[分享]晶体二极管的特性、参数和测试方法 [复制链接]

一、二极管的特性 C.se/\PE  
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二极管最主要的特性是单向导电性，其伏安特性曲线如图1所示： *O-m:M!eA  
(&/~q:a>  
1.正向特性 v,US4C|^3i  
0iz\<' p  
另在二极管两端的正向电压（P为正、N为负）很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），管子不导通处于“死区”状态，当正向电压起过一定数值后，管子才导通，电压再稍微增大，电流急剧暗加（见曲线I段）。不同材料的二极管，起始电压不同，硅管为0.5-.7伏左右，锗管为0.1-0.3左右。 q-e3;$  
cQ0+kX<  
2.反向特性 K=dG-
+B~}  
7}tXF  
二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，当反向电压逐渐增加时，反向电流基本保持不变，这时的电流称为反向饱和电流（见曲线II段)。不同材料的二极管，反向电流大小不同，硅管约为1微安到几十微安，锗管则可高达数百微安，另外，反向电流受温度变化的影响很大，锗管的稳定性比硅管差。 ZZ>(o d!B  
1NK,:m  
3.击穿特性 ]_4HtcL4  
+V#dJ[,8;.  
当反向电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿（见曲线III)。这时的反向电压称为反向击穿电压，不同结构、工艺和材料制成的管子，其反向击穿电压值差异很大，可由1伏到几百伏，甚至高达数千伏。 |s!n7%|,7  
5[^Rf'wy  

ZPHatC  
图1、二极管的伏安特性曲线 \r&(l1R  
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4、频率特性 :}o{<U  
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z}M(<G  
由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使PN结短路。导致二极管失去单向导电性，不能工作，PN结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。 al4X}  
!'=<u
U-  
二、二极管的简易测试方法 quFNPdP  
A.<M*[{q  
二极管的极性通常在管壳上注有标记，如无标记，可用万用表电阻档测量其正反向电阻来判断（一般用R×100或×1K档）具体方法如表 &3P"l.j  
jf& oN]sZ  
表 二极管简易测试方法 P_M!h~  
) =|8%IrB  
@%6"xnb`  
|1/?>=dDm  
三、二极管的主要参数 +^%
0/0e  
z>spRl,dr  
1.正向电流IF kX:8sbZ##4  
H7Pw>Ta ;  
在额定功率下，允许通过二极管的电流值。 No]#RvEd3  
*(nu0  
2.正向电压降VF CbT ;#0  
s18A  
二极管通过额定正向电流时，在两极间所产生的电压降。 bWMb@zm  
Qs_]U  
3.最大整流电流（平均值）IOM L#/<y{  
TZ PUVOtL_  
在半波整流连续工作的情况下，允许的最大半波电流的平均值。 tSaD=#v  
A)kdY!}  
4.反向击穿电压VB Kp/l2?J"  
{z8wFL\  
二极管反向电流急剧增大到出现击穿现象时的反向电压值。 fyv S1_  
-4S4I  
5.正向反向峰值电压VRM 8|rlP  
D*)"?LG  
二极管正常工作时所允许的反向电压峰值，通常VRM为VP的三分之二或略小一些。 ,f[Oy:fr  
@G=_nZxv  
6.反向电流IR iM{cr&0  
-M`+hVs?  
在规定的反向电压条件下流过二极管的反向电流值 5K$d4KT  
BU%gXr4Ra  
7.结电容C .Kk'N  
7T=:dv  
结电容包括电容和扩散电容，在高频场合下使用时，要求结电容小于某一规定数值。 *GM.2``e  
 C0j`H(  
8.最高工作频率fm wUmcA~3D  
nsi&r  
二极管具有单向导电性的最高交流信号的频率。