[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 Wb1?
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y#B4m`9  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： a3f-9LN  
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1.正向特性 pO_$8=G+  
J,W<vrKOcN  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 z^FJ  
f>!H<4 ]  
2.反向特性 ITt*TuS2c  
hFQ*50n}  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 at 
)m*  
B7 #O>a  
3.击穿特性 p.ks jD  

S/2lK*F  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 G`oY(2U  
ZL7#44  
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图1、二极管的伏安特性曲线 kgv29j?k;  
Q2)CbHSz  
6)h~9iK  
4、频率特性 |uIgZ|7[  
YXlaE=9bn  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 L!c.1Rf_  
W6A-/;S\
 
二、二极管的简易测试方法 H"; !A=0  
0^25uAD=  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 GzN /0:b  
=mp"=%  
表 二极管简易测试方法 HYwtGj~5  
N0V`xrS  
i"h~QEE  
8o  SL3  
三、二极管的主要参数 MwHxn%  
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1.正向电流IF kZK1{  
mb?r{WCi  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 mD_sf_2>
 
(^~0%1  
2.正向电压降VF sLOkLz"x  
wZsjbNf`K  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 <*@!>6mS  
Htm;N2$d  
3.最大整流电流（平均值）IOM XEL~y  
.P(Ax:g  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 wlEmy.)H  
( d1ho=  
4.反向击穿电压VB 6sQY)F7p  
L$3{L"/   
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 jV.9d@EC  
G Tz>}
@W  
5.正向反向峰值电压VRM =
KW~k7TaN  
!F
08F>@D  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 j\\uW)ibG  
87-z=>IU  
6.反向电流IR Q-}cB  
u|sdQ  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 HXP/2&|JY  
/ptG  
7.结电容C (r-8*)Qh8  
vVFT0_  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 IWT -)+  
Y?4N%c_;  
8.最高工作频率fm zxrbEE Q  
[N_)V kpr  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。