1. 背景知识
?'si ^N 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
gWl49' S>+ 2. 设备能力
RijFN.s OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
n[7 = (Bss%\ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
n],"!>=+ 2） 排气性能
${tBu# $-d 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
l M a|| 极限真空：低于5.0E-5Pa
pYj} 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
Nkx W*w%}l 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
wc ;^C?PX 3） 基板加熱特性
h`D+NZtWm 最大设定温度: 350℃
Me-H'M p~ 加热40分钟以内，能到达300℃
&g!yRvM!;Q 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
-e.ygiK.`S 4） 电子枪/电源(JEOL制)
,[u .5vC 电子枪（BS-60050EBS）：
&ZJ$V (10kW，270°偏转)
]e I|_O^u 电压 -4～-10kV(连续可变)
Gdr7d 5） 坩埚
[a k[ZXC, 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
s-S|#5 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
V7 ?Pv
Q 6） 离子源
mW#p& { 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
5Y5N a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
K>Tv M & 栅网尺寸：10cm
? V})2wwP 最大射频功率：600W（13.56MHz）
u:>*~$f
束電圧：100V～1500V
6~Y`<#X5J 最大束電流：500mA
@}tk/7-E 离子流密度分布：±10%以内
4K! @9+Mz 加速电压：100V～1000V
*KPNWY9!W 标准导入气体量：氧气或氩气
`%.x0~ ih b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
0*:4@go0}i 最大射频功率：150W（13.56MHz）
=
$6pL 最大中和電流：1500mA
gal.<SVW 标准导入气体量：氩气
m g
*kB:p 7） 光学膜厚监控
<a=k"'0 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
zg{ 波長范围：350～1100nm
M!iYj+nrP 波長精度：<±1nm
h| .*V$3 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
lLZ?&z$ 波长再现性：±0.25 nm
Q 46sPMH+_ 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
] dHV^! 8） 水晶膜厚监控
D?P 1\<A ~ 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
I@YX-@&7 水晶开始频率：6.0MHz
ET q~, g' 频率变化测定分解能：±0.028Hz
lR3JyYY{X 测定时间间隔：0.25秒
1{bsh?zd vU,
]UJ} 3. 标准工艺
u )KtvC! 1) ITO
si|b>R&Z 2)太阳电池减反膜
+7b V S ) *!j I 3)高反膜
g}'(V>( 1ogh8% 4)截止滤光片
[X=Ot#?u ~ -_ ~T;cj6 5)UV-IRCUT
Z sbE ' Y.s}Duj 44_CT?t< 5．操作手册
f*ZIBTb 9 1) 目的
<@:LONe< 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
I)F3sS45} 2) 使用范围
;PhX [y^* 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
`xd{0EvF 3) 注意事项
P6o-H$
a+ 1.开机前检查水电气是否正常
|%-:qk4r G 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
@d=4C{g%o 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
D3-H!TFpDb 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
[)83X\CO 4) 准备工作
C6(W nO{6 1.基片清洗
N }j^55M_] 2.补充源材料
$NhKqA`0 3.清理真空室
qlfYX8edZ 5) 操作步骤
4).>b3OhX 1、开机
m8njP-CZ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
7nL3+Pq 1.2 打开总电源
J2adA9R/, 1.3 打开UPS电源
5x; y{qT 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
x?MSHOia`P 机，进行冷泵再生过程。
ckPI^0A! 2、放样
_<1uO=km6 2.1 清理真空室
{9C+=v? 2.2 补充源材料
['rqz1DL5 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
f,}]h~w\ 2.4 放入样品
@( H 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Qs.g% 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
-wjvD8fL 3、熔源与蒸发镀膜
_oJq32 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
P2;I0 ! 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
tJ,x>s?Y 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
G(XI TL u* 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
RxVf:h'l 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
T5+iX`#M DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
C4~`3Mk 3.6 打开气体流量控制仪
P7i
G,i 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
uk~4R@=&H 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
}$ZcC_ 4、取样
,pz^ 8NJAI 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
+ B#3! 行充气过程
)m Uc
!TP 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
:5`BhFAd 清理真空室，进入到下一个循环。
Z '~y Uo= 5、关机
-S"$S16D 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
@i[z4)"S 5.2 关闭UPS，总电源
JS<4%@ 5.3 关闭水、气
