1. 背景知识
)mOM!I7D@ 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
%regt{ 2. 设备能力
%RtL4"M2j OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
NnHaHX K*DH_\SPK 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
;-py h ( 2） 排气性能
0<@['W}G 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
Pi?G:IF 极限真空：低于5.0E-5Pa
GU/P%c/V 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
-A<@Pg 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
Myg;2 . 3） 基板加熱特性
Q) aZ0 Pt 最大设定温度: 350℃
Ieq _XF]U 加热40分钟以内，能到达300℃
JS m7-p|E 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
>/4[OPB0R 4） 电子枪/电源(JEOL制)
\VOv&s;h 电子枪（BS-60050EBS）：
&53 ,8r (10kW，270°偏转)
Uq'W<.v 5 电压 -4～-10kV(连续可变)
EHf ,VIC8 5） 坩埚
l%mp49< 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
sj/k';#g 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
)A DI[+KW 6） 离子源
$X Uck[ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
ju[y-am$/ a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
x!s=Nola
栅网尺寸：10cm
u 5rvrn ] 最大射频功率：600W（13.56MHz）
%`5K8eB 束電圧：100V～1500V
af @a / 最大束電流：500mA
tF/Ni*\^rV 离子流密度分布：±10%以内
|H^v8^%>zm 加速电压：100V～1000V
#U%HG TE0 标准导入气体量：氧气或氩气
s 92ol0` b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
nPI$<yW7F 最大射频功率：150W（13.56MHz）
( fl$$$ 最大中和電流：1500mA
~Y~M}4 标准导入气体量：氩气
d ]|K%<+( 7） 光学膜厚监控
*^ G, 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
SOsz=bVx 波長范围：350～1100nm
%4M,f.[e 波長精度：<±1nm
fHZ9w K> 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
} L|B@fW 波长再现性：±0.25 nm
M'R
] '' 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
Y[PC<-fyf 8） 水晶膜厚监控
Q
-$)
H;, 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
6l4= 水晶开始频率：6.0MHz
|dHtv 6I 频率变化测定分解能：±0.028Hz
q!U$\ Q& 测定时间间隔：0.25秒
g ^|R;s{ 0w TOdCvmb 3. 标准工艺
R%2.N!8 v 1) ITO
qk^/ &j 2)太阳电池减反膜
=IX-n$d`> NM:$Q< n 3)高反膜
SfY 5Xgp *wJz0ex7R/ 4)截止滤光片
C]JK'K<7- H2[0@|<< 5)UV-IRCUT
9L-jlAo< [8Z#Hj hQ SFwY%2np)! 5．操作手册
T ?A3f] U 1) 目的
l+y;>21sTu 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
)AcevEHB 2) 使用范围
C`qV+pV 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
6Ktq7'Z@ 3) 注意事项
j$6Q]5KdoS 1.开机前检查水电气是否正常
*(vh | 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
t&x\@p9 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
pd,d"+ 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
K9 }Brhe 4) 准备工作
c]U+6JH 1.基片清洗
"B +F6 2.补充源材料
1K|F;p 3.清理真空室
RRQv<x 5) 操作步骤
AG% [?1IXW 1、开机
lJfk4 -;M 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
*m> [\) 1.2 打开总电源
DS @Yto 1.3 打开UPS电源
=5^1Bl 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
<9xr? i= 机，进行冷泵再生过程。
jvR(e" 2、放样
H ~fF;
I 2.1 清理真空室
m&q0 _nay 2.2 补充源材料
\AoqOC2u 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
rk;]7Wu 2.4 放入样品
{=J: 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
Ax=)J{4v 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
d5 {=<j 3、熔源与蒸发镀膜
jHHCJOHB8 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
eAP
8! 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
pih 0ME}z 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
sL\ {.ad5 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
yEh{9S%6p 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
Gi@c`lRd1 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
x2H IS xg 3.6 打开气体流量控制仪
"+&pd!\ 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
[%6 ) 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
d>MDC
.
j 4、取样
#J5_z# -Q; 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
bJ6C7-w:wa 行充气过程
e~'z;% O~ 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Tz9 (</y 清理真空室，进入到下一个循环。
-nUK%a"(D 5、关机
SE i\H$ ! 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
(IjM 5.2 关闭UPS，总电源
5{DwD{Q 5.3 关闭水、气
