1. 背景知识
g/J^K*3] 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
=qVAvo ' 2. 设备能力
l.Lc]Z pB OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
wE.@0 ^O,6(@> 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
g
tSHy*3] 2） 排气性能
NR@SDW 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
] "7El;2z 极限真空：低于5.0E-5Pa
-qr:c9\px 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
U iPV Z@? 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
' ]H#0. 3） 基板加熱特性
|<5J 最大设定温度: 350℃
;_;H(%uY 加热40分钟以内，能到达300℃
~"hAb2 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
Jg?pW:}R 4） 电子枪/电源(JEOL制)
s^x , S 电子枪（BS-60050EBS）：
YC+ZVp"v (10kW，270°偏转)
,YzC) (- 电压 -4～-10kV(连续可变)
RM / s : 5） 坩埚
Phjf$\pt 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
R?FtncL%D 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
3k|~tVM 6） 离子源
#|2g{7 g* 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
fjzr8vU}C a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
4pOc` 栅网尺寸：10cm
1tK6lrhj 最大射频功率：600W（13.56MHz）
;Ef)7GE@\[ 束電圧：100V～1500V
TQyFF/K 最大束電流：500mA
9 /^Bj 离子流密度分布：±10%以内
;L/T}!Dx 加速电压：100V～1000V
|Z +E(F 标准导入气体量：氧气或氩气
S@ rsQ@PA b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
Ij,?G* 最大射频功率：150W（13.56MHz）
5w -G]b 最大中和電流：1500mA
+[go7A$5 标准导入气体量：氩气
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7） 光学膜厚监控
hgMn O J 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
V3Rnr8 波長范围：350～1100nm
{:q9: 波長精度：<±1nm
. KSr@Gz 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
P^ W$qy| 波长再现性：±0.25 nm
P#'DG W&W0 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
x sypIbN 8） 水晶膜厚监控
M<m e\s) 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
M}RFFg 水晶开始频率：6.0MHz
&|,qsDK( 频率变化测定分解能：±0.028Hz
c`[uQXv 测定时间间隔：0.25秒
pJ@DHj2@
J T+lWhy 3. 标准工艺
LZ<( :S 1) ITO
>w2Wy YJYH 2)太阳电池减反膜
x'PjP1 ^i,0n}> 3)高反膜
za 4B+&JJ
OCoRcrAx 4)截止滤光片
70l;**"4 'm.XmVZL% 5)UV-IRCUT
*/m~m? / o3FK o\V t $ 5．操作手册
Z` Eb
L 1) 目的
tfU3 6 PR 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
in|7ucSlg 2) 使用范围
pzp"NKx i 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
^)K[1]"uM 3) 注意事项
?^A:~" ~ 1.开机前检查水电气是否正常
AZ@Z o' 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
pt;Sk?-1 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
]m,p 3 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
LR?#H)$ 4) 准备工作
z.F+$6 1.基片清洗
SNV+.xN 2.补充源材料
SYhspB 3.清理真空室
$ }bC$ ?^ 5) 操作步骤
?;QKe0I^ 1、开机
iPL'JVPZ 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
].+G- <.: 1.2 打开总电源
"S} hcAL/ 1.3 打开UPS电源
!6`nN1A 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
.j@n6RyN 机，进行冷泵再生过程。
?At-
2、放样
EJ|ZZYke! 2.1 清理真空室
u, k8i:JY 2.2 补充源材料
WmBnc#>gK 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
Sgk{NM7|k 2.4 放入样品
h | 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
S~9kp?kR$ 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
uy%PTi +A 3、熔源与蒸发镀膜
aWK7 -n 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
ZuV 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
K&oO+ G^f 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
R ^C;D 2 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
P+l^ Ep8P 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
^]K)V DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
87* [o 3.6 打开气体流量控制仪
?(hQZR
0e 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
s8 O+&^(U 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
g9Qxf% } 4、取样
O!yn
`< l 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
p ;01a 行充气过程
?2/M W27w 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
Zd z GJ[$ 清理真空室，进入到下一个循环。
tHo/uW_~I 5、关机
cjpl_}'L: 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
YZJP7nN 5.2 关闭UPS，总电源
)y Y;% 5.3 关闭水、气
