[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 b!;WF  
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二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： +zFEx%3^  
H#`&!p  
1.正向特性 T6,6lll  
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另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 BGT`) WP  
7sJGB^vM  
2.反向特性 3t]0  
M w+4atO4[  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 ~;uW) [  
OdJ=4 x>  
3.击穿特性 KU0;}GSNX}  
wB*}XJah  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 SQ`ec95',  
hcD.-(-;)  
ukXKUYNm8  
图1、二极管的伏安特性曲线 zL:k(7E   
k*T&>$k}^  
QTI^?@+N>  
4、频率特性 Bk4|ik}  

QtqE&j  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 gG6BEsGa,  
k$K>ml/h  
二、二极管的简易测试方法 A `=.F  
cA B^]j  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 w3oe.hWP3N  
1\Vp[^
#Vx  
表 二极管简易测试方法 0bMbM^xV6  
yCye3z.  
[IuF0$w=dj  
|Q~5TL>b  
三、二极管的主要参数 }2_i<4,L  
Os|
F  
1.正向电流IF kv/mqKVr  
yNmzRH u  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 rexy*Xv`2p  
e/u(Re  
2.正向电压降VF q0]Z` <w  
vJ!<7 l&  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 X6c['Zrc  
e;)&Hc:Z  
3.最大整流电流（平均值）IOM 3MFb\s&Fq  
+QVe -  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 B6a   
lw 9rf4RF  
4.反向击穿电压VB >5=uq _QY  
RjCEo4b-.H  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 GGwHz]1L  
BnLE+
X  
5.正向反向峰值电压VRM ~C2[5r{So  
0(dXU\Y  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 t12 xPtN1  
*6%r2l'kZ  
6.反向电流IR f)K1j{TZ  
'gwh:8Xc  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
0xg6  
5%Q[X  
7.结电容C /WKp\r(Hp  
!NFP=m1  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 u9%)_Q!14  
VjVL/SO/  
8.最高工作频率fm |F#L{=B  
JmK[7t  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。