半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 7&,$  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 5~pxu  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 b81^756  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 }alq~jY  
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第1章 真空技术 *_YH}U  
1.1 真空的基本概念 @D[+@N  
1.1.1 真空的定义 ?h1g$SBxk  
1.1.2 真空度单位 tJ\v>s-f  
1.1.3 真空区域划分 Iep_,o.Sk  
1.2 真空的获得 MMO/vJC  
1.3 真空度测量 '-(Z.e~e  
1.3.1 热传导真空计 v~x`a0  
1.3.2 热阴极电离真空计 Cn=#oE8
(A  
1.3.3 冷阴极电离真空计 HJb^l 4Q  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 _x|R`1`  
参考文献 fP 3eR>e  
x _kT Wq  
第2章 蒸发技术 #"oLz"{  
2.1 发展历史与简介 d_:f-  
2.2 蒸发的种类 /\qzTo  
2.2.1 电阻热蒸发 mph9/ %]S  
2.2.2 电子束蒸发 6W:]'L4!  
2.2.3 高频感应蒸发 IJ5'n  
2.2.4 激光束蒸发 kbvF 9#  
2.2.5 反应蒸发 ;>/Mal  
2.3 蒸发的应用实例 ^7Z?}tgU  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 L{1[:a)']B  
2.3.2 ITO薄膜 7}NvO"u  
参考文献 ;9#%E  
^[R/W VNk  
第3章 溅射技术 IR3+BDE)>  
3.1 溅射基本原理 w_"-rGV  
3.2 溅射主要参数 v6wg,,T  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 8LF=l1=~  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 pub?%  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 5w~ 0Q  
3.3 溅射装置及工艺 \'zloBU  
3.3.1 阴极溅射 Wm}T=L`  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 J@i9)D_  
3.3.3 射频溅射 a;a1>1  
3.3.4 磁控溅射 >`[+24e  
3.3.5 反应溅射 jT]R"U/Q  
3.4 离子成膜技术 DGTE#?'(  
3.4.1 离子镀成膜 XL44pE m  
3.4.2 离子束成膜 "5ISKuL  
3.5 溅射技术的应用 sSk qU  
3.5.1 溅射生长过程 ,*9gy$  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 eV
X/<9>  
参考文献 |}8SjZcQW  
pKLNBR|  
第4章 化学气相沉积 oV9{{  
4.1 概述 @o1#J`rv  
4.2 硅化学气相沉积 ? 47"$=G  
4.2.1 CVD反应类型 vqVwo\oEdU  
4.2.2 CVD热力学分析 ;jQ^8S  
4.2.3 CVD动力学分析 jUZ$vyT  
4.2.4 不同硅源的外延生长 B@z ng2[  
4.2.5 成核 OaT]2o  
4.2.6 掺杂 A|4 3W=  
4.2.7 外延层质量 (["V( $  
4.2.8 生长工艺 )Pc>+}D  
4.3 CVD技术的种类 *2.h*y'u  
4.3.1 常压CVD hhWy
-fP#  
4.3.2 低压CVD X$~T*l0  
4.3.3 超高真空CVD 4$mtc*tzT  
4.4 能量增强CVD技术 Gr}NgyT<!D  
4.4.1 等离子增强CVD K:VZ#U(_  
4.4.2 光增强CVD 1fM`n5?"  
4.5 卤素输运法 8df| 9E$  
4.5.1 氯化物法 b?!S$Sxz  
4.5.2 氢化物法 xh#pw2v7V  
4.6 MOCVD技术 1A* "v  
4.6.1 MOCVD简介 L&=r-\.ev  
4.6.2 MOCVD生长GaAs g-ZXj4Ph!  
4.6.3 MOCVD生长GaN {,(iL8,^  
4.6.4 MOCVD生长ZnO q<^MC/]  
4.7 特色CVD技术 ]Nssn\X7  
4.7.1 选择外延CVD技术 C7AD1rl  
4.7.2 原子层外延 iv],:|Mbd  
参考文献 j0Cj&x%qF}  
[wJ\.9<Oa  
第5章 脉冲激光沉积 ,_<|e\>~  
5.1 脉冲激光沉积概述 eR`Q7]j] -  
5.2 PLD的基本原理 ^qVBgBPb  
5.2.1 激光与靶的相互作用 A@:U|)+4  
5.2.2 烧蚀物的传输 SjF(;0kC  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 |TQ4:P1T  
5.3 颗粒物的抑制 %<p/s;eu  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 YRv96|c,  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 ^ rUq{  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 z yp3+|  
参考文献 CY*GCkH  
[}l 90
lP  
第6章 分子束外延 s +qodb+  
6.1 引言 8\C][ y  
6.2 分子束外延的原理和特点 <u],R.S)  
6.3 外延生长设备 'qG-
)2 t  
6.4 分子束外延生长硅 D#`>p  
6.4.1 表面制备 xoGrXt9&  
6.4.2 外延生长 ;|$oz{Ll  
6.4.3 掺杂 R[*n3 wB  
6.4.4 外延膜的质量诊断 E="uDHw+  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 =}I=s@  
6.5.1 MBE生长GaAs Eht8~"fj  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs Jt<J#M<}7  
6.5.3 MBE生长GaN C(8!("tU  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 a({N}ZDo  
6.6.1 HgCdTe材料 g>gf-2%Uo  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 B&1E&Cv_8  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 8A::q;  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Lp4F1H2t-  
6.6.5 ZnO薄膜 p-w:l*-`  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 5DkEJk7a  
6.7.1 SiC：材料 0jPUDkH*  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 voTP,R[}85  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Y%|dM/a`  
参考文献 bC) <K/Q9  
%""h:1/S  
第7章 液相外延 4}UJBb?  
7.1 液相外延生长的原理 4vvQ7e7  
7.1.1 液相外延基本概况 {^:NII]  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 SkCux  
7.2 液相外延生长方法和设备 &RI;!qn6(  
7.3 液相外延生长的特点 JY;u<xl  
7.4 液相外延的应用实例 Q7d@+C  
7.4.1 硅材料 v9KsE2Ei  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 (plT/0=^t  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料
kd]CV7(7  
7.4.4 SiC材料 + 660/ e8N  
参考文献 _Y}cK|3  
TiG?r$6v%  
第8章 湿化学制备方法 BpX`49  
8.1 溶胶-凝胶技术 fgC@(dvfk  
dV}]\8N  
第9章 半导体超晶格和量子阱 B%kC>J  
第10章 半导体器件制备技术 Ai^0{kF6  
参考文献 /& c2y=/'C  
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