一、
二极管的特性
^Q+g ({
x c{hC4^V 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性
曲线如图1所示：
~NW32
O)/ +TXX$)3% 1.正向特性
!.d@L6 (<^ yqH? 另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
6{txm+U RjN{%YkXe 2.反向特性
Ol!ntNhXm F_CYYG Z 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
Y k=PS[ f ,G)r=$XU 3.击穿特性
z[Xd%mhjO '3uVkp 6tF 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
AM!G1^c H)n9O/u 
s_mS^`P7 图1、二极管的伏安特性曲线
EAM5{Nc qT+% ;( vh$%9ed 4、频率特性
p |! -,U3fts 由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
>3Eo@J,?d R6(oZp h 二、二极管的简易测试方法
H-
$)3"K /FRm2m83 二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表
电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表
UeRj< \"Q ~;N^g4s 表 二极管简易测试方法
OynXkH]0T+ : 2ED jW 
ml+; Rmvb "yS _s 三、二极管的主要
参数 6ZP"p<xX !4X
f~P 1.正向电流IF
nR-YrR*k yPal<c 在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
1]p ZrBh"E aJ>65RJ^= 2.正向电压降VF
jEZMUqGY! GaK-t* Q 二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
h%uZYsK `9BROZnq 3.最大整流电流（平均值）IOM
ATK_DE Au Kkm>e{0)AY 在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
BW$"`T@c6~ MB~=f[cUnd 4.反向击穿电压VB
XzEc2)0'v xjKR R? 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
fR(d 0|{u{w@!` 5.正向反向峰值电压VRM
c"B{/;A 73/P& hT 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
~=uWD&5B4 zo4qG+>o 6.反向电流IR
G?Q3/y( `ojoOB^L 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
2h5 nMI]' (pv+c , 7.结电容C
H}hiT/+$ s T}. v* 结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
xLK<W"%0 ww], y@da 8.最高工作频率fm
ewctkI$,5 =A83W/4 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
