半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ;<2G  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 (<oyN7NT  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 'V=P*#|SR  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 pWsDzb6?%  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 &<U0ZvrsH  

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第1章 真空技术 p\ZNy\N^  
1.1 真空的基本概念 z(^]J`+\  
1.1.1 真空的定义 o,8TDg  
1.1.2 真空度单位 A_5P/ARmI  
1.1.3 真空区域划分 !XCm>]R  
1.2 真空的获得 dl@%`E48w  
1.3 真空度测量 [>%xd)8.c  
1.3.1 热传导真空计 }YNR"X9*)/  
1.3.2 热阴极电离真空计 qC:raH_:  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ,+{LYF  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 4'A!; ]:  
参考文献 ssxzC4m  
}$Tl ?BRpU  
第2章 蒸发技术 >P@H#=  
2.1 发展历史与简介 TS9|a{j3!  
2.2 蒸发的种类 =i*;VFc  
2.2.1 电阻热蒸发 m6CI{Sa](l  
2.2.2 电子束蒸发 O7<]U_"I  
2.2.3 高频感应蒸发 .QJ5sgmh  
2.2.4 激光束蒸发 ?9\EN|O^  
2.2.5 反应蒸发 (HE9V]  
2.3 蒸发的应用实例 c>RFdc:U  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Zk"eA'"\  
2.3.2 ITO薄膜 =~H<Z LE+  
参考文献 u5: q$P  
`FTy+8mw  
第3章 溅射技术 S4Ww5G?.  
3.1 溅射基本原理 o`P%&  
3.2 溅射主要参数 9Ujo/3,Ak  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 J|bd)0  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 a$"Hvrj  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 A '5,LfTu  
3.3 溅射装置及工艺 |>27B  
3.3.1 阴极溅射 4^~(Mh-Mw  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 p@5`&Em,  
3.3.3 射频溅射 IS 2^g>T#1  
3.3.4 磁控溅射 -~30)J=e`  
3.3.5 反应溅射 `A^"%@j  
3.4 离子成膜技术 r)~ T@'y  
3.4.1 离子镀成膜 V7P&%oz{C  
3.4.2 离子束成膜 L3--r  
3.5 溅射技术的应用 U4-g^S[  
3.5.1 溅射生长过程 \$\ENQ;Nk  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 TbGn46!:  
参考文献 ^,8)iV0j_  
*q".-u!D[  
第4章 化学气相沉积 |>htvDL  
4.1 概述 TDNQu
_E  
4.2 硅化学气相沉积 pd7NF-KD  
4.2.1 CVD反应类型  L0@SCt  
4.2.2 CVD热力学分析 RyK\uv  
4.2.3 CVD动力学分析 (>GK\=:<  
4.2.4 不同硅源的外延生长 Vz)`nmO}5\  
4.2.5 成核 .#Z%1U%P.  
4.2.6 掺杂 %$Z7x\_  
4.2.7 外延层质量 .5,(_p^  
4.2.8 生长工艺 Vle@4]M\  
4.3 CVD技术的种类
)Es"LP]  
4.3.1 常压CVD -VTkG]{`Ir  
4.3.2 低压CVD 7cO n9fIE  
4.3.3 超高真空CVD JS
W}*HR  
4.4 能量增强CVD技术 (?{MEwHG  
4.4.1 等离子增强CVD kg3EY<4i  
4.4.2 光增强CVD i Ae<&Ms  
4.5 卤素输运法 NchXt6$i9  
4.5.1 氯化物法 (+3Wgl+]/  
4.5.2 氢化物法 A"D,Kg S  
4.6 MOCVD技术 .!,z:l$Kh  
4.6.1 MOCVD简介 :Q_<Z@2Y{  
4.6.2 MOCVD生长GaAs #KXa&C  
4.6.3 MOCVD生长GaN Mo @C9Y0  
4.6.4 MOCVD生长ZnO *"n vX2iz  
4.7 特色CVD技术 "7V2lu  
4.7.1 选择外延CVD技术 ;Tc`}2  
4.7.2 原子层外延 [P7N{l=I  
参考文献 <-S%kA8  
cwWodPNm  
第5章 脉冲激光沉积 p2udm!)J  
5.1 脉冲激光沉积概述 }S$@ Ez6  
5.2 PLD的基本原理 .dQQoyR+O  
5.2.1 激光与靶的相互作用 dW~*e2nq  
5.2.2 烧蚀物的传输 ux3<l+jv^  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 `Ru3L#@  
5.3 颗粒物的抑制 FE!lok  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
zs*
L~_K  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 7{qy7,Gp  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 .j>hI="b  
参考文献 C[Dav&=^F  
x,S P'fcP  
第6章 分子束外延 ) ^3avRsC  
6.1 引言 qfz8jY]  
6.2 分子束外延的原理和特点 .h5[Q/*h  
6.3 外延生长设备 5 Ho
^N1q  
6.4 分子束外延生长硅 $g+[
yb7@  
6.4.1 表面制备 {=-\|(Bx  
6.4.2 外延生长 qt^T6+faaQ  
6.4.3 掺杂  n>`as  
6.4.4 外延膜的质量诊断 jSuL5|Gui  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 JPWOPB'H  
6.5.1 MBE生长GaAs &F5@6nJ`  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs z7Eg5rm|QZ  
6.5.3 MBE生长GaN Bv.`R0e&  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 pBP.x#|  
6.6.1 HgCdTe材料 D<X.\})Md  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 YxinE`u~  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 k`p74MWu  
6.6.4 ZnSe、ZnTe BC;:  
6.6.5 ZnO薄膜 z)=+ F]  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 o9S+6@  
6.7.1 SiC：材料 GMZv RAui  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 7ei|XfR  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 v\"S Gc  
参考文献 CZt \JW+"  
j$Je6zq0x  
第7章 液相外延 t2iv(swTe  
7.1 液相外延生长的原理 -"[<ek  
7.1.1 液相外延基本概况 /q$,'^.A  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 U}l14  
7.2 液相外延生长方法和设备 ^3FE\V/=  
7.3 液相外延生长的特点 ~ Yngkt  
7.4 液相外延的应用实例 Tl|:9_:t  
7.4.1 硅材料 LtKI3ou  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 JHJ~X v  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 -tI'3oT1  
7.4.4 SiC材料 Yl$
SW;@  
参考文献 gOK\
%&S]  
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第8章 湿化学制备方法 w7n373y%  
8.1 溶胶-凝胶技术 A &9(mB  
wgRsZ  
第9章 半导体超晶格和量子阱 @(i!YL  
第10章 半导体器件制备技术 FG!X"<he  
参考文献 BMIyskl=i  
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