i9Z| OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
3x
E^EXV ??g
=
`yH 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
":01M},RA 2） 排气性能
;)!);q+ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
-W)8Z. 极限真空：低于5.0E-5Pa
Zr Dr/Q~ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
kC0^2./p 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
^xF-IA#ZeB 3） 基板加熱特性
e u?DSad 最大设定温度: 350℃
;C+
_K S 加热40分钟以内，能到达300℃
v c b}Gk 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
jG OE
CKP 4） 电子枪/电源(JEOL制)
\Oa11c`6 电子枪（BS-60050EBS）：
M[Mx
g
(10kW，270°偏转)
VJ|8 0?4h 电压 -4～-10kV(连续可变)
>Gr,! yP 5） 坩埚
ag"Nf-o/Y 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
sm;\;MP*yH 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
-|/*S]6kK 6） 离子源
m~vEan dm 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
4d
$T6b a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
M K, $# 栅网尺寸：10cm
jg=}l1M" 最大射频功率：600W（13.56MHz）
_t\)W(E& 束電圧：100V～1500V
5@{~8 30 最大束電流：500mA
(Z at|R.F 离子流密度分布：±10%以内
* vIC9./ 加速电压：100V～1000V
O}q(2[*i 标准导入气体量：氧气或氩气
>twog}% b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
"o$)z'q 最大射频功率：150W（13.56MHz）
B3V+/o6 最大中和電流：1500mA
bODyJ7=[ 标准导入气体量：氩气
~DUOL ~E 7） 光学膜厚监控
{$) pkhJ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
O ftjm
X_ 波長范围：350～1100nm
]YwvwmZ 波長精度：<±1nm
)r:gDd#/X 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
'Rw*WK 波长再现性：±0.25 nm
<+e&E9;>6 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
1Et{lrgh
f 8） 水晶膜厚监控
u#v];6N 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
q%8Ck)xz 水晶开始频率：6.0MHz
# l-/!j 频率变化测定分解能：±0.028Hz
17B` 测定时间间隔：0.25秒
;2 iDa <'z.3@D 3. 标准工艺
>Mk#19j[/ 1) ITO
-bQi4 2)太阳电池减反膜
uZ(,7 >0 (t2vt[A6ph 3)高反膜
TvwkeOS#}7 A,! YXl [ 4)截止滤光片
6eAJ >9@x R'p-
4 5)UV-IRCUT
#F6!x3 Z ]ag^~8bG
@ m[6c{$A/w 5．操作手册
='\E+*[$I 1) 目的
@y{
f>nm 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
\-R\xL 2) 使用范围
WO"<s{v 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
cg' z:_l 3) 注意事项
Tlz~o[`& 1.开机前检查水电气是否正常
pJ H@v
&a 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
1c}LX.9 K 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
tz`T#9 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
;@G5s+<l 4) 准备工作
}tUr
V 1.基片清洗
Dh B*k<S 2.补充源材料
k2Z MDU 3.清理真空室
,kw:g&A 5) 操作步骤
@w@ `-1 1、开机
@[w.!GW% 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
rZ^VKO`~I1 1.2 打开总电源
_$BH.I 1.3 打开UPS电源
U~YjTjbd 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
4+4C0/$Y 机，进行冷泵再生过程。
qBXI R } 2、放样
W,sPg\G 3 2.1 清理真空室
I vD M2q8f 2.2 补充源材料
3[}w#n1 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
6e Hw\$/ 2.4 放入样品
E8PlGQ~z{d 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
A!fRpN 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
)5U2-g#U 3、熔源与蒸发镀膜
so@wUxF 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
-JfO} DRI 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
!t+eJj 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
E _j=v
\ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
!D Nk!]| 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
&xMQ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
K:8.
Dvn 3.6 打开气体流量控制仪
vC ISd
3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
<-Q0s%mNj, 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
U A}N 4、取样
EK<ly"S. 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
37nGFH`K2m 行充气过程
w]= c^@t _ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
hxx` f-# = 清理真空室，进入到下一个循环。
A <<Bm M.% 5、关机
[-'LJG Wb< 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
(GXFPEH8 5.2 关闭UPS，总电源
+a!uS0fIJi 5.3 关闭水、气
