1. 背景知识
y;O
6q206 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
b'xBPTN 2. 设备能力
"'>fTk_ OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
$0]5b{i] 8zwH^q[`r 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
jASK!3pY 2） 排气性能
e`5:46k| 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
m5hu; >gt 极限真空：低于5.0E-5Pa
}Fu2%L> 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
h}S2b@e| 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
Q1H.2JXr 3） 基板加熱特性
5F :\U 最大设定温度: 350℃
XD[9wd5w8 加热40分钟以内，能到达300℃
dp3T JZ+U 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
[ .3Gb}B 4） 电子枪/电源(JEOL制)
#!rH}A>n+ 电子枪（BS-60050EBS）：
cc"<H}g>` (10kW，270°偏转)
i_I` 电压 -4～-10kV(连续可变)
f_:>36{1^! 5） 坩埚
"`w*-O 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
A~L Ti 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
*LvdrPxU= 6） 离子源
9,}Z1 f\% 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
5+)_d%v=6! a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
'qeUI}[ 栅网尺寸：10cm
S:c
lyx 最大射频功率：600W（13.56MHz）
y! j>_m){w 束電圧：100V～1500V
)P.,h&h/ 最大束電流：500mA
uYd_5
nw 离子流密度分布：±10%以内
3V]psZS 加速电压：100V～1000V
<F| S<\Y. 标准导入气体量：氧气或氩气
yT(86#st b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
7 S %`]M4; 最大射频功率：150W（13.56MHz）
zEe ix,IU 最大中和電流：1500mA
7[}WvfN8# 标准导入气体量：氩气
w *o _s 7） 光学膜厚监控
d~b @F&m f 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
AUl[h&s 波長范围：350～1100nm
\i)@"} 波長精度：<±1nm
>rFM8P( 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
vLCm,Bb2L 波长再现性：±0.25 nm
E7]a# 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
^9|&w.:@Q 8） 水晶膜厚监控
I;mc:@R< 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
X d&oERJj 水晶开始频率：6.0MHz
>lugHF$G 频率变化测定分解能：±0.028Hz
F k?KR 测定时间间隔：0.25秒
D6EqJ,~ JJP! 9< 3. 标准工艺
NV`7VYU 1) ITO
57$/Dn 2)太阳电池减反膜
/(i~Hp p iyMoLZ5 3)高反膜
1 w> G8 -}Rh+n` 4)截止滤光片
qPCI@5n3T? QO| jdlg 5)UV-IRCUT
@ t8{pb;v e4 cWi CO SQ 5．操作手册
b28C ( 1) 目的
5eas^Rm 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
qp]s VY 2) 使用范围
P;e@ <O 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
j,N,WtE 3) 注意事项
x}N1Wl=8g 1.开机前检查水电气是否正常
&|Vzo@D(! 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
PMiG:b M 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
v1E(K09h2 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
)/t= g 4) 准备工作
_Tma1 ~Gq 1.基片清洗
SwhArvS 2.补充源材料
A T I2 3.清理真空室
<P
c;8[ 5) 操作步骤
_[J>GfQd 1、开机
Sv D:UG 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
" =9)|{=m 1.2 打开总电源
}4xz, oN 1.3 打开UPS电源
Dn;$4Dak( 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
Oxh . & 机，进行冷泵再生过程。
2iWxx:e 2、放样
K.6xNQl{} 2.1 清理真空室
"ODs.m oq 2.2 补充源材料
W;
?' 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
})ic@ Mmd$ 2.4 放入样品
g U v`G 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
)<%I Y&\ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
7p,!<X}% 3、熔源与蒸发镀膜
$C6O<A 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
rh(77x1|(G 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
IZ+ZIR@}ci 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
:FI 4GR* ? 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
u-~?ylh 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
2aW"t.[j DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
Qx[
nR/ 3.6 打开气体流量控制仪
&?y VLft 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
WR4 \dsgCU 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
Dad*6;+N 4、取样
b/'RJQSAc 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
[Ma
d ~; 行充气过程
{;Y2O.lV 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
:8Jn?E (36 清理真空室，进入到下一个循环。
Q
1e hW 5、关机
gA:N>w&<X 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
E X,)MU 5.2 关闭UPS，总电源
w]Vd IS 5.3 关闭水、气
