1. 背景知识
vRDs~'f 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
^7=h%{ >= 2. 设备能力
,V zbKx, OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
{L7+lz <vxTfE@>bp 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
6X!jNh$oF 2） 排气性能
H%i [; 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
;w._/ 极限真空：低于5.0E-5Pa
a O
b p" 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
u0qTP] 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
F4ylD5Y! 3） 基板加熱特性
<KE%|6oER 最大设定温度: 350℃
6
tB\X^ 加热40分钟以内，能到达300℃
lB!M;2^)X 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Xxj<Ai 2 4） 电子枪/电源(JEOL制)
5s> >]
.% 电子枪（BS-60050EBS）：
~c*kS E2X (10kW，270°偏转)
Rv.IHSQUo 电压 -4～-10kV(连续可变)
`91Z]zGpU 5） 坩埚
}U%T6~_wR 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
u_FN'p =. 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
\c!e_ rZ 6） 离子源
:Smyk.B2! 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
C]h_co2eI a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
B$S@xD $ 栅网尺寸：10cm
xZ
SDA8kS 最大射频功率：600W（13.56MHz）
}?HWUAL\ 束電圧：100V～1500V
0sCWIGU W 最大束電流：500mA
^/xb-tuV 离子流密度分布：±10%以内
05
.EI)7 加速电压：100V～1000V
~ftR:F|9 标准导入气体量：氧气或氩气
AOz~@i^ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Zcg-i:@ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
ID<[=es6 最大中和電流：1500mA
]u:Ij|.'y0 标准导入气体量：氩气
\!%~( FM 7） 光学膜厚监控
8A u W>7_ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
_lC0XDZ 波長范围：350～1100nm
_SH~. Mt_! 波長精度：<±1nm
&!FI!T
-WH 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
7|o}m}yVx 波长再现性：±0.25 nm
1@F>E;YjL= 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
lsgZ 8） 水晶膜厚监控
&2n 5m& 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
!P":z0K4 水晶开始频率：6.0MHz
[<>%I#7ulG 频率变化测定分解能：±0.028Hz
c4s,T"H 测定时间间隔：0.25秒
n B/`~_9 rqKK89fD' 3. 标准工艺
]O0u.=1k 1) ITO
BL-7r=Z 2)太阳电池减反膜
FV/lBWiQQ 7ZUS 3)高反膜
' t^ r2N/ g!z &lQnZ 4)截止滤光片
_:Jma Sw>,Q-32 5)UV-IRCUT
hZ')<@hNP O5:[]vIn dqi31e{*2\ 5．操作手册
1KjzKFnb 1) 目的
G-#rWZ& 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
f>m ! } F: 2) 使用范围
!LsIHDs4 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
c(!pcB8 3) 注意事项
NS "1zR+ 1.开机前检查水电气是否正常
~3|)[R=+p1 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
6 LqF*$+$` 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
Z@AN0?,`~o 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
};f^*KZ=0 4) 准备工作
=dp`4N 1.基片清洗
SPauno <M 2.补充源材料
?.c:k;j 3.清理真空室
/4upw`35]
5) 操作步骤
cqcH1aSv 1、开机
~b%dBn]n> 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
zXkq2\GHA 1.2 打开总电源
Ga pM~~ 1.3 打开UPS电源
*|g l1S 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
s=Kz9WLy 机，进行冷泵再生过程。
/PG%Y]l0b 2、放样
E#cu}zi 2.1 清理真空室
1k{H,p7 2.2 补充源材料
//bQD>NBO 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
b27t-p8 2.4 放入样品
F3x* dq2 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
-67!u; 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
*=Ma5J. 3、熔源与蒸发镀膜
a FL< (,~r 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
V|<'o<h8 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
eu//Q'W 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
'v Kae 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
w ,X J8+B 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
7UUu1"|a| DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
3w/z$bj 3.6 打开气体流量控制仪
Rk{vz| 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
( v$
i 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
Ym $`EN 4、取样
Z}3;Ych 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
KYq<n& s 行充气过程
Zj0h0Vt 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
\@zoM:[sN 清理真空室，进入到下一个循环。
c]|Tg9AW 5、关机
8[a N5M] 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
>}d6)s| 5.2 关闭UPS，总电源
J@J` ) 5.3 关闭水、气
