1. 背景知识
uJ0Wb$% 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Rgl c d 2. 设备能力
FW{ K[km^P OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
h67{qY[J[ Zx7aae_{ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
> }kZXeR| 2） 排气性能
5Sb-Bn 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
'6L@l 极限真空：低于5.0E-5Pa
=r3g:j/>q 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
SIc~cZ!Yu 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
;^|):x+O 3） 基板加熱特性
9mjJC 最大设定温度: 350℃
d]N_<@tx9 加热40分钟以内，能到达300℃
XWq"_$&LF 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
U]g9t<jD 4） 电子枪/电源(JEOL制)
gAf4 w q 电子枪（BS-60050EBS）：
$9:
@M. (10kW，270°偏转)
D|^N9lDaQ 电压 -4～-10kV(连续可变)
,LDL%<7t 5） 坩埚
W_,7hvE?"H 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
^66 OzT8A 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
ukRmjHbL f 6） 离子源
5".bM8o 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
b~@+6 ? a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
*zW]IQ'A 栅网尺寸：10cm
5u3KL
A 最大射频功率：600W（13.56MHz）
(]PH2<3t 束電圧：100V～1500V
qk(bA/+e 最大束電流：500mA
M0OIcMTv 离子流密度分布：±10%以内
s!>9od6^ 加速电压：100V～1000V
S(CVkCP 标准导入气体量：氧气或氩气
$`lm]} {& b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Qqk(,1u 最大射频功率：150W（13.56MHz）
Q>cE G" 最大中和電流：1500mA
?e,:x ]\L 标准导入气体量：氩气
p(K ^Zc 7） 光学膜厚监控
AWssDbh/[ 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
%s^1 de 波長范围：350～1100nm
bbDm6, 波長精度：<±1nm
oJ`=ob4WDo 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
-Q &@P3x 波长再现性：±0.25 nm
5?([jAOf 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
w.#z>4#3- 8） 水晶膜厚监控
'2|P- /jU 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
_6'@#DN 水晶开始频率：6.0MHz
#;?/fZjY 频率变化测定分解能：±0.028Hz
, KU%"{6 测定时间间隔：0.25秒
{TdxsE > Ajo IL 3. 标准工艺
%r*,m3d 1) ITO
\u))1zRd 2)太阳电池减反膜
3d4A~ !Iz lP*=4Jh 3)高反膜
|=![J? t%0c$c 4)截止滤光片
65*Hf3 ~~ ?~ E"! 5)UV-IRCUT
foL4s;2 h w*u. 46 z%iPk'^ 5．操作手册
WWH <s%C 1) 目的
MI(; 0 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
&K(y%ieIJ 2) 使用范围
dUl"w`3 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
l&:8 'k+%= 3) 注意事项
5\w *W6y 1.开机前检查水电气是否正常
sUK|*y 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
kM&- t&7 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
9yWf *s< 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
N:'!0|6?x- 4) 准备工作
FQ`1c[M@
1.基片清洗
B3u/
y 2.补充源材料
dNF_ T?E\ 3.清理真空室
X( rXRP# 5) 操作步骤
aDx NAfP
1、开机
~TeOl|!lE+ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
>goHQ30: 1.2 打开总电源
8oXp8CC 1.3 打开UPS电源
\Q1& w2mw 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
3 }&3{kt 机，进行冷泵再生过程。
VmN 7a6a 2、放样
m<kJH<! j 2.1 清理真空室
hvNK"^\p 2.2 补充源材料
CR%h$+dzy 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
\~(kGE--+ 2.4 放入样品
@TX@78fWz= 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
D!/ 4u0m 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
U1pE2o- 3、熔源与蒸发镀膜
Xw< ;)m 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
ksueP MIK 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
N- knhA 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
m)"(S 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
EzjK{v"> 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
{;& U5<NO DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
[rK`BnJX 3.6 打开气体流量控制仪
",Vx.LV 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
"::2] 3e 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
!Ko> 4、取样
g1"Z pD 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
d|7LCW+HW 行充气过程
:yJ([ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
XM*5I 4V 清理真空室，进入到下一个循环。
= >tkc/aa 5、关机
lNyyL Lt 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
5B2p_$ W# 5.2 关闭UPS，总电源
hfyU} `]
5.3 关闭水、气
