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高功率LED製程技術 5m;BL+>YE  
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LED 發展 Cs\jPh;"  
GaN發光效率 Z$B%V t  
Conventional versus Power LED -8R SE4)  
TYNTEK 40 mil Power chip s%8,'3&  
Snellius Law 全反射臨界角損失 -s1.v$g  
Light Extraction Z@%A(nZ_  
Lumileds AlGaInP LED $RunGaX!=N  
Improved design of LEDs to increase efficiency &pR 8sySu  
Lumileds AlGaInP LED fL
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Truncated-inverted-pyramid LED |n^rI\p%  
Cree Standard and TIP LED的出光表現 7\ZSXQy1W  
Osram’s InGaN Chip a*:GCGe  
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鑽石切割與雷射切割 u^#e7u  
共晶接合 d0&  
Au-Sn phase diagram YW&`PJ9o  
超音波接合 zL3zvOhu}  
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覆晶元件的可靠度 dV16'  
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下载地址：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-10825.html

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