1. 背景知识
Y -*]6:{E 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
NW?h~2 2. 设备能力
)`m/vYKWL OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
[JVUa2Sm Pv3 e*I(( 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
_ud !:q 2） 排气性能
l' a<k " 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
Hp3T2|uL 极限真空：低于5.0E-5Pa
':T6m=yv 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
+*$@ K'VL 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
{`[u XH?3d 3） 基板加熱特性
z%L\EP;o} 最大设定温度: 350℃
>2<
Jb!f& 加热40分钟以内，能到达300℃
j}$Q`7-wB1 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
.^uYr^( |[ 4） 电子枪/电源(JEOL制)
QdP)-Fx 电子枪（BS-60050EBS）：
n )>nfnh (10kW，270°偏转)
/w(t=Y 电压 -4～-10kV(连续可变)
%|By ?i 5） 坩埚
j;i7.B"[ 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
n6
AP6PK7 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
UmA'aq 6） 离子源
a(eUdGJ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
1V 2"sE a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
;S^7Q5- 栅网尺寸：10cm
jX{t/8v/s4 最大射频功率：600W（13.56MHz）
GAcU8 MD 束電圧：100V～1500V
8E\6RjM 最大束電流：500mA
lnRbvulH 离子流密度分布：±10%以内
ik|iAWy 加速电压：100V～1000V
-$_h]x*
W 标准导入气体量：氧气或氩气
\Y}nehxG@ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Q
,)}t 最大射频功率：150W（13.56MHz）
)I9W a*I 最大中和電流：1500mA
28PT1 9& 标准导入气体量：氩气
Q::6|B,G 7） 光学膜厚监控
9WsGoZP n 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
EX^j^# N 波長范围：350～1100nm
TZ%u ;tBH: 波長精度：<±1nm
iK uSk~ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
bcZ s+FOPd 波长再现性：±0.25 nm
BF>3CW7 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
^H
UNq[sQ 8） 水晶膜厚监控
<eG8xC 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
H0\5a|X- 水晶开始频率：6.0MHz
HX:rVHY 频率变化测定分解能：±0.028Hz
2kU=9 W6ND 测定时间间隔：0.25秒
Up kw.`D` 1]vrpJw 3. 标准工艺
!`%3?}mv, 1) ITO
Iz<}>J B 2)太阳电池减反膜
bC@9
*/i L0O },O 3)高反膜
5>'1[e45 h tn?iLq 4)截止滤光片
~&Gw[Nd1 %}asw/WiUa 5)UV-IRCUT
LE:nmo gLef6q{} XVKR}I 5．操作手册
lIj2 w;$v 1) 目的
P}+-))J 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
%2)'dtPD~ 2) 使用范围
"e\:Cq>\ 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
v& GBu 3) 注意事项
|tU4( hC 1.开机前检查水电气是否正常
HXTZ`'Rv 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
7#B pGQJQ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
0 oFRcU 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
|?Z; t AF! 4) 准备工作
mw1|>*X& R 1.基片清洗
45;{tS.z,B 2.补充源材料
?Rj)x%fN 3.清理真空室
*VF UC: 5) 操作步骤
i|5 K4Puu 1、开机
MR@*09zP(? 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
)J"Lne*" 1.2 打开总电源
' bpx 1.3 打开UPS电源
pZ, P_? 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
Nn],sEs 机，进行冷泵再生过程。
"&ElKy
7j 2、放样
HV ^*_ 2.1 清理真空室
p9[J 9D3~ 2.2 补充源材料
OJUH".o 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
\i-HECc"U 2.4 放入样品
G#&R/Tc5N 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
?>V4pgGCE 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
5X5 &(S \ 3、熔源与蒸发镀膜
h<50jnH! 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
09{B6l6P 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
i-' rS/R 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
8p fQAzl 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
9:!<=r k 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
4|*H0}HOm DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
{U& *8Q(/ 3.6 打开气体流量控制仪
AK/_^?zA s 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
IGj%)_W 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
5__8+R 4、取样
u:Q_XXT5 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
|.x |BJ 行充气过程
z
(,%<oX 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
rkdwGqG 清理真空室，进入到下一个循环。
C~.7m-Y W 5、关机
G(-1"7 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
gQJ y"f 5.2 关闭UPS，总电源
DbdxHuKa> 5.3 关闭水、气
