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高功率LED製程技術  %Y nmuZ  
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LED 發展 n6Z|Q@F  
GaN發光效率 {S.>B
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Conventional versus Power LED R^&q-M=O[  
TYNTEK 40 mil Power chip e@<?zS6  
Snellius Law 全反射臨界角損失 N"7]R[*  
Light Extraction >{zk qvsQ&  
Lumileds AlGaInP LED V-yUJ#f8[  
Improved design of LEDs to increase efficiency t+Bf#:  
Lumileds AlGaInP LED mI1H!  
Truncated-inverted-pyramid LED *C

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Cree Standard and TIP LED的出光表現 3lxc4@Zmd  
Osram’s InGaN Chip Lxl_"kG  
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.......... Q[4: xkU  
鑽石切割與雷射切割 Gu0 ,)jy\  
共晶接合 Vm1-C<V9  
Au-Sn phase diagram 
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超音波接合 kGYTl,A{  
專利 Lumileds-3 )7cb6jCU  
覆晶元件的可靠度 #s5N[uK^m  
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