《
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出
物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量
习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。
i'4B3 《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。
s@9vY\5[9 与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微
电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。
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eb.O#Y t\NqR Preface xvii
DBPRGQ CHAPTER 1
m6TNBX The Crystal Structure of Solids
G"\`r* O 1.0 Preview 1
%C$%!C 1.1 Semiconductor Materials 2
_jJPbKz 1.2 Types of Solids 3
M*z~gOZ 1.3 Space Lattices 4
.Si,dc\ 1.3.1 Primitive and Unit Cell 4
%70~M_ 1.3.2 Basic Crystal Structures 6
H$@`,{M629 1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices
N03HQp)g 1.3.4 The Diamond Structure 13
7l'6gg 1.4 Atomic Bonding 15
s~>d:'k7| 1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17
9F4Dm*_< 1.5.1 Imperfections in Solids 17
whpfJNz 1.5.2 Impurities in Solids 18
@W vatD
V 1.6 Growth of Semiconductor Materials 19
)f}YW/' 1.6.1 Growth from a Melt 20
T.@aep\" 1.6.2 Epitaxial Growth 22
3{""58 1.7 Device Fabrication Techniques:
:z4)5=
6M Oxidation 23
L[^9E'L$ 1.8 Summary 25
U'8bdsF_ Problems 27
7Bb9t CHAPTER 2
1y-y6q Theory of Solids 31
K <pV 2.0 Preview 31
`&KwtvkdI 2.1 Principles of Quantum Mechanics 32
t *1u[~= 2.1.1 Energy Quanta 32
N$h{Yvbn 2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
$UgA0]qn 2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36
o=21|z 2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36
ZT,B(#m 2.2.2 The One-Electron Atom 37
cc#gEm)3C 2.2.3 Periodic Table 40
w9NHk~LHKF 2.3 Energy-Band Theory 41
*"D3E7AO 2.3.1 Formation of Energy Bands 41
KHgBo}6 2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45
2Tfz=7h$ 2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47
"iU}]e0 2.3.4 Effective Mass 49
#>%X_o-o23 2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50
'@p['#\uI 2.3.6 The k-Space Diagram 52
VG,u7A*Z# 2,4 Density of States Function 55
BlXB7q, 2.5 Statistical Mechanics 57
hJDi7P 2.5.1 Statistical Laws 57
W.dt:_ 2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function
!'mq ?C= and the Fermi Energy 58
`|,`QqDQ 2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62
--HF8_8;' 2.6 Summary 64
ROk5]b. Problems 65
3T"j)R_=l CHAPTER 3
!X"K=zt" The Semiconductor in Equilibrium 70
@r#v[I 3.0 Preview 70
Z2TL #@ 3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71
R$[#+X! 3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72
x/;bu W- 3.1.2 The no and Po Equations 74
cJ1#ge%4 3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79
:|Ad:fEs 3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82
um4yF*3b9 3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83
D+]a.& {p 3.2.1 Qualitative Description 83
zY|t0H 3.2.2 Ionization Energy 86
mH Ic f{RG 3.2.3 Group III-V Semiconductors 88
SILQ 3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89
b!sRk@LGZ 3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89
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