[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 VmBLNM?  
Km+29  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： NWCnt,FlY  
ui9gt"qS`  
1.正向特性 A ,LAA$  
\`>Y  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 l*'8B)vN2  
pKEMp&geo  
2.反向特性 q6j]j~JxB  
2d.I3z:[  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 BC@"WlD  
d/t'N-m  
3.击穿特性 3J'a  
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]QzNc  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 NPB':r-8  
zztW7MG2lQ  
G>:l(PW:  
图1、二极管的伏安特性曲线 l*X5<b9
 
r`<evwIe  
y]?$zbB  
4、频率特性 +\:I3nKs%  
/E]4N=T  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 tD4IwX  
,\=u(Y\I[  
二、二极管的简易测试方法 }FM<uBKW  
H>DJ-lG(  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 Ce_Z &?  
;quGy3  
表 二极管简易测试方法 `gss(o1}  
v(: VUo]H  
k*M{?4  
"{V,(w8Dt  
三、二极管的主要参数 B;K{V
o:C  
'HqAm$
V+  
1.正向电流IF 1H[lf B  
J25>t^  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 *=2jteG=3.  
3ZB;-F5v  
2.正向电压降VF x_@ev
-  
} KMdfA  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 zJ9,iJyuD  
O'wN4qb=F  
3.最大整流电流（平均值）IOM e<C5}#wt  
(c}0Sg  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 8F[j}.8q  
hD$U8~zK  
4.反向击穿电压VB T8KhmO  
hh8UKEM
-  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 p}Gk|Kjlq,  
JI*ikco-  
5.正向反向峰值电压VRM R]V`t^1  
Vy/g;ZPU1  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 "RShsJZMH  
M"_XaVl  
6.反向电流IR {UUVN/$  

#Se  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 lo(Ht=d  
#!hpe^t  
7.结电容C _c(=>  
l+N?:E$5=%  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 jOuv\$  
cX=` Tl  
8.最高工作频率fm 3] @<.  
4p-$5Fk8}  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。