一、
二极管的特性
iM(Q-%H P_ Td,s"p>V q 二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性
曲线如图1所示：
fF]w[lLDv X(JE]6_ 1.正向特性
W\5PsGUsv G; Py%8 另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。
Qs\*r@6? S?<hs,
2.反向特性
pxb4x#CC %:e. E S 二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。
SI,
t:=D Q.} guI\ 3.击穿特性
8T?D#,/ am+w<NJ(us 当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。
k keD t+^ 9>9, 
EFn[[<&><t 图1、二极管的伏安特性曲线
o1Nfn'!3/> oe<DP7e &>P<Zw- 4、频率特性
`lA _knS /I &wh 由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。
w0 ^}c8%WR H*HL:o-[ 二、二极管的简易测试方法
)f,9 h D`R~d;U~ 二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表
电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表
xO&qo8* [,56oMd~ 表 二极管简易测试方法
,Q<mU4 E<sd\~~A: 
Z ygu/M 6 6{! Cx9V 三、二极管的主要
参数 $i @I |y/ {"c`k4R 1.正向电流IF
qL4s@<|~ ,ygUy] 在额定功率下，允许通过二极管的电流值。
x;{Hd;<YF X& mD/1 2.正向电压降VF
L%jIU<?Z7 !< >*|a 二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。
{5]c \_. `BVXF#sb 3.最大整流电流（平均值）IOM
2Q 5 -.2] mDx=n.lIz 在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。
M+*K-zt0 - 9Dr;2\ 4.反向击穿电压VB
-&l%CR,U [k f6bf@ 二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。
c9x&:U ]> B4 5.正向反向峰值电压VRM
Eq|5PE^7 Bbi yyRa 二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
|DYgc$2pN u+^KP>rM( 6.反向电流IR
1,P\dGmu }U ' 在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值
[&g"Z" N\|BaZ%>| 7.结电容C
;Yt+ {pI fN/;BT 结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。
U\(71 = i+F*vTM2, 8.最高工作频率fm
JIIc4fyy8s v: veKA 二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
