1. 背景知识
U *:E|'> 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
/M Z^;XG 2. 设备能力
tZan1C%p> OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
r>cN,C njckPpyb@ 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
{.o@XP,. 2） 排气性能
9A ?)n<3d 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
\h5!u1{ L 极限真空：低于5.0E-5Pa
<d~si^*\ch 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
2(H-q( 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
LsO}a;t5 3） 基板加熱特性
xq<X:\O 最大设定温度: 350℃
aM YtW j 加热40分钟以内，能到达300℃
;"|QW?>$D 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
~}RfepM 4） 电子枪/电源(JEOL制)
RAj>{/E#W 电子枪（BS-60050EBS）：
r$W%d[pB (10kW，270°偏转)
tr|)+~x3 电压 -4～-10kV(连续可变)
%uDH_J|^ 5） 坩埚
+F+M[ef<ws 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
odW K\e 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
Fs&r ^ [/b 6） 离子源
;Q,, i 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
<.hutU*1 a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
_
o.j({S 栅网尺寸：10cm
'8=/v*j>? 最大射频功率：600W（13.56MHz）
v n4z C 束電圧：100V～1500V
DB3qf>@ ? 最大束電流：500mA
%"^8$A?>,k 离子流密度分布：±10%以内
"{[\VsX|c 加速电压：100V～1000V
? OS0. 标准导入气体量：氧气或氩气
T{)_vQ b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
_{/[&vJ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
O i<yT"7 最大中和電流：1500mA
-tfUkGdx;l 标准导入气体量：氩气
yt<h!k$ _P 7） 光学膜厚监控
GglGFXOL- 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
LkXho>y 波長范围：350～1100nm
bE?X?[K 波長精度：<±1nm
f$ 7 C 5 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
P1ak>T *#2 波长再现性：±0.25 nm
us +z8Mz 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
b8E7/~<z3 8） 水晶膜厚监控
)+|Y;zC9 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
ty'/i!/\ 水晶开始频率：6.0MHz
Kr;;aT0P 频率变化测定分解能：±0.028Hz
Xy r'rm5+b 测定时间间隔：0.25秒
Kc, i$FH j 4I ~ 3. 标准工艺
d,toU I 1) ITO
/36g f 2)太阳电池减反膜
-e"A)Bpl( <~P!yL r 3)高反膜
pQ> |d H+. b0Dco 0U( 4)截止滤光片
[iZH[7&j 4: 5M,p 5)UV-IRCUT
m`}mbm^
1D_& n@ `x_}mdR 5．操作手册
Ft38)T"2R\ 1) 目的
[:uHe#L 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
e;g7Ek3n 2) 使用范围
%%N T m 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
F?[1 m2 3) 注意事项
L9-Jwy2(> 1.开机前检查水电气是否正常
[S1 b\f# 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
c0Pj})- 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
f;AI4:#I 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
]|tR8`DGZ% 4) 准备工作
U $Z<lx2P 1.基片清洗
k||d X(gl 2.补充源材料
S`$%C=a. 3.清理真空室
| 1zfXG,R 5) 操作步骤
*<X1M~p$ 1、开机
)K$YL='kX 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
Lq;T\m_de 1.2 打开总电源
lX.-qCV"B 1.3 打开UPS电源
\Y>b#*m(4 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
v>j,8E 机，进行冷泵再生过程。
eL~3 CAV{ 2、放样
b
b.UtoPz 2.1 清理真空室
RMiDV^.u` 2.2 补充源材料
4.^ T~n G 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
E- [Eg 2.4 放入样品
yjsj+K
pL 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
qoOwR[NDcq 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
ul#y'i Y] 3、熔源与蒸发镀膜
ptrwZ8' 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
a"X h 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
*5 .ww V 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
_GFh+eS} 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
g?Tev^D 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
:P/VBX h DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
v?
OUd^ 3.6 打开气体流量控制仪
/Ry% K4$ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
(qvH=VT wP 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
uAqiL>y 4、取样
\Oq8kJ= 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
q /@+.q 行充气过程
-fXQ62:S 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
x"g)pGsT 清理真空室，进入到下一个循环。
&bz% @p; 5、关机
g(W+[kj) 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
1G7l+6w5~^ 5.2 关闭UPS，总电源
Le:C8^ 5.3 关闭水、气
