1. 背景知识
.d I".L 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
,.Lwtp,n 2. 设备能力
't 6l@ _x OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
+-C.E [;H-HpBaa 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
x
]" > 2） 排气性能
'i',M+0>jC 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
!0d Qfj^_ 极限真空：低于5.0E-5Pa
}ZK%@b> 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
Bv<aB(c 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
tk]D)+{u&c 3） 基板加熱特性
& .0A% 最大设定温度: 350℃
,Qx]_gZ` 加热40分钟以内，能到达300℃
; [G: 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
-L +kt_> 4） 电子枪/电源(JEOL制)
7 Xx3s@ 电子枪（BS-60050EBS）：
f0vO(@I (10kW，270°偏转)
>"8;8Ev 电压 -4～-10kV(连续可变)
3~{I/ft 5） 坩埚
}4N'as/ZO 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
To}eJ$8*5 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
Mgr?D 6） 离子源
6R,Y.srR 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
M!+J[ q a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
" i:[|7 栅网尺寸：10cm
6se8`[ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
1Y87_o'd 束電圧：100V～1500V
Q7rBc
wm5 最大束電流：500mA
2TU V9Z 离子流密度分布：±10%以内
U$m DAi$ 加速电压：100V～1000V
)by7 [I0v 标准导入气体量：氧气或氩气
7mq&]4-G b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
o2X95 NiH 最大射频功率：150W（13.56MHz）
c ef[T(> 最大中和電流：1500mA
_aR{B-E 标准导入气体量：氩气
0KnL{Cj 7） 光学膜厚监控
{;DAKWm@T 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
KF
zI27r 波長范围：350～1100nm
]Cj@",/3# 波長精度：<±1nm
o`QNZN7/} 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
q[ _qZ 波长再现性：±0.25 nm
Ly&+m+Gwu 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
& ?x R 8） 水晶膜厚监控
jB(+9?;1${ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
=B9- }]DDO 水晶开始频率：6.0MHz
PQDLbSe)\ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
p ;>A:i 测定时间间隔：0.25秒
kh9'W<tE 3("C'(W 3. 标准工艺
g35!a<JW
1) ITO
nm@ h5ON_ 2)太阳电池减反膜
[a04(
2g h <e 3)高反膜
kzKej"a; TY)QE 4)截止滤光片
[
N|X 4d`YZNvZW/ 5)UV-IRCUT
B~w$j/sWU iqvLu{ d
#1Y^3n 5．操作手册
9a=Ll]=\ 1) 目的
nd]SI;< 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
R3~, &ab 2) 使用范围
C<
9x\JY% 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
M@R"-$Z 3) 注意事项
j:h}k a/!p 1.开机前检查水电气是否正常
i'm <{ v 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
C3}:DIn"w 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
iX$G($[l( 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
{1)A"lQu 4) 准备工作
F{0\a;U@^ 1.基片清洗
P9/ (f$ = 2.补充源材料
f`n4'dG 3.清理真空室
o/ w3b 8 5) 操作步骤
+4s]#{mP 1、开机
SXk.7bMV6 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
EC OJ .^ 1.2 打开总电源
(-gomn 1.3 打开UPS电源
KLyRb0V 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
K6kz{R%` 机，进行冷泵再生过程。
n9'3~qVZ 2、放样
)i~AXBt} 2.1 清理真空室
S"cTi [9 2.2 补充源材料
wXKtQ#o} 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
} ?j5V 2.4 放入样品
IMkE~0x4</ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
0~bU W V 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
&BRk< iwV 3、熔源与蒸发镀膜
B&]`OO>O 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
w"v!+~/ 9 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
*%Rmdyn 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
\baY+,Dr+ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
3YHEH\60^ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
n93q8U6m/U DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
4!I uTPmr 3.6 打开气体流量控制仪
T Rv 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
0$*7lQ<a#M 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
7*l$ i/! 4、取样
xDo0bR( 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
aV\i3\da 行充气过程
n 9B5D:.G 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
X' `n>1z 清理真空室，进入到下一个循环。
0k
(- 5、关机
rYb5#aT[ 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
wZ(1\
M( 5.2 关闭UPS，总电源
j'D%eQI,V 5.3 关闭水、气
