《
半导体材料与
器件表征技术》详细介绍了现代半导体工业中半导体材料和器件的表征技术,基本上覆盖了所有的电学与
光学测试方法,以及非常专业的与半导体材料相关的
物理和化学测试方法。作者不但论述了测量中的相关物理问题及半导体材料与器件的
参数的物理起源和物理意义,还将自己和他人的经验凝结其中,并给出了具体测量手段,同时指出不同手段的局限性和测量注意事项。
wvby?MhPY 本版经修订及扩展,增加了许多逐渐成熟起来的表征技术,如从探测硅晶圆中
金属杂质的扫描探针到用于无接触式
电阻测量的微波反射技术。本版特色如下:
`[fxyg:u 增加了可靠性和探针显微技术方面的全新内容;增加了大量例题和章后
习题;修订了500幅图例;更新了超过1200条参考文献;采用了更合适的单位制,而不是严格的MKS单位制。
3V<&| 《半导体材料与器件表征技术》可作为硕士、博士研究生的教材,也可供高校教师、半导体工业研究人员参考使用。
19UN*g3( DIETER K.SCHRODER是亚利桑那州立大学
电子工程系教授,亚利桑那州立大学工程学院教学杰出贡献奖获得者,曾著《现代MOS器件》一书。
c&nh>oN 全书共分电学表征、光学表征和物理表征三个部分,主要对半导体材料和器件表征技术作了介绍,具体内容包括电阻率、载流子和掺杂浓度、载流子寿命、光学表征、物理化学特性的表征等。《半导体材料与器件表征技术》在国外被广泛选用为研究生专业课教材及工程技术人员的参考书,并在文献中被大量引用。
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gl%`qf6:O %;"@Ah s Be7"^ 第1章 电阻率
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9 1.1 简介
~+6Vdxm 1.2 两探针与四探针
EcL-V>U#M 练习1.1
na+d;h*~y 1.2.1 修正因子
w3T ]H_V 练习1.2
Zyf P;& 练习1.3
S.*~C0" 练习1.4
/e@H^Cgo 1.2.2 任意形状样品的电阻率
OQ&'Dti 1.2.3 测量
电路 \}0-^(9zd 1.2.4 测量偏差和注意事项
""iaGH+Cxw 1.3 晶片映像
dt\jGD 1.3.1 二次注入
{R6HG{"IS6 1.3.2 调制光反射
eOT+'[3" 1.3.3 载流子发射(CI)
V@-)\RZm 1.3.4 光密度测定法
=n(3o$r( 1.4 电阻率分布
C#0Qd% 1.4.1 微分霍耳效应(DHE)
s#9Ui#[=h 练习1.5
#'baPqdO 1.4.2 扩展电阻剖面分布(SRP)
5s{j=.O 1.5 非接触方法
(qMj-l 1.5.1 涡流
!D^c3d
1.6 电导率类型
Fg]?zEa 1.7 优点和缺点
b\7iY&.C| 附录1.1 以掺杂浓度为函数的电阻率
pKG<Nvgz& 附录1.2 本征载流子浓度
@C_KV0i 习题
,5
j"ruZ 参考文献
B=f,QU 第2章 载流子和掺杂浓度
-e GL) M 2.1 简介
q'[}9e`Q 2.2 电容-电压测量
O*6n$dUj3 2.2.1 微分电容
K$ }a8rH 2.2.2 带差
"_UdBG 2.2.3 最大-最小MOS-C电容
HeGYu?& 练习2.1
#18 FA| 2.2.4 积分电容
g`^X#-!( 2.2.5 汞探针接触
igL<g 2.2.6 电化学Cy剖面分析
<6TT)t<h 2.3 电流-电压测量
Fh|#u:n 2.3.1 MOSFET衬底电压-栅电压
w'4AJ Q|; 2.3.2 MOSFET阈值电压
g]~h(mI ……
Uh
eC 第3章 接触电阻、肖特基势驿及电迁移
)::>q5c 第4章 串联电阻、沟道长度与宽度、阈值电压及热载流子
G6P)C##ibn 第5章 缺陷
@oP_;G 第6章 氧化物、界面陷阱电茶及气化物完整性
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Z{W 第7章 载流子寿命
Oc].@Jy 第8章 迁移率
IA zZ1#/3 第9章 光学表征
2|iV,uJ& ……
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