[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 !P"?  
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二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： MYTS3(  
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1.正向特性 zH+<bEo=1=  
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另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 apaIJ+^[  
^I./L)0=}  
2.反向特性 )_O.{$ to  
Mw|SH;nM  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 \DyKtrnm%  
;qT5faKB3J  
3.击穿特性 ' C6:e?R  
i;HH ! TaN  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 4(iS-8{J  
u<q)SQ1  
drX4$Kdf]  
图1、二极管的伏安特性曲线 F`D9Zfd  
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X)NWX9^;'  
4、频率特性 /'NUZ9  
K-
<n`zg3  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 83xd@-czgh  
5@.zz"o.`  
二、二极管的简易测试方法 .9I_NG  
7 FIFSt  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 sKCGuw(mh  
GFY-IC+fc  
表 二极管简易测试方法 WnO DDr  
d5q4'6o,  
Y(W{Jd+  
Vd[2u  
三、二极管的主要参数 ;y,NC2Xj  
4Qhx[Hv>(  
1.正向电流IF zCM^r <Kr  
p1uN]T7>  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 4Q/r[x/&C  
5#BF,-Jv  
2.正向电压降VF 7ozYq_ $  
2:n|x5\H  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 c_[ JjG^?P  
w=gQ3j#s  
3.最大整流电流（平均值）IOM ],$6&Cm  
x:vrK#8D>  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 (S3jZ  
mf#fA2[  
4.反向击穿电压VB #VQ36pCd  
ZG!x$yi$  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 SUSc  
tc5M$b3^2  
5.正向反向峰值电压VRM 7ia"
u+Y  
4g S[D  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 NywB3  
t0+t9w/fTP  
6.反向电流IR - =yTAx  
Bac?'ypm  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 *(>Jd|C  
V_{vZ/0e  
7.结电容C ^v#+PyW  
a{5H33JA  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 AK%=DVkM  
-Zttj/K  
8.最高工作频率fm |F3vRt@  
'wegipK~R  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。