1. 背景知识
;cm{4%=Iqe 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
YI),q.3X~ 2. 设备能力
T\e)Czz2- OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
i2ml[;*,N 7dg
5HH 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
^ %*{:0' 2） 排气性能
0 .Ol@fO 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
*(SBl}f4l 极限真空：低于5.0E-5Pa
.IAHy)li" 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
://|f 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
VzY P:QRz 3） 基板加熱特性
| C2.Zay 最大设定温度: 350℃
\$HB~u%dr 加热40分钟以内，能到达300℃
8DS5< 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
1'U%7#;E 4） 电子枪/电源(JEOL制)
8JFkeU%yO 电子枪（BS-60050EBS）：
vVN[ bD< (10kW，270°偏转)
%"KWjwp 电压 -4～-10kV(连续可变)
(zL Iv9$ 5） 坩埚
n$![b_)* 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
@
H`QLm 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
dBq,O%$oq 6） 离子源
W lLZtgq 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
Zn 5m.=z a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
W4rw ;(\ 栅网尺寸：10cm
x#gm liF 最大射频功率：600W（13.56MHz）
&qI5*aQ8T 束電圧：100V～1500V
-qCJwz30 最大束電流：500mA
<$3nD b- 离子流密度分布：±10%以内
']6#7NU 加速电压：100V～1000V
,l? 76g 标准导入气体量：氧气或氩气
gMK3o8B/ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
g $T_yT '' 最大射频功率：150W（13.56MHz）
FivaCNA 最大中和電流：1500mA
3{L vKe 标准导入气体量：氩气
/G{3p &9 7） 光学膜厚监控
[Z G j7 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
x2& ! PpM 波長范围：350～1100nm
[c!vsh]^ 波長精度：<±1nm
ZG[ 0rvW 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
QEHZ=Yg%3 波长再现性：±0.25 nm
+p}Xmn 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
>E,L"&_ j 8） 水晶膜厚监控
p|8Fl 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
]:#$6D" 水晶开始频率：6.0MHz
?'#;Y"RT 频率变化测定分解能：±0.028Hz
J&Qy $itqg 测定时间间隔：0.25秒
d\Z4?@T<5 ?# c@Ag % 3. 标准工艺
~t3?er& R 1) ITO
3Co>3d_ 2)太阳电池减反膜
]~M {@h!< _,?H rL9 3)高反膜
i&Cqw~.H u]-El}*[ 4)截止滤光片
KIY_EE$? WIl S^?5I< 5)UV-IRCUT
]G&\L~P 44{:UhJkx vlyNQ7"% 5．操作手册
h?tV>x/Fu 1) 目的
juYt = 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
] "vdC} 2) 使用范围
0 S8{VZpy 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
|wn LxI 3) 注意事项
(y4Eq*n%! 1.开机前检查水电气是否正常
&'2 l_b 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
, ZW. P` 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
pG=zGx4 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
2m}] z.w# 4) 准备工作
! m5\w> 1.基片清洗
*YOnX7*Km 2.补充源材料
^n5QK H D 3.清理真空室
/!8:/7r+W 5) 操作步骤
evk
<<zi 1、开机
WW@" 75t 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
s_?* R 1.2 打开总电源
xx#Ef@bS 1.3 打开UPS电源
BeCr){,3 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
>'g60 R[ 机，进行冷泵再生过程。
Qn c S& 2、放样
o"CqVRR 2.1 清理真空室
d-&d A_ ? 2.2 补充源材料
EqwA8? M 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
mM~Q!`Nf. 2.4 放入样品
GDe$p;#"9g 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
@d9*<>@ : 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
2uB26SEIl 3、熔源与蒸发镀膜
-/*{^[ 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
Jq @ LZ2^ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
dQ o$^? 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
|EU08b]P29 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
_\] UA?0 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
R
dzIb- DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
]qQB+]WN 3.6 打开气体流量控制仪
#f@53Pxb 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
9{&x-ugM 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
cv& hT.1 4、取样
a[#BlH 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
N#qoKY(# 行充气过程
a MD?^ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
RT 9|E80 清理真空室，进入到下一个循环。
\EqO;A%< 5、关机
s bb{VV`I 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
?q7Gs)B=^' 5.2 关闭UPS，总电源
u(qpdG||7 5.3 关闭水、气
