半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3376
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 Kh<v2  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 woR((K] #G  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 f=/S]o4/3  
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.^JID~<?#  
Preface xvii *%Gy-5hM  
CHAPTER 1 VJ_E]}H  
The Crystal Structure of Solids A*\4C3a'%  
1.0 Preview 1 puXJ:yo(  
1.1 Semiconductor Materials 2 2vj)3%:7#E  
1.2 Types of Solids 3 8{?Oi'-|0  
1.3 Space Lattices 4 %HYC-TF#  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 i7 p#%2  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 Zls4@/\Q  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices /jj}.X7yH  
1.3.4 The Diamond Structure 13 LgUaX  
1.4 Atomic Bonding 15 +hXph  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 [FyE{NfiJ%  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 #+Vvf  
1.5.2 Impurities in Solids 18 #XJYkaL  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 /-BplU*"9  
1.6.1 Growth from a Melt 20 p[Q   
1.6.2 Epitaxial Growth 22 lX5(KUN  
1.7 Device Fabrication Techniques: ,dh*GJ{5  
Oxidation 23 {'d?vm!r  
1.8 Summary 25 P\N`E?lJL  
Problems 27 2d$hgR#v  
CHAPTER 2 I[[rVts  
Theory of Solids 31 lfj>]om$  
2.0 Preview 31 -QZped;?*  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 IK %j+UB  
2.1.1 Energy Quanta 32 O^:Rm=,$  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 l'3NiIX  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 t}'Oh}CG  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 $fn Fi|-  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 e j!C^  
2.2.3 Periodic Table 40 <'GI<Hc  
2.3 Energy-Band Theory 41 /1MO]u\  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 w,`x(!&  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 1L &_3}  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 Ns1u0$fg  
2.3.4 Effective Mass 49 '{OZ[$E  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 6"A|)fz  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 G3?8GTH  
2,4 Density of States Function 55 ?J<4IvL/  
2.5 Statistical Mechanics 57 PJ #uYM  
2.5.1 Statistical Laws 57 #~p1\['|M  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ;TaT=%  
and the Fermi Energy 58 8Cm^#S,+  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 >nl *aN  
2.6 Summary 64 gCwg ;c-  
Problems 65 fMLm_5(H  
CHAPTER 3 :&TOQ<vM  
The Semiconductor in Equilibrium 70 Sf*VkH  
3.0 Preview 70 @~a52'\  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 gL}K84T$S  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 #j;&g1  
3.1.2 The no and Po Equations 74 < ^J!*>  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 ?,s{M^sj^  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 _Thc\{aV#  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 k87B+0QEL  
3.2.1 Qualitative Description 83 !-2 S(8  
3.2.2 Ionization Energy 86 "$Rl9(}  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 KWN&nP +  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 =2`s Uw}  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 Lb/a _8<E?  
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关键词: 半导体器件
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