1. 背景知识
7 "U,N; y 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
`t"Kq+ 2. 设备能力
iC\=U OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
!I
P* =?x= CEW 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
uZI:Kt# 2） 排气性能
clV/i&]Qa 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
6Xq O' G 极限真空：低于5.0E-5Pa
uU"s50m 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
cM Kh+r 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
m Sp7H! 3） 基板加熱特性
QR8 Q10 最大设定温度: 350℃
!I$RE?7eY 加热40分钟以内，能到达300℃
uQ) ] g 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
?`i Bp+iBv 4） 电子枪/电源(JEOL制)
~)(D m+vZ 电子枪（BS-60050EBS）：
o?\ Pw9Y (10kW，270°偏转)
zh#uwT1u 电压 -4～-10kV(连续可变)
.v!e=i}. 5） 坩埚
81 C?U5 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
e70*y'1fu 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
'!GI:U+g 6） 离子源
; # 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
v-@@>?W- a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
w?"l4.E% 栅网尺寸：10cm
Er`PYE
J 最大射频功率：600W（13.56MHz）
%UhF= C 束電圧：100V～1500V
P@ u%{ 最大束電流：500mA
|M&/( 0 离子流密度分布：±10%以内
$Vh82Id^ 加速电压：100V～1000V
Fh ;(1X75I 标准导入气体量：氧气或氩气
jHzb,& b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
(w fZ ! 最大射频功率：150W（13.56MHz）
;2~Q97c 0 最大中和電流：1500mA
7v_e"[s~ 标准导入气体量：氩气
c+c ^F/ 7） 光学膜厚监控
jrR~V* :k 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
OX2 \H 波長范围：350～1100nm
~gD'up@$/ 波長精度：<±1nm
!ywc). ]e 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
~%ZO8X:^ 波长再现性：±0.25 nm
Z:{Z&HQC 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
{lA@I*_lj 8） 水晶膜厚监控
n1|%xQBU@ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
DDEn63{ 水晶开始频率：6.0MHz
Fk\xq`3'c 频率变化测定分解能：±0.028Hz
bPEAG=l "- 测定时间间隔：0.25秒
w~`P\i@ w ,&RHQB 3. 标准工艺
r BL)ct 1) ITO
R;%iu0 2)太阳电池减反膜
&}oDSD
H^, sYL+;(#t 3)高反膜
>_o_&;=`v '"&?u8u) 4)截止滤光片
31}6dg8?n mEGMe@37 5)UV-IRCUT
B0:O]Ax6.^ #S"=)BZ 8L mxIEg?r( 5．操作手册
h (9K7 1) 目的
]T$~a8 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
C$P3&k#W 2) 使用范围
+m Y(6|1 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
q nOAIP:0 3) 注意事项
Ne=D $o 1.开机前检查水电气是否正常
N;htKcZ 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
vm(% u!_P 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
O lP#|x* 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
{AZW."? 4) 准备工作
,QK>e;:Be 1.基片清洗
3V-pLs| 2.补充源材料
Q$3%aR-2 3.清理真空室
O @l `D` 5) 操作步骤
9N9;EY -U 1、开机
nF)|oA 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
=4?m>v,re 1.2 打开总电源
o/Z?/alt4 1.3 打开UPS电源
MQh L>oQ 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
HH>]"mv 机，进行冷泵再生过程。
lO:[^l?F 2、放样
BsxQW`>^y 2.1 清理真空室
|W?x6]~.R 2.2 补充源材料
mp}ZHuf G 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
,<%],-Lt[ 2.4 放入样品
m#Rll[ 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
xK
/NzVt 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
Mwi T1sB~ 3、熔源与蒸发镀膜
x6m21DW w 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
dqcfs/XhP 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
HuG|BjP 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
X mLH Z,/ 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
zDC-PHF HQ 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
\T>f+0=4 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
?k#-)inf) 3.6 打开气体流量控制仪
iGM-#{5 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
p^NYJV 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
p.)G ], 4、取样
> AJtoJ=j 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
4k}u`8 a 行充气过程
VcA87*pel 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
[26"?};"% 清理真空室，进入到下一个循环。
B usxg?= 5、关机
8nW# Q <s 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
[.;VCk)0x 5.2 关闭UPS，总电源
)FYz*:f>& 5.3 关闭水、气
