[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 ponvi42u  
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Q8`  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： cgAcAcmY  
~CscctD{;  
1.正向特性 kdq55zTc<6  
Fh;(1X75I  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 irS62Xe  
xR3A4m  
2.反向特性 4v
7RX  
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tx7J\4  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 $fO*229As  
c{q`uI;O  
3.击穿特性 Ek6W:Q:@  
Dc2eY.  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 oB@C-(M  
VdgPb (  
ycN_<  
图1、二极管的伏安特性曲线 1d6pQ9 N  
X"sN~Q.0  
H'.d'OE:I  
4、频率特性 E'}$'n?:  
bC|~N0b  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 |SmN.*&(9  
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二、二极管的简易测试方法 pOXEM1"2A  
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二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 L.'N'-BV  
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表 二极管简易测试方法 ]Yy S
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B(5g&+{Lq~  
jn'8F$GU  
<|@9]>z  
三、二极管的主要参数 o/xE O=AW  
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1.正向电流IF J.*=7zmw  

ZJqmD  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 R!=XMV3$PH  
TBzM~y  
2.正向电压降VF G(- `FH  
\[BnAgsF  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 %AFy{l
  
a)e2WgVB/E  
3.最大整流电流（平均值）IOM Gu-Sv!4p  
Nb6HM~  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 K"D9.%7  
!PgYn  
4.反向击穿电压VB d@<XR~);  
C,E 5/XW  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 )-mB^7uXGv  
F{[Q  
5.正向反向峰值电压VRM )`)cB)s  
XxGm,A+>Ty  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 Pz?O_@Ln  
A U]
(pXK;  
6.反向电流IR G8SJ
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`?)i/jko"  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 }
)":
F  
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7.结电容C x
n-n{U"  
sG3%~  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 |qBo*OcO  
p(v.sP4w  
8.最高工作频率fm lr1i DwZV  
0wx`y$~R  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。