1. 背景知识
e8: O2!HW 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
r b v 2. 设备能力
T 8 ]*bw OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
ir\)Hz2P }LX!dDuwA 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
uhaHY`w 2） 排气性能
T.;U~< 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
"B"ql-K 极限真空：低于5.0E-5Pa
%$)Sz[= 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
}c= Y<Cdh
漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
*'M+oi 3） 基板加熱特性
ER&\2,fZ 最大设定温度: 350℃
k[<i+C"; 加热40分钟以内，能到达300℃
m8b-\^eP7 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
k'e1ZAn 4） 电子枪/电源(JEOL制)
H0lW gJmi| 电子枪（BS-60050EBS）：
YB)I%5d;{ (10kW，270°偏转)
IvQuxs &a 电压 -4～-10kV(连续可变)
/']`}*d 5） 坩埚
\YF;/KwX$ 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
wNFx1u^/) 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
L9, GUtK{ 6） 离子源
j3+ hsA/(k 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
Q=[ IO,f a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
bh\2&]D i/ 栅网尺寸：10cm
=)iAU/*N 最大射频功率：600W（13.56MHz）
xa?auv! 束電圧：100V～1500V
/y UKUXi 最大束電流：500mA
+ yk 0ez 离子流密度分布：±10%以内
w_QWTD 0 加速电压：100V～1000V
`@6y Wb:X 标准导入气体量：氧气或氩气
td$RDtW[3 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
0f 3>s>`M 最大射频功率：150W（13.56MHz）
<5FGL 96 最大中和電流：1500mA
hQ L@q7tUr 标准导入气体量：氩气
@l_rB~ 7） 光学膜厚监控
mL;oR 4{ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
`tKs|GQf 波長范围：350～1100nm
]D2 d=\ 波長精度：<±1nm
pA@R,O>zr 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
,CqGO %DY 波长再现性：±0.25 nm
dIQ3snG 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
!@T~m1L
eY 8） 水晶膜厚监控
z<yqQ[ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
7fT_]H8 水晶开始频率：6.0MHz
(X2[}K 频率变化测定分解能：±0.028Hz
D7B g!* 测定时间间隔：0.25秒
H2+Ijn19E dd6l+z 3. 标准工艺
R"F: ( 1) ITO
4~ nf~ 2)太阳电池减反膜
Tz\v.&? $ 1^WkW\9kO 3)高反膜
!L)|N< rC/z8m3z 4)截止滤光片
]yFO~ 4Nu (ze9-!% 5)UV-IRCUT
5GJa+St? wwa)VgoS[ ^O"o-3dte 5．操作手册
z<. 6jx@ 1) 目的
g+4x 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
uXG$YDKqC 2) 使用范围
DsHm,dZ 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
z rC1/%T 3) 注意事项
[ raj:
7yQ 1.开机前检查水电气是否正常
I "R<XX 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
m'ZxmsFo 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
zItGoJu 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
P}!pmg6V 4) 准备工作
G*zhy ! P 1.基片清洗
TD!c+ ${w 2.补充源材料
7Mh!@Rd_V 3.清理真空室
'|&?$g(\h 5) 操作步骤
B6!ni@$M8X 1、开机
{Sc*AE&Y 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
dA(+02 U/. 1.2 打开总电源
0o
8V8 : 1.3 打开UPS电源
MBol_#H 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
WBD"d<>' 机，进行冷泵再生过程。
*44E'Dxv 2、放样
[F,s=,S'M 2.1 清理真空室
' |yBz1uL 2.2 补充源材料
5N2`e3:I 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
{^R" V ,) 2.4 放入样品
^/$ U(4 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
e~6>8YO+7j 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
_G^ 4KwYp 3、熔源与蒸发镀膜
a{kLAx[> 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
U)(' }u=b 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
(~ #-J7 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
Nqb m,s 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
m9$lOk4/ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
<7MxI@\ DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
)u=a+T 3.6 打开气体流量控制仪
(^)(#CxO 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
zhI"++ 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
?r.U5}PBI 4、取样
MeO2 cy!5q 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
`k9a$@Xg 行充气过程
B(R$5Xp 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
DC'L-]#< 清理真空室，进入到下一个循环。
e1R<+`] 5、关机
Okd7ua-f 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
IG8I<+< o 5.2 关闭UPS，总电源
nS^,Sq\Ak 5.3 关闭水、气
