1. 背景知识
\N\Jny 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
Uhc2`r#q 2. 设备能力
:7t~p&J OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
W9~vBU zV\\T(R) 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
P1b5=/}:V
2） 排气性能
**V^8'W< 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
F:.rb
Ei 极限真空：低于5.0E-5Pa
TOo0rcl 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
/wB< 1b" 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
0/ d+26lR 3） 基板加熱特性
LL+R OX^M 最大设定温度: 350℃
)mi Y>7K 加热40分钟以内，能到达300℃
GZ# 6}/;b 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
gG0P &9 xz 4） 电子枪/电源(JEOL制)
q/Dc*Qn
m 电子枪（BS-60050EBS）：
}qlU (10kW，270°偏转)
LlP_`fA 电压 -4～-10kV(连续可变)
cB
U,! 5） 坩埚
d]0.6T1[K 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
(M iEXU~v 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
#EiOC.A= 6） 离子源
<N11$t&_ 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
8B C F.y a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
Yxye?R-: 栅网尺寸：10cm
u+eA>{ 最大射频功率：600W（13.56MHz）
~9JU_R^%m 束電圧：100V～1500V
GwHMXtj4 最大束電流：500mA
Z
55iq 离子流密度分布：±10%以内
[vkz<sL" 加速电压：100V～1000V
>s}b q#x 标准导入气体量：氧气或氩气
V3fd]r IP b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
!8^:19+ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
TJ3 CXyRq 最大中和電流：1500mA
=.,]} 标准导入气体量：氩气
m5lMh14E 7） 光学膜厚监控
rK W<kQT 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
B5>h@p-UV 波長范围：350～1100nm
$E@L{5Yt 波長精度：<±1nm
/T`L;YE 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
nj99!"_ 波长再现性：±0.25 nm
OJ n g
安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
((wG
K|d 8） 水晶膜厚监控
i.I iwe0G 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
F|q-ZlpW- 水晶开始频率：6.0MHz
|?6r&bT 频率变化测定分解能：±0.028Hz
_Z'j%/-4@D 测定时间间隔：0.25秒
7q*L-Xe]k mHjds77e 3. 标准工艺
S~fQ8t70 1) ITO
w}VS mt$F 2)太阳电池减反膜
j?D=Ij "o !> T.*8 3)高反膜
>| %m#JG rMIr&T 4)截止滤光片
bj4cW\b( ^& ZlV 5)UV-IRCUT
uj|{TV>v9 1UX"iO x( y#8|
@? 5．操作手册
09<O b[%h 1) 目的
(KR$PLxDK 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
kD:O$8[J8 2) 使用范围
XYIZ^_My 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
hko0
?z 3) 注意事项
Uj&2'>MJ$ 1.开机前检查水电气是否正常
RWtD81(oC' 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
]5W0zNb* 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
PV vNu5k 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
8qL *Nf 4) 准备工作
UA$
X jP 1.基片清洗
|
Zx 2.补充源材料
iLw O4i 3.清理真空室
@O9 .~6 5) 操作步骤
GFasGHAw 1、开机
;rWgt!l 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
4VINu 9\V 1.2 打开总电源
Iih~W& 1.3 打开UPS电源
@'`!2[2'? 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
}N^.4HOS8 机，进行冷泵再生过程。
mY ?^] 3-_ 2、放样
{Y-<#U~iH 2.1 清理真空室
o
%sBU 2.2 补充源材料
/,dcr* 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
rLO1Sv 2.4 放入样品
<RY5ZP 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
/n;-f%dL 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
T X.YTU 3、熔源与蒸发镀膜
?_q
e
2R. 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
X[b= 25Ct 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
E> f+ E8? 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
;n_ |t/= 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
9 lE[oAC 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
=?>f[J5 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
^6s< 3.6 打开气体流量控制仪
9,\b $?9 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
d:*,HzG 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
R=P=?U. 4、取样
tcyami6D4 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
5Z/x Y & 行充气过程
7K3S\oPej 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
4E]w4BG) 清理真空室，进入到下一个循环。
M72. 5、关机
X@KF}x's 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
C o v,#j j 5.2 关闭UPS，总电源
*4#)or 5.3 关闭水、气
