1. 背景知识
i4',d# 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
?1+JBl~/d 2. 设备能力
XN*?<s3 OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
# u<^ f R:BF47 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
eM3-S=R?<g 2） 排气性能
88K=jo))b 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
\wyn 极限真空：低于5.0E-5Pa
]8 Eci^i 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
^oL43#Nlo 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
gM0^k6bB8 3） 基板加熱特性
7W{xK'|] 最大设定温度: 350℃
tA*hh"9 加热40分钟以内，能到达300℃
XAn{xN pz 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
lur$?_gt 4） 电子枪/电源(JEOL制)
,-4SVj8$P 电子枪（BS-60050EBS）：
nBVR)|+M (10kW，270°偏转)
D8w:c6b 电压 -4～-10kV(连续可变)
& o2F 4 5） 坩埚
F5*NK!U 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
UG]]Vk1d] 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
yB>5p]$P 6） 离子源
{*X8!P7C 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
u:6PAVW? a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
QG|KZ 8uO 栅网尺寸：10cm
13:yaRo 最大射频功率：600W（13.56MHz）
)ZyEn% 束電圧：100V～1500V
h{$mL#J 最大束電流：500mA
=LFrV9 离子流密度分布：±10%以内
e:h(, 加速电压：100V～1000V
I6k S1 标准导入气体量：氧气或氩气
'1$#onx b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
-<R" 最大射频功率：150W（13.56MHz）
j K!Y- 最大中和電流：1500mA
c `hj^t 标准导入气体量：氩气
r35'U#VMk? 7） 光学膜厚监控
nE~HcxE/ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
kLr6j-X 波長范围：350～1100nm
7]i=eD8 波長精度：<±1nm
_cWz9 ; 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
F MuakCic5 波长再现性：±0.25 nm
x6d0yJ < 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
S$=e %c 8） 水晶膜厚监控
x[ sSM: 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
M~6x&|2 水晶开始频率：6.0MHz
%LL*V| 频率变化测定分解能：±0.028Hz
m((A 测定时间间隔：0.25秒
SM<kR1bo ndsu}:my 3. 标准工艺
rvdhfM!-A 1) ITO
k:+Bex$g 2)太阳电池减反膜
C*S% aR Ws+Zmpk% 3)高反膜
K*ZH<@o4 BUuU#e5 4)截止滤光片
w&M)ws;$ W WO@UL GY 5)UV-IRCUT
;+) M~2 = ,P?R
3 -:5]*zVp+- 5．操作手册
p6VHa$[ 1) 目的
!' -|]xx( 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
&H Pzm6.3 2) 使用范围
m4U7{sE 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
dIOj]5H3F 3) 注意事项
>=|;2*9v 1.开机前检查水电气是否正常
UF
g N@ 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
m&'z|eN 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Qx_K ) 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
?~mw 4) 准备工作
~)RKpRga\p 1.基片清洗
t`"]"Re 2.补充源材料
<lx~/3<m 3.清理真空室
\"E-z.wW= 5) 操作步骤
M5SAlj 1、开机
IX|2yu4 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
oNgu- & 1.2 打开总电源
HxC_n h 1.3 打开UPS电源
2Z ?
N 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
VTDp9s 机，进行冷泵再生过程。
)N) "O? W9 2、放样
e[3 rz%'Q 2.1 清理真空室
nFVQOr; 2.2 补充源材料
Iw ? M>'l 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
++s=$D 2.4 放入样品
#>SvYP 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
o'W[v0>
L- 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
Q7ez?]j 6 3、熔源与蒸发镀膜
'xO^2m+N; 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
=uZOpeviQ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
qR
W WG& 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
D@Zb|EI%< 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
%N "9'g> 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
#+1*g4m~B DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
va(ZGGS]N 3.6 打开气体流量控制仪
Ha~g8R& 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
]}g ;q*!J 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
(_}w4N# 4、取样
'`$US;5 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
Y )x(+# 行充气过程
mUj=NRq 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Z aCUc Px 清理真空室，进入到下一个循环。
+^ St"GWY 5、关机
^-CQ9r* 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
))M; .b.D 5.2 关闭UPS，总电源
^9})@,(D 5.3 关闭水、气
