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    [分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

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    离线小欣
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2010-02-01
    关键词: 晶体二极管
    一、二极管的特性 ?j!/ Hc/b4  
    u^ wG Vg  
    二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: -t`KCf,0  
    vy5{Vm".4  
    1.正向特性 w"Zws[pm]  
    t2.]v><  
    另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 :8)3t! A  
    ezJ^ r,D|  
    2.反向特性 f]Z9=  
    uX7"u*@Q*~  
    二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 /6N!$*8  
    R<h:>.M  
    3.击穿特性 yq[CA`zVN  
    8.`5"9Vh  
    当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 Jn0L_@  
    i2O$oHd  
    !qs~j=;y3  
    图1、二极管的伏安特性曲线 1RQM-0W,  
    C0e oV}  
    P]4u`&  
    4、频率特性 A:sP%c;  
    v>Kv!OY:c  
    由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 Q?m= a0g  
    ]ao%9:P;  
    二、二极管的简易测试方法 F*B^#AZg  
    m<4tH5 };d  
    二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 uhmSp+%  
    ''EFh&F  
    表 二极管简易测试方法 =p!Hl#  
    ]'i}}/}u2  
    ss7Z-A4z  
    1NlpOVq:)  
    三、二极管的主要参数 h7\16j  
    6O'B:5~[2  
    1.正向电流IF l(tMo7iPa  
    7tT L,Nxe  
    在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 lS`VJA6l.  
    h4M>k{  
    2.正向电压降VF R^4 j0L  
    9;pD0h|  
    二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 Mg^3Y'{o  
    -v WX L  
    3.最大整流电流(平均值)IOM +u7nx  
    { r8H5X  
    在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 :"oUnBY%  
    n<7R6)j6  
    4.反向击穿电压VB O#D N3yu?  
    +@C|u'  
    二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。  A,|lDsvM  
    2`/p V0  
    5.正向反向峰值电压VRM `>}e 5  
    |f&=9%  
    二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 Q|HOy8O}Z  
    a<Pt m(,  
    6.反向电流IR ?pF uV`Zm  
    cLnvb!g'#  
    在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 >9]i#So^  
    9"k^:}8.  
    7.结电容C NA8$G|.?  
    ZzO.s$  
    结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 2SVJKX_V+  
    J{5&L &4  
    8.最高工作频率fm m3K .\3  
    XFN4m #  
    二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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    te67f42 光币 +1 原创内容,奖励! 2019-07-06
     
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