半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3604
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 i'4B3  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 s@9vY\5[9  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 vu|n<  
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Preface xvii DBPRGQ  
CHAPTER 1 m6TNBX  
The Crystal Structure of Solids G"\`r* O  
1.0 Preview 1 %C$% !C  
1.1 Semiconductor Materials 2 _jJPbKz  
1.2 Types of Solids 3 M*z~gOZ  
1.3 Space Lattices 4 .Si,dc\  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 %70~M_  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 H$@`,{M629  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices N03HQp)g  
1.3.4 The Diamond Structure 13 7l'6gg  
1.4 Atomic Bonding 15 s~>d:'k7|  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 9F4Dm*_<  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 whpfJNz  
1.5.2 Impurities in Solids 18 @W va tD V  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 )f}YW/'  
1.6.1 Growth from a Melt 20 T.@aep\"  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 3{""58  
1.7 Device Fabrication Techniques: :z4)5= 6M  
Oxidation 23 L[^9E'L$  
1.8 Summary 25 U'8bdsF_  
Problems 27 7B b9 t  
CHAPTER 2 1 y-y6q  
Theory of Solids 31 K<pV  
2.0 Preview 31 `&KwtvkdI  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 t *1u[~=  
2.1.1 Energy Quanta 32 N$h{Yvbn  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 $UgA0]q n  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 o=21|z  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 ZT,B(#m  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 cc#gEm)3C  
2.2.3 Periodic Table 40 w9NHk~LHKF  
2.3 Energy-Band Theory 41 *"D3E7AO  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 KHgBo}6  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 2Tfz=7h$  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 "i U}]e0  
2.3.4 Effective Mass 49 #>%X_o-o23  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 '@p['#\uI  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 VG,u7A*Z#  
2,4 Density of States Function 55 BlXB7q,  
2.5 Statistical Mechanics 57 hJDi7P  
2.5.1 Statistical Laws 57 W.dt:_  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function !'mq ?C=  
and the Fermi Energy 58 `|,`QqDQ  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 --HF8_8;'  
2.6 Summary 64 ROk5]b.  
Problems 65 3T"j)R_=l  
CHAPTER 3 !X"K=zt"  
The Semiconductor in Equilibrium 70 @r#v[I  
3.0 Preview 70 Z2TL#@  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 R$[#+X!  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 x/;buW-  
3.1.2 The no and Po Equations 74 cJ1#ge%4  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 :|Ad:fEs  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 um4yF*3b9  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 D+]a.& {p  
3.2.1 Qualitative Description 83 zY|t0H  
3.2.2 Ionization Energy 86 mH Ic f{RG  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 SILQ  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 b!sRk@LGZ  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 2_zp:v  
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关键词: 半导体器件
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