1. 背景知识
q Z`@ Ro 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
)bi*y`UM] 2. 设备能力
,o*b-Cv/ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
sGMC$%e} 3"I 1'+ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
*v l_3S5_ 2） 排气性能
3~s0ux[ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
I[tU}oj P 极限真空：低于5.0E-5Pa
C(e!cOG 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
N 4)& K[ 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
'~liDz*O 3） 基板加熱特性
xhg {!w 最大设定温度: 350℃
0 I;>du 加热40分钟以内，能到达300℃
V %Y. N4H 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
w>/KQ> \" 4） 电子枪/电源(JEOL制)
,_\h)R_ 电子枪（BS-60050EBS）：
RM%l hDFY (10kW，270°偏转)
P4R.~J ;8 电压 -4～-10kV(连续可变)
K# _plpr 5） 坩埚
05|t 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
-?LSw 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
.u
W_(Rqg 6） 离子源
.}Bb
:*@ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
FY#`]124* a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
+/x|P- 栅网尺寸：10cm
D=9x/ ) *G 最大射频功率：600W（13.56MHz）
R`TM@aaS: 束電圧：100V～1500V
yU .B(| 最大束電流：500mA
a` /[\ K6 离子流密度分布：±10%以内
#cjB < APY 加速电压：100V～1000V
DU}q4u@ ) 标准导入气体量：氧气或氩气
9&rn3hmP b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Pw$'TE} 最大射频功率：150W（13.56MHz）
LjxTRtB_ 最大中和電流：1500mA
] S;e#u{QE 标准导入气体量：氩气
~POe 0!} 7） 光学膜厚监控
nM
R _ ?g 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
4:6@9.VVT 波長范围：350～1100nm
)I!l:!Ij*D 波長精度：<±1nm
] +Gi~ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
fFSW\4JD= 波长再现性：±0.25 nm
__3Cjo^6& 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
li/O&@ g` 8） 水晶膜厚监控
ckhW?T>l 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
U
R@'J@V#: 水晶开始频率：6.0MHz
(sr_& 7A 频率变化测定分解能：±0.028Hz
N15{7 ,
测定时间间隔：0.25秒
>@ge[MuS n:k~\-&WJ 3. 标准工艺
C7q bofo V 1) ITO
rBgLj,/`U/ 2)太阳电池减反膜
|q5\1}@: #kma)_X 3)高反膜
NSM-p.I9 #a} fI 4)截止滤光片
j##IJm Kr ]F+erJe 5)UV-IRCUT
xj%h-@ o6 R<k4LHDy /=Q7RJ@P 5．操作手册
na8A}\!< 1) 目的
Kw-E%7gh4c 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
)+cP8$n6L 2) 使用范围
VCvuZU{< 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
? )0U!)tK 3) 注意事项
F=d#$-yg 1.开机前检查水电气是否正常
- Z6ot{% 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
M^+~r,D1u 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
&t%ICz&3 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
PTL 52+}/ 4) 准备工作
D97oS!* 1.基片清洗
_=4Dh/Dv 2.补充源材料
e2/&X;2 3.清理真空室
F/@#yQv? 5) 操作步骤
t{84ioJ"$ 1、开机
w*Kw#m 'U 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
eFZ`0V0 1.2 打开总电源
JLc\KVmF 1.3 打开UPS电源
=X-$k k 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
vbF Y} 机，进行冷泵再生过程。
D~2,0K 2、放样
Ct
#hl8b: 2.1 清理真空室
7jEAhi!Cq( 2.2 补充源材料
) `;?%N\ 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
Q"QrbU 2.4 放入样品
CEI#x~Oq 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
b4,yLVi<T 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
CIYD'zR[2 3、熔源与蒸发镀膜
?uh7m 2l0D 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
J,P7k$t2vv 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
PksHq77 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
'4N[bRCn 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
#(XP=PUj 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
dR $@vDm DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
F+c*v#T 3.6 打开气体流量控制仪
{e>}.R 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
.,tf[w 71 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
(QqKttL: 4、取样
3#5sj > 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
5k< HO _] 行充气过程
INcJ Xlv 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
' 71D:%p 清理真空室，进入到下一个循环。
qR B&R$ 5、关机
okr'=iDg 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
]TD]
5.2 关闭UPS，总电源
O+z-6:` 5.3 关闭水、气
