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    [分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

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    离线小欣
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2010-02-01
    关键词: 晶体二极管
    一、二极管的特性 EFu>  
    u(ETc* D]  
    二极管最主要的特性是单向导电性,其伏安特性曲线如图1所示: $ylxl"Y  
    VHL[Y  
    1.正向特性 8|\xU9VT  
    Jr>Nc}!U  
    另在二极管两端的正向电压(P为正、N为负)很小时(锗管小于0.1伏,硅管小于0.5伏),管子不导通处于“死区”状态,当正向电压起过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加(见曲线I段)。不同材料的二极管,起始电压不同,硅管为0.5-.7伏左右,锗管为0.1-0.3左右。 SF[Z]|0gs  
    R F;u1vEQ8  
    2.反向特性 %fh-x(4v  
    &G3$q,`H  
    二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流(见曲线II段)。不同材料的二极管,反向电流大小不同,硅管约为1微安到几十微安,锗管则可高达数百微安,另外,反向电流受温度变化的影响很大,锗管的稳定性比硅管差。 %@C$xM"  
    PK_2  
    3.击穿特性 ;b_<5S  
    x LK,Je  
    当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿(见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压,不同结构、工艺和材料制成的管子,其反向击穿电压值差异很大,可由1伏到几百伏,甚至高达数千伏。 a4q02 cV  
    ZCfd<NS?  
    1X?q4D"  
    图1、二极管的伏安特性曲线 JNu+e#.Y  
    ;N _ %O  
    :"+3Uk2  
    4、频率特性 hm1.UE  
    CY!H)6k  
    由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。 Jf@Xz7{z  
    BbzIQg:  
    二、二极管的简易测试方法 l@@ qpaH  
    `0R>r7f)H  
    二极管的极性通常在管壳上注有标记,如无标记,可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断(一般用R×100或×1K档)具体方法如表 f>?b2a2HX  
    9a'}j#mJo  
    表 二极管简易测试方法 :1#$p  
    fs#9*<]m  
    J^pq<   
    1L3 $h0i  
    三、二极管的主要参数 2W63/kRbU  
    ;9uDV -"  
    1.正向电流IF )/bv@Am  
    R ggZ'.\  
    在额定功率下,允许通过二极管的电流值。 n."XiXsN  
    df$pT?o  
    2.正向电压降VF u>2opI~m  
    R>,_C7]u  
    二极管通过额定正向电流时,在两极间所产生的电压降。 5N|hsfkx  
    S Fqq(K2u  
    3.最大整流电流(平均值)IOM :IozWPs*  
    *+J`Yk7}  
    在半波整流连续工作的情况下,允许的最大半波电流的平均值。 Lcs?2c:%  
    u4[rA2Bf8E  
    4.反向击穿电压VB 4}<[4]f?|  
    ,u.A[{@py  
    二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 ` >k7^!Ds  
    z+nq<%"'  
    5.正向反向峰值电压VRM 4uv*F:eo  
    p4Xhs@.k  
    二极管正常工作时所允许的反向电压峰值,通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 "s\himoa  
    XeAH.i<  
    6.反向电流IR LlbE]_Z!U%  
    [iN\R+:  
    在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 ^O3p:X4u  
    Qmj%otSg  
    7.结电容C 3u= >Y^wu  
    u9ue>I /  
    结电容包括电容和扩散电容,在高频场合下使用时,要求结电容小于某一规定数值。 gyv@_}Y3  
    <T$rvS  
    8.最高工作频率fm ->@iw!5xu  
    %){)/~e&  
    二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。
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    te67f42 光币 +1 原创内容,奖励! 2019-07-06
     
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