1. 背景知识
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yHIh8 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
h <KE)^). 2. 设备能力
#i$/qk= N OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
|#<PI9)` lwS6"2q 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
k-5Enbkr 2） 排气性能
>uMj}<g#Z? 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
nX jf,J-T 极限真空：低于5.0E-5Pa
QcZ*dI7]: 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
) b<-=VR 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
_ _x2xtrH 3） 基板加熱特性
Gb)!]:8 最大设定温度: 350℃
Fa 加热40分钟以内，能到达300℃
GLI 5AbQK 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
`- ) !4oJ] 4） 电子枪/电源(JEOL制)
QWt ?` h= 电子枪（BS-60050EBS）：
_Wcr'*7 (10kW，270°偏转)
(Uo:WyVj|F 电压 -4～-10kV(连续可变)
G$X+g{ 5） 坩埚
rn1^6qy) 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
.j*muDVQn 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
sTu6KMn 6） 离子源
L2"fO 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
h-0sDt pR a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
#BA=?7 栅网尺寸：10cm
2-G he3 最大射频功率：600W（13.56MHz）
pJM~'tlHV 束電圧：100V～1500V
p-]v f$u 最大束電流：500mA
]"'$i4I{R 离子流密度分布：±10%以内
N[$bP)h7 加速电压：100V～1000V
b "U{@ 标准导入气体量：氧气或氩气
_g+^ jR4 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
)vH6N _ 最大射频功率：150W（13.56MHz）
r>fx5 5dw 最大中和電流：1500mA
<~:Lp:6 J 标准导入气体量：氩气
r:h\{ DVf 7） 光学膜厚监控
9qIdwDRY 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
1mT3$Z 波長范围：350～1100nm
tb;!2$ 波長精度：<±1nm
U1pL
`P1 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
w2B If[~t 波长再现性：±0.25 nm
V!!E)I 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
j{) _&|^{ 8） 水晶膜厚监控
jq6BwUN 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
sSVgDQ~q 水晶开始频率：6.0MHz
0c V=>|b>; 频率变化测定分解能：±0.028Hz
m.ib#Y)y 测定时间间隔：0.25秒
O 0Fw!IQk -phwzR\(t 3. 标准工艺
"#uX pCuw 1) ITO
HCP' V 2)太阳电池减反膜
xE/r:D # b& k !DeE 3)高反膜
i7h!,vaK _YVp$aKDR 4)截止滤光片
Gc= # c"X` OB 5)UV-IRCUT
m jdZ ^ YJZVi ic ve|:z 5．操作手册
H ]@M00C 1) 目的
/A3tY"Vn 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
Fl,(KST z 2) 使用范围
+bwSu)k 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
5&5
x[S8 3) 注意事项
?`PG`|2~ 1.开机前检查水电气是否正常
83 ,ATQg 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
`TNW LD@Z 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
HorFQ?8 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
=,B44:`r 4) 准备工作
T;(k 1.基片清洗
M1>< K: 2.补充源材料
BbA7X 3.清理真空室
h
WvQh 5) 操作步骤
<d xc"A 1、开机
# biI=S 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
c]]OV7;)> 1.2 打开总电源
hS) X`M 1.3 打开UPS电源
Z1j3 F 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
9pN},F91n: 机，进行冷泵再生过程。
]qZs^kQ 2、放样
__Kn 1H{ 2.1 清理真空室
-e H5s3:A 2.2 补充源材料
h^E"eC 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
BD6 oN] 2.4 放入样品
}?zy*yL 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
U ~krv> I 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
0zD[mt 3、熔源与蒸发镀膜
*n $=2v^A 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
X-$~j+YC 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
Y<lJj"G 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
;eYm+e^?. 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
~>:uMXyV2t 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
1-`Il]@?8 DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
2l5>>yY 3.6 打开气体流量控制仪
E/MD ]ox 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
?kfLOJQ:I 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
sem:" 4、取样
LadE4:oy 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
V=%j ]`Os 行充气过程
6?an._ C 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
{DzOXTI[Y 清理真空室，进入到下一个循环。
p^u;]~J O 5、关机
5>{S ^i~! 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
WEgJ_dB 5.2 关闭UPS，总电源
xVOoYr > O 5.3 关闭水、气
