1. 背景知识
KaO8rwzDN 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
U^Hymgb% 2. 设备能力
,A_itRHH OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
/X8b=:h o%CBSm] 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
ah~7T~ 2） 排气性能
"< [D1E\ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
d< !bE( 极限真空：低于5.0E-5Pa
0PTB3- 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
2)mKcUL- 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
$yOfqr 3） 基板加熱特性
N7Dm,Q ] 最大设定温度: 350℃
^W'\8L 加热40分钟以内，能到达300℃
oz@yF)/Sm 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
QK//bV) 4） 电子枪/电源(JEOL制)
I'J=I{p* 电子枪（BS-60050EBS）：
7CNEP2}:R (10kW，270°偏转)
eK`n5Z&Y\ 电压 -4～-10kV(连续可变)
F*hs3b0Db 5） 坩埚
$JcU0tPq0 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
_RhCVoeB 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
~)WE 6） 离子源
l6)*u[}E 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
44wY5nYNt a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
!AP|ozkL 栅网尺寸：10cm
[|uAfp5R 最大射频功率：600W（13.56MHz）
8`'_ ckIgr 束電圧：100V～1500V
~vG~Z*F 最大束電流：500mA
+-HaYB|p 离子流密度分布：±10%以内
j2tw`*S+ 加速电压：100V～1000V
v@< "b U 标准导入气体量：氧气或氩气
%z1 WdiC b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
k g+"Ta[9 最大射频功率：150W（13.56MHz）
aS:17+! 最大中和電流：1500mA
>|H=25N>; 标准导入气体量：氩气
}1epn#O_4 7） 光学膜厚监控
H@'Y>^z? 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
{ 5h6nYu 波長范围：350～1100nm
5(TI2,4 波長精度：<±1nm
BL,YJM(y 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
[+>$'Du 波长再现性：±0.25 nm
f E7[ Sk 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
P xy(YMv 8） 水晶膜厚监控
g9p#v$V 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
N CX!ss 水晶开始频率：6.0MHz
tUL(1:-C 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Xg#Dbf4 测定时间间隔：0.25秒
T3!l{vG
\O 5qB>Song 3. 标准工艺
Uu 8Z2M 1) ITO
;k!bv|>n 2)太阳电池减反膜
ejD;lvf :^! wQ""
3)高反膜
rVFAwbR qD Nqd 4)截止滤光片
t~Ds) sR'rY[^/| 5)UV-IRCUT
/?HRq ?n b8Y1 .y"# 3v5]L3 5．操作手册
prhFA3
rW. 1) 目的
]D%D:>9|/ 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
Y
KeOH 2) 使用范围
19&!#z 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
|OuZaCJG 3) 注意事项
N2xgyKy~ 1.开机前检查水电气是否正常
]p@7[8} 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
cM .q^{d` 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
k
h#|`E#, 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
N] } L*o& 4) 准备工作
;sCX_`t0E 1.基片清洗
2t/ba3Rfk 2.补充源材料
.K;*uq:0 3.清理真空室
P[aB}<1f0 5) 操作步骤
(Q\QZu@ 1、开机
<fWho%eOK 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
%\Ig{Rj; 1.2 打开总电源
NNb17=q_v 1.3 打开UPS电源
,HY z-sK. 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
rh/3N8[6 机，进行冷泵再生过程。
$l-j(=Md 2、放样
&I <R|a 2.1 清理真空室
#li;L 2.2 补充源材料
jZe]zdml 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
\D>' 2.4 放入样品
H[fD
> 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
,1RW}1n 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
E}.cz\!. 3、熔源与蒸发镀膜
wW]|ElYR= 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
^ 4c2}>f 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
"f3, w 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
N{L ]H _= 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
W>/O9?D 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
^ D?;K8a-l DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
Uw<Lt"ls. 3.6 打开气体流量控制仪
82efqzT 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
M'R^?Jjb 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
/Y|9!{ . 4、取样
6D/5vM1 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
2m /1: 5 行充气过程
VOp8 ,! 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
~ m, z| 清理真空室，进入到下一个循环。
~u/Enl7\- 5、关机
Xj?j1R>GB 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
,dK% [ 5.2 关闭UPS，总电源
GDZe6* 5.3 关闭水、气
