[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性
FPMW"~v  
2-CK:)n/#  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： SVHtv0Nx  
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1.正向特性 4q~E\l|.5  
lDA%M3(p  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 5u!
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5u8Sxfm",  
2.反向特性 Yk5kC0B  
XU54sk
N  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 R3<+z  
$pKS['J0  
3.击穿特性 &V;a:  
n-Xj>  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 Z~R i%XG  
Nf~<xK  
Psv!`K  
图1、二极管的伏安特性曲线 "&ks83  
E0|aI4S4  
BCj&z{5"7e  
4、频率特性 (1o^Dn3  
;Cy@TzO/|  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 Mc6y'w  
jL8zH  
二、二极管的简易测试方法 4j*}|@x  

I5~DC  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 Q
&J,"Vxw  
y/FisX  
表 二极管简易测试方法 s6$3[9Vh&9  
`#]\Wnp~y  
M Q6Y^,B  
C/bttd  
三、二极管的主要参数 (X9V-4  
W< n`[  
1.正向电流IF r~TT c)2  
= `^jz}  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 t'J fiGM  
u62sq: GjH  
2.正向电压降VF gU?)  
|h7v}Y  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 y AWDk0bx  
eZ!k'bS=  
3.最大整流电流（平均值）IOM ?Z=v&d[o)  
qj1z>,\  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 &0g,Xkr  
/\#5\dHj  
4.反向击穿电压VB vf2K2\fn  
^Toi_  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 dc05,Bz  
c&++[  
5.正向反向峰值电压VRM 6"GpE5'*  
k mjm6  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。
xeI{i{8  
j1ZFsTFMWp  
6.反向电流IR @>Keu\)  
:m d3@r']  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 Xo`1#6xsE  
'm|m+K83  
7.结电容C :~(im
_r  
ju#63  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 4i,SiFKB  
CC\z_C*P-p  
8.最高工作频率fm ~S3eatM$9  
*3$,f>W^  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。