1. 背景知识
=!u]t &yv 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
(t5vBUj 2. 设备能力
;?C`Jag x OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
ssAGWP (-xVW#39 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
!X`cNd)0Xo 2） 排气性能
u)vS ,dzu
粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
duc\/S' 极限真空：低于5.0E-5Pa
5 Gm8U"UR 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
=^z*p9ZB 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
BmaY&? 3） 基板加熱特性
PZj}]d ` 最大设定温度: 350℃
;H9 W:_ahE 加热40分钟以内，能到达300℃
=
u&dU'@q 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
SgkW-# 4） 电子枪/电源(JEOL制)
eoJ*?v 电子枪（BS-60050EBS）：
<?%49 (10kW，270°偏转)
8S5Q{[ ! 电压 -4～-10kV(连续可变)
6=96 ^o* 5） 坩埚
*;T'=u_lR 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
y ji >vJHu 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
>sQf{uL 6） 离子源
qe/5' dw 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
N' 0nt]&a a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
N{<5)L~Y 栅网尺寸：10cm
Y. kc,~vYL 最大射频功率：600W（13.56MHz）
G=l:v 束電圧：100V～1500V
4#W*f3d[@: 最大束電流：500mA
%qEp{itq 离子流密度分布：±10%以内
( dh9aR_a 加速电压：100V～1000V
$`P]%I} 标准导入气体量：氧气或氩气
fi%lN_Ev? b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Zzmo7kFx3 最大射频功率：150W（13.56MHz）
U+aiH U9 最大中和電流：1500mA
iFZ.a.NDc 标准导入气体量：氩气
8 mt#S 7） 光学膜厚监控
`|mV~F| 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
/T 2 v`Li 波長范围：350～1100nm
>1HXC2 Y 波長精度：<±1nm
N*\r i 0 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
MRT<hB 波长再现性：±0.25 nm
?5F;4 oR2g 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
i-. AD4 8） 水晶膜厚监控
:w)9 (5 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
ED);2*q P} 水晶开始频率：6.0MHz
zjSHa'9* 频率变化测定分解能：±0.028Hz
&da:{ 测定时间间隔：0.25秒
Df$~=A } {XV 'C @B 3. 标准工艺
%'VzN3Q5V 1) ITO
(EH}lh }% 2)太阳电池减反膜
TaF;P GjVw bdEI vf7 3)高反膜
u MRzUK`QK d^ `; tD 4)截止滤光片
/FjdcH= 6$l?D^{ 5)UV-IRCUT
hZWkw{c F+L%Ho;@P 8idI Jm%y 5．操作手册
)`6O SB 1) 目的
4YoQ*NQw- 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
;f= .SJF 2) 使用范围
PDLps[a 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
}a#=c*+_ 3) 注意事项
1 |/ |Lq%w 1.开机前检查水电气是否正常
; P$ _:-C 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
sHPj_d# 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Mb45UG#2 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
jy_4W !4a 4) 准备工作
b5ul|p 1.基片清洗
BqDsf5}jpA 2.补充源材料
Z?WVSJUVf 3.清理真空室
M#Q"h5l 5) 操作步骤
Nq| y\3] 1、开机
@Kw&XK e` 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
`u_k?)lK 1.2 打开总电源
'I :_}q 1.3 打开UPS电源
|C5{[ z 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
wA6E7vi' 机，进行冷泵再生过程。
qE VpkvEq 2、放样
,?`kYPZ 2.1 清理真空室
I3}]MAE 2.2 补充源材料
` k(Q: 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
=W>a ~e]/ 2.4 放入样品
`cIe qp 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
CrG!8} 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
@\M^Zuo 3、熔源与蒸发镀膜
;jO+<~YP! 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
/!y;h- 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
MBnxF^c&P 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
`:jF%3ks+0 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
N /<c ;"o 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
}5}>B * DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
PYzTKjw
3.6 打开气体流量控制仪
U Ua@7|x 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
. ~a~(| 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
pbIVj3-lY 4、取样
hlz/TIP^N3 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
d`% 7Pk 行充气过程
ed`7GZB 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
BB :: zBg 清理真空室，进入到下一个循环。
7]i6 Gk
5、关机
J HV 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
`B,R+==G: 5.2 关闭UPS，总电源
Ekh)l0
l 5.3 关闭水、气
