1. 背景知识
("9bV8:@B 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Y[{:?i~9, 2. 设备能力
"v8p<JfB` OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
^65I, Z" srGOIK . 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
+>Wo:kp3 2） 排气性能
s1:Wrz? 4 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
pU$k{^'UK 极限真空：低于5.0E-5Pa
&93{>caf+ 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
*N">93: 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
@Rr=uf G 3） 基板加熱特性
gP2zDI 最大设定温度: 350℃
M@Th^yF+8H 加热40分钟以内，能到达300℃
1BSd9Ydj 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
~ :ASv>m 4） 电子枪/电源(JEOL制)
[,o:nry'a 电子枪（BS-60050EBS）：
J:Cr .K` (10kW，270°偏转)
\SWTP1 电压 -4～-10kV(连续可变)
1Bj.MQ^ 5） 坩埚
5,"c1[`- 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
A)f-r 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
d:%b 6） 离子源
2n<Mu Q] 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
1'~Xn
4
f a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
*~#I5s\s! 栅网尺寸：10cm
>q"dLZ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
Y ^fw37b 束電圧：100V～1500V
7%*#M#(T 最大束電流：500mA
s L^+$Mq6 离子流密度分布：±10%以内
9&lem z 加速电压：100V～1000V
'+88UFSq5 标准导入气体量：氧气或氩气
TeHJj`rdAU b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
V]7/hN-Y} 最大射频功率：150W（13.56MHz）
Ku(YTX tK 最大中和電流：1500mA
`YNzcn0x 标准导入气体量：氩气
2"IV 7） 光学膜厚监控
19E(Hsz 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
bMO^}qR` 波長范围：350～1100nm
9\Ii$ Mp 波長精度：<±1nm
rzf Lp 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
L'+bVP{L 波长再现性：±0.25 nm
=:H-9 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
X +`Dg:: 8） 水晶膜厚监控
OX_y"]utU 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
%U\,IO `g 水晶开始频率：6.0MHz
$ L*gtZ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
^ZwZze:2 测定时间间隔：0.25秒
V*vQNPe y
r h*F 3. 标准工艺
]
K$YtM^ 1) ITO
69c4bT:b" 2)太阳电池减反膜
Rl? 1|$ % y ``\^F 3)高反膜
H$`U]
=s| btW#ebm 4)截止滤光片
wHLQfrl0 cYSn
5)UV-IRCUT
I}`p Y3 > Pw5! i\ 2F4<3k! & 5．操作手册
h FU8iB`Q 1) 目的
X=QX9Ux?^ 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
5rsz2;#p 2) 使用范围
be+-p 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
T`# nn| 3) 注意事项
SU0Ss gFB 1.开机前检查水电气是否正常
Phn^0 iF 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
-P;3BHS$T
3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
+XWTu! 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
}&0LoW/ 4) 准备工作
)tlj{ 7p 1.基片清洗
>|3Y+X 2.补充源材料
8m+~HSIR 3.清理真空室
![z2]L+TB 5) 操作步骤
T+ Yv5l 1、开机
nCYz ];". 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
A/y|pg5 1.2 打开总电源
+`d92T z 1.3 打开UPS电源
Oo|JIr7i 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
A$2
;B f 机，进行冷泵再生过程。
[4"(\r\ f 2、放样
u62H+'k}F 2.1 清理真空室
r_+Vb* |Y 2.2 补充源材料
d+DO}=] 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
?mNB:-Q 2.4 放入样品
ag'hHFV 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
\&F4Wl>` 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
Kbu>U{' 3、熔源与蒸发镀膜
ct\msG }b: 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
Y -it3q'Z 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
m*
3ipI{h 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
%n$f#Ml_r 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
uH\EV`@' 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
#$UwJ B]_D DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
wR_mJMk_ 3.6 打开气体流量控制仪
;1&"]N% 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
V Rv4p5 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
JSUD$|RiJ 4、取样
i*$+>3Q- 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
.>W [ 行充气过程
vjX,7NY? 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
$}vk+.!*1 清理真空室，进入到下一个循环。
i$kB6B#== 5、关机
oG)T>L[& 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
q
4Pv\YO 5.2 关闭UPS，总电源
"rMfe> ;FJ 5.3 关闭水、气
