1. 背景知识
`K.yE0^i 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
6kk(FVX 2. 设备能力
XooAL0w OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
H3b`)k
sFr ~V5jjx* 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
j
yE+?4w; 2） 排气性能
v2^CBKZ+ 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
>ZT3gp?E 极限真空：低于5.0E-5Pa
TOs|f8a y 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
~EymD * 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
Cq=c'(cX 3） 基板加熱特性
#=2~MXa@z7 最大设定温度: 350℃
x[E`2_Ff 0 加热40分钟以内，能到达300℃
ZzY6M"eUXD 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
wrWWXOZ 4 4） 电子枪/电源(JEOL制)
4 3YusUv 电子枪（BS-60050EBS）：
fQ@["b (10kW，270°偏转)
DBR TZES 电压 -4～-10kV(连续可变)
@r<w| x} 5） 坩埚
-3C~}~$>` 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
k K(, FB 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
@W8RAS~ 6） 离子源
asb") NfIm 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
m i+I )b= a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
q0o6%c:gW 栅网尺寸：10cm
*@< jJ P4 最大射频功率：600W（13.56MHz）
( Qnn 束電圧：100V～1500V
V*)gJg 最大束電流：500mA
_?8T'?-1 离子流密度分布：±10%以内
UaB!,vs3st 加速电压：100V～1000V
U -(d~]$ 标准导入气体量：氧气或氩气
%NuS!v> b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
d] {^ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
3:r;(IaX 最大中和電流：1500mA
%~@}wHMB 标准导入气体量：氩气
3Dy.mt P
7） 光学膜厚监控
`R \0g\ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
<D?`* #K 波長范围：350～1100nm
><Z2uJZ4x 波長精度：<±1nm
4IVCTz[ 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
-7u4f y{T 波长再现性：±0.25 nm
/Bc
;)~ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
MQAb8 K:e 8） 水晶膜厚监控
+g*Ko@]m> 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
D`+'#%%x 水晶开始频率：6.0MHz
:jA~zHO 频率变化测定分解能：±0.028Hz
y3l sA e# 测定时间间隔：0.25秒
k;]&`c^5 %',.
K)IR 3. 标准工艺
F 2#^5s( 1) ITO
n/?_] 2)太阳电池减反膜
B<W{kEY <X:7$v6T| 3)高反膜
{ Uh/ ~zu r__uPyIMG/ 4)截止滤光片
[/I4Pe1Yj% N( Cfv 3{ 5)UV-IRCUT
,+f '%)s_x Bb
m 1&d# 1L3L!@ 5．操作手册
S%'t
)tt, 1) 目的
y'{0|Xj 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
w zF"^CJ 2) 使用范围
R/iXO~/"J 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
+<I>]J2 3) 注意事项
A@GyKx%x$ 1.开机前检查水电气是否正常
P9gIKOOx#4 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
|]V0sgp oZ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
+ ~ HL"Vv 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
m)&2zV/Q 4) 准备工作
zXB.)4T 1.基片清洗
!-[e$? - 2.补充源材料
\:Q)Ef 3.清理真空室
tONxV` 5) 操作步骤
.(D-vkz' 1、开机
JPR l/P$ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
/S%{`F= 1.2 打开总电源
ZPHB$]ri 1.3 打开UPS电源
R'He(x 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
JpN+ '/ 机，进行冷泵再生过程。
\ 7jK6;R< 2、放样
&W*9' vSm. 2.1 清理真空室
X180_Kt2 2.2 补充源材料
=98@MX%P 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
W2s6!_AN 2.4 放入样品
SD |5v* 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Ahm*_E2E 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
rF'q\tJDz 3、熔源与蒸发镀膜
J'W6NitMr 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
EHmw(%a|+ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
!A qSG- 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
j8P=8w{ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
\G:\36l 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
N"Q-xK DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
=XuBan3B> 3.6 打开气体流量控制仪
:T.j;~ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
KFx4"f% 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
h{#Hw p 4、取样
Xi$2MyRd 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
pKMy:j 行充气过程
.*+%-%CbP 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
R^4JM,v9x` 清理真空室，进入到下一个循环。
1?\G6T 5、关机
7Rwn{]r 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
f5'Cq)Vw_ 5.2 关闭UPS，总电源
-pvF~P?8U 5.3 关闭水、气
