半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 kzq29S  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 aj~bt-cE  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 Hwm?#6\5  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 Q0{z).&\(e  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 x3e]d$  

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第1章 真空技术 cUK\x2  
1.1 真空的基本概念 ecX/K.8l  
1.1.1 真空的定义 s(&;q4|  
1.1.2 真空度单位 )~rB}>^Z  
1.1.3 真空区域划分 D6Y6^eS-  
1.2 真空的获得 \NXQ  
1.3 真空度测量 z8Q"%
@  
1.3.1 热传导真空计 xq!IbVV/h  
1.3.2 热阴极电离真空计 >!9h6BoGV  
1.3.3 冷阴极电离真空计 OK`Z@X_,bW  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 (tl}q3U  
参考文献 m&R"2t_Z  
., :uZyG  
第2章 蒸发技术 ewB!IJxh  
2.1 发展历史与简介 Z,WW]Y,$  
2.2 蒸发的种类 idJh^YD  
2.2.1 电阻热蒸发 T 4|jz<iK]  
2.2.2 电子束蒸发 }.:d#]g8  
2.2.3 高频感应蒸发 C$#W{2x%6  
2.2.4 激光束蒸发 ^p_u.P  
2.2.5 反应蒸发 K@@9:T$  
2.3 蒸发的应用实例 G5{Ot>;*%  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 2W3W/> 2h  
2.3.2 ITO薄膜 XLTD;[
jO  
参考文献 gKL1c{BV  
k_3
j '  
第3章 溅射技术 H_X?dj15  
3.1 溅射基本原理 h)E|?b_  
3.2 溅射主要参数 ;IC'Gq  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Isovwd  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 D{AFL.r{  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 'Kis hXOn]  
3.3 溅射装置及工艺 vSM_]fn  
3.3.1 阴极溅射 "E>t, D  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 :HW>9nD
.  
3.3.3 射频溅射 JCQ:
+eqt  
3.3.4 磁控溅射  q{X T  
3.3.5 反应溅射 *?8RXer  
3.4 离子成膜技术 Q
#WE|,a  
3.4.1 离子镀成膜 3 Lje<KzL  
3.4.2 离子束成膜 w3#`1T`N  
3.5 溅射技术的应用 +p?hGoF=  
3.5.1 溅射生长过程 PV,"-Nv,  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 a{_ KSg  
参考文献 e~Hr(O+;e6  
G+yL;G/  
第4章 化学气相沉积 S?,_<GD)w  
4.1 概述 Igjr~@#  
4.2 硅化学气相沉积 \|Qb[{<:,  
4.2.1 CVD反应类型 +v[O  
4.2.2 CVD热力学分析 C6)R#  
4.2.3 CVD动力学分析 ;i9>}]6  
4.2.4 不同硅源的外延生长 O3ZM
:,.  
4.2.5 成核 l#6&WWmr  
4.2.6 掺杂 Wg(bD,  
4.2.7 外延层质量 SOH%Q_  
4.2.8 生长工艺 IIaxgfhZ  
4.3 CVD技术的种类 ] SK[C" S  
4.3.1 常压CVD _[1^
s$  
4.3.2 低压CVD ycjJbL(.  
4.3.3 超高真空CVD S'?fJ.  
4.4 能量增强CVD技术 C<t RU5|  
4.4.1 等离子增强CVD +=,u jO:  
4.4.2 光增强CVD jvO3_Zt9
 
4.5 卤素输运法 kr{)  
4.5.1 氯化物法 o PaZ  
4.5.2 氢化物法 ! IgoL&=  
4.6 MOCVD技术 JmjxGcG  
4.6.1 MOCVD简介 i>"dBJh]b  
4.6.2 MOCVD生长GaAs M@~o6^  
4.6.3 MOCVD生长GaN Bj&_IDs4  
4.6.4 MOCVD生长ZnO "!a`ygqpT  
4.7 特色CVD技术 ?{j@6,
 
4.7.1 选择外延CVD技术 *')Q {8`  
4.7.2 原子层外延 iIB9j8  
参考文献 3"vRK5Bf  
^5>du~d  
第5章 脉冲激光沉积 bx7\QU+  
5.1 脉冲激光沉积概述 ~T&% VvI  
5.2 PLD的基本原理 H`?* bG  
5.2.1 激光与靶的相互作用 lO_c/o$  
5.2.2 烧蚀物的传输 {Ve D@  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 [Gf{f\O  
5.3 颗粒物的抑制 Q!x`M4   
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 @%H8"A  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 _iq2([BpL  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 lJ'trYaq7  
参考文献 YJc%h@_=]  
NZ)b:~a  
第6章 分子束外延 \KNdZC?V2  
6.1 引言 Uf^RLdoDn  
6.2 分子束外延的原理和特点  Lxz  
6.3 外延生长设备 rd|crD3  
6.4 分子束外延生长硅 -+' #*V  
6.4.1 表面制备 0IpST  
6.4.2 外延生长 iz$FcA]  
6.4.3 掺杂 a(5y>HF  
6.4.4 外延膜的质量诊断 \boL`X  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 &!6DC5  
6.5.1 MBE生长GaAs lc"qqt  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ru DP529;  
6.5.3 MBE生长GaN O!yakU+  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 y3IA '  
6.6.1 HgCdTe材料 .P8-~?&M  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 =tNzGaWJ  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 joY1(Y  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Dw*Arc+3V  
6.6.5 ZnO薄膜 {:3.27jQ  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 fMyE&#}z  
6.7.1 SiC：材料 xHm/^C&px  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 C#ZhsWS!b  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 {f&NStiB  
参考文献 e/ WBgiLw  
rQn{L{  
第7章 液相外延 .B6`OX&k  
7.1 液相外延生长的原理 (lieiye^  
7.1.1 液相外延基本概况 ^t`f1rGR  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 E3LBPXK  
7.2 液相外延生长方法和设备 =zz+<!!  
7.3 液相外延生长的特点 \m%J`{Mt  
7.4 液相外延的应用实例 Uld_X\;Q4  
7.4.1 硅材料 K/Sq2:  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 8g.AT@ ,Q  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 >1m)%zt  
7.4.4 SiC材料 fVG$8tB  
参考文献 (rAiDRQ[  
^@M[t<  
第8章 湿化学制备方法 lfXH7jL2~  
8.1 溶胶-凝胶技术 Go-wAJ>  
7[4_+Q:}  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Z+r%_|kZ  
第10章 半导体器件制备技术 {ms,q_Zr  
参考文献 ,Y$F
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