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    [分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

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    离线小欣
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2010-02-01
    关键词: 晶体二极管
    一、二极管的特性 #YSUPO%F  
    ngN_,x 7yc  
    二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: 0|:Ic,  
    oa?eK  
    1.正向特性 _k@{> ?(a  
    5!*5mtI  
    另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 VQvl,'z  
    Yn}_"FO'  
    2.反向特性 :*!u\lV\  
    A2"xCJ0`  
    二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 3Ecm Nwr  
    w%k)J{\  
    3.击穿特性 Al`[Iu&  
    q'?:{k$%  
    当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 OI.2CF  
    (r.{v@h,dV  
    sHrpBm&O4  
    图1、二极管的伏安特性曲线 bkl'0 p  
    %Ys>PzM  
    wDZFOx0#8  
    4、频率特性 G1~|$X@@  
    *[7,@S/<F  
    由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 m=S[Y^tR  
    < P5;8  
    二、二极管的简易测试方法 0{Kl5>Z9M  
    T}[W')[s  
    二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 W &4`eB/4}  
    38Z"9  
    表 二极管简易测试方法 H+3I[`v  
    5 ^iU1\(L  
    k&DH QvfB  
    \sC0om,  
    三、二极管的主要参数 ) ZOmv  
    KF'H|)!K  
    1.正向电流IF %`}CbD6  
    #Y}Hh7.<  
    在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 @WEem(@  
    FzpWT-jnDd  
    2.正向电压降VF [`fq4Ky  
    i&>,aiH@  
    二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 :<&}/r  
    X{#@ :z$  
    3.最大整流电流(平均值)IOM Ai->,<Ig]  
    Mn~A;=%qF  
    在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 9$Mi/eLG2N  
    *!9/`zW  
    4.反向击穿电压VB 2c%}p0<;|?  
    d=qpTb;(  
    二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 e^XijId.  
    h;4g#|,  
    5.正向反向峰值电压VRM \-s) D#Y;r  
     A ]U]  
    二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 MmWJYF=  
    BQS9q'u_  
    6.反向电流IR 4!k={Pd  
    t48(GKF  
    在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 $xu?zd"  
    #]eXI $HP  
    7.结电容C +X*`}-3  
    1~ S Y  
    结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 4E |6l  
    Xp} vJl   
    8.最高工作频率fm Xb^\{s?b  
    f6L_u k`{  
    二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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    te67f42 光币 +1 原创内容,奖励! 2019-07-06
     
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