一、
二极管的特性
O ]-8 % Ic&YiATj 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性
曲线如图1所示：
| "M1+(k7 LtKR15h, 1.正向特性
3KkJQ5a n ? =O@yq 另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
VJCj=jX R{aqn0M 2.反向特性
K g /, $`vXI%|. 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
_PwPLSg KZ65# UVX 3.击穿特性
Gb"kl.j S?D]P'< 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
V! TGFo} "^
dMCS@ 
k{|> !(Ax 图1、二极管的伏安特性曲线
qAlX#] d}Y#l}!E6 <RH%F hT 4、频率特性
6-5{7 E}/b b%C7 kL- 由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
.+u r+ " i auY?Cj'"fs 二、二极管的简易测试方法
=W"T= p*j j9/iBK\Y 二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表
电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表
z`u$C+ Ov wk^$DM/KJ) 表 二极管简易测试方法
: ?Z 9 wLE|J9t%Ea 
[IHG9Xg 5dX0C 三、二极管的主要
参数 w=ufJR j *`Ge8?qC 1.正向电流IF
hX-^h2eV ' fzJw 在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
'cK{FiIT $t5>1G1j7 2.正向电压降VF
ox";%|PP1 o JE<}~_k 二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
w-@6qMJ }<'ki
; 3.最大整流电流（平均值）IOM
lX 50JJwk IkGM ~3 e 在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
oIE3 `\xS "N}MhcdS 4.反向击穿电压VB
M3JV^{O/DV -y$<fu9
e 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
l Yj$ 3 X N3'k[ 5.正向反向峰值电压VRM
XF@34b5( 0juP"v$C> 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
|a'$v4dCF 9El{>&Fs4 6.反向电流IR
]& ='E.f T/hz23nH 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
F"23v G>3 eG.s|0` 7.结电容C
7Fzr\& z\WyL ; 结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
x69RQ+Vw >Wd _?NaI 8.最高工作频率fm
5+(Cp3 {aU|BdATI 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
