[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 1H-d<G0)  
If*+yr|  
二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： LvPcH  
VG=mA4Dd  
1.正向特性 39yp1  
[X&VxTxr  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 I$y6N"|  
}Sx+:N*  
2.反向特性 %U uVD  
\3hj/   
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 G~+BO'U9'G  
v'e5j``=  
3.击穿特性  ob_*fP  
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19ZyQw9  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 2zPO3xL,  
[6u8EP0xM  
T?4I\SG  
图1、二极管的伏安特性曲线 C$x r)_  
*NjjFk=R  
uD0<|At/  
4、频率特性 %7wNS  
~lQ<#*wl  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 H[DBL  
nYb{?{_ca8  
二、二极管的简易测试方法 q(XO_1W0V  
X+%5q =N  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 /@O$jlX5I  
n# 4e1n+I  
表 二极管简易测试方法 ]n 'FD|  
xgQ&'&7l  
\:5M
0  
~gi,ky^!  
三、二极管的主要参数 4Q?3gA1  
YVW`|'7)|  
1.正向电流IF &a9Y4~e::  
(X?et &  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 *=)kR7,]9d  
XIRvIwO  
2.正向电压降VF c?t,,\o(}  
A>Y#-e;<d  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 zqlgJn  
@x[Arx^?}  
3.最大整流电流（平均值）IOM rk)h_zN  
nl/~7({  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 7H$wpn Zln  
mhi^zHpa  
4.反向击穿电压VB OaF[t*]D3  
:YUQKy  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 V+>.Gf  
p->b Vt  
5.正向反向峰值电压VRM ;hZ^zL  
;NPbEPL[5  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 *V[6ta
'
 
@3Nvf}He  
6.反向电流IR i7jI(VvB^  
O!ngQrI  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 5~H}%W,P  
f2,\B6+  
7.结电容C (!:+q$#BK  
F- l!i/  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 oeA}b-Ct0  
X775j"<d  
8.最高工作频率fm v[!ZRwk4w3  
A[8vD</}_  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。