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高功率LED製程技術 J6s]vV q"  
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LED 發展 nI]EfHU  
GaN發光效率 HQ-++;Q  
Conventional versus Power LED NCkI[d]B@  
TYNTEK 40 mil Power chip ?nW>'z  
Snellius Law 全反射臨界角損失 <EUR:  
Light Extraction I)'bf/6?  
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Improved design of LEDs to increase efficiency =
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Truncated-inverted-pyramid LED 7C7.}U  
Cree Standard and TIP LED的出光表現 )  FR7t  
Osram’s InGaN Chip K{ar)_V/  
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鑽石切割與雷射切割 0uDDaFS  
共晶接合 +v;z^+  
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超音波接合 ~I5hV}ZT  
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覆晶元件的可靠度 oVy{~D=  
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