半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda

半导体制造技术,作者:(美国)Michael Quirk,(美国)Julian Serda,译者:韩郑生,合著者:海潮和徐秋霞等. c 'rn8Jo}  
《半导体制造技术》详细追述了半导体发展的历史并吸收了当今最新技术资料，学术界和工业界对《半导体制造技术》的评价都很高。全书共分20章，根据应用于半导体制造的主要技术分类来安排章节，包括与半导体制造相关的基础技术信息；总体流程图的工艺模型概况，用流程图将硅片制造的主要领域连接起来；具体讲解每一个主要工艺；集成电路装配和封装的后部工艺概况。此外，各章为读者提供了关于质量测量和故障排除的问题，这些都是会在硅片制造中遇到的实际问题。 rhDiIO_  
半导体制造技术》旨在介绍半导体集成电路产业中的新工具和技术，以便提高读者在工作过程中理解与使用相同或类似工具的能力。全书在细节上覆盖了用于亚0.25um（O.18um及以下）工艺的新技术，通过描述早期的工具和工艺来阐明现代技术的发展。书中包括铜互连、化学机械平坦化（CMP）、低K介质工艺、浅槽隔离（STl）、深紫外化学放大光刻胶、步进与扫描系统、具有双大马士革的铜金属化等。书中还解释了产业变化漫长历史中的所有工艺和设备，以及工艺需求和设备性能的技术关系，并给出了设备潜在性能与最佳制造所需工艺参数之间的折中。 _l
+8[\v  
《半导体制造技术》主要特点： z+K1[1SM  
在工艺章节（第10章至第18章）中讨论了关于设备和工艺的质量测量及故障排除等问题，在硅片制造中会遇到这些问题 !A:d9 k  
全书通过大量生动的图表和具体翔实的数据来解释技术性内容，为读者提供了视觉支持，以掌握抽象的概念和原理 _/J`v`}G  
每章最后有小结、关键术语、相关设备供应商网站和复习题 Ltk-1zhI  
附录中给出了关于安全性和技术信息等颇有价值的内容 
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第1章 半导体产业介绍 PDS?>Jg(  
目标 '?$R YU,  
1.1 引言 [ut[W9  
1.2 产业的发展 %us#p|Ya  
1.3 电路集成 0_N.s5~N  
1.4 集成电路制造 -' =?Hs.  
1.5 半导体趋势 q8}he~a  
1.6 电子时代 +`ug?`_  
1.7 在半导体制造业中的职业 tHEZuoi  
1.8 小结 IN,=v+A  
r%9=75HA  
第2章 半导体材料特性 Fd#Zu.Np  
目标 <rFh93  
2.1 引言 ovZ!}  
2.2 原子结构 ,hWuAu6.L  
2.3 周期表 8H,k0~D  
2.4 材料分类 ?1**@E0  
2.5 硅 :m<#\!?  
2.6 可选择的半导体材料 ,Fn-SrB:  
2.7 小结 T@Z-;
^aV  
abp\Ih^b  
第3章 器件技术 }tQ^ch;Q  
目标 pjma<^|F  
3.1 引言 Fw8b^ew  
3.2 电路类型 BDCyeC,Q3  
3.3 无源元件结构 iqFC~].)  
3.4 有源元件结构 .vie#,la  
3.5 CMOS器件的闩锁效应 L^=G(op*  
3.6 集成电路产品 YRCOh:W*  
3.7 小结 *;F:6p4_  
fRHzY?n9;  
第4章 硅和硅片制备 6),!sO?  
目标 eCiI=HcW;  
4.1 引言 TkVqv v  
4.2 半导体级硅 %LuA:{EVD  
4.3 晶体结构 . I."q  
4.4 晶向 HM#|&_gV  
4.5 单晶硅生长  ijDXh y  
4.6 硅中的晶体缺陷 q0b*#j  
4.7 硅征制备 1B@7#ozWA?  
4.8 质量测量 W\<HUd  
4.9 外延层 i1K$~  
4.10 小结 !3{;oU%*  
<`?%Cz AO  
第5章 半导体制造中的化学品 d5`D[,]d  
目标 ay#f\P!1  
5.1 引言 VB`% u=  
5.2 物质形态 csA-<}S5]b  
5.3 材料的属性 /&9R*xNST#  
5.4 工艺用化学品 l&5Tft  
5.5 小结 @<&u;8y-Cn  
'2UQN7@d  
第6章 硅片制造中的沾污控制 rs,'vV-2\  
目标 ,N nh$F  
6.1 引言 50`|#zF^#  
6.2 沾污的类型 QP<.~^ao  
6.3 沾污的源与控制 XM#nb$gl  
6.4 硅片湿法清洗 8c>xgFWp9  
6.5 小结 Vt,P.CfdC  
M%g2UP  
第7章 测量学和缺陷检查 ;%k C?Vzi  
目标 D]5j?X'  
7.1 引言 YI`BA`BQ8  
7.2 集成电路测量学 xo2jfz  
7.3 质量测量 5tk7H2K^<  
7.4 分析设备 ]]e>Jym  
7.5 小结 } 7ND]y48  
F%.UpV,  
第8章 工艺腔内的气体控制 `xZ,*G7(*  
目标 IfT: 9 &  
8.1 引言 %xKZ"#Z#K  
8.2 真空 X4+H8],)  
8.3 真空泵 *
a
q"c9  
8.4 工艺腔内的气流 0g~Cdp  
8.5 残气分析器 drvrj~o:  
8.6 等离子体 p=^6V"'  
8.7 工艺腔的结构
p/G9P +?  
8.8 小结 #N%j9  
G(ZEP.h`u  
第9章 集成电路制造工艺概况 \}X[0ct2!  
目标 T%;NW|mH&  
9.1 引言 0{XT#H  
9.2 CMOS工艺流程 a8gOb6qF/H  
9.3 CMOS制作步骤 A8o)^T(vJ  
9.4 小结 eNO[ikm  
uvw1 _j?  
第10章 氧化 4eF{Y^  
目标 {;6a_L@q;|  
10.1 引言 3_.%NgES|  
10.2 氧化膜 vF&0I2T~l  
10.3 热氧化生长 ( uG;Q  
10.4 高温炉设备 9M;Y$Z  
10.5 卧式与立式炉 AX{7].)F  
10.6 氧化工艺 a7=lZZ?  
10.7 质量测量 /8<c~  
10.8 氧化检查及故障排除 |68u4zK  
10.9 小结 0{u%J%;  
[=tIgMmz  
第11章 淀积 *xITMi  
目标 b|;h$
otC  
11.1 引言 mIPDF1=)  
11.2 膜淀积 Mz86bb^J  
11.3 化学气相淀积 k+J63+obd  
11.4 CVD淀积系统 IYHNN  
11.5 介质及其性能 UoUQ6Ij  
11.6 旋涂绝缘介 E|jU8qz>P  
11.7 外延 ruyQ}b:zS  
11.8 CVD质量测量 bUds E1f  
11.9 CVD检查及故障排除 ,el[A`b  
11.1 0小结 FvO,* r9  
$o9@ ?2  
第12章 金属化 t;-F]  
目标 =BJe}AV  
12.1 引言 YW&`PJ9o  
12.2 金属类型 zL3zvOhu}  
12.3 金属淀积系统 @ &Od1X  
12.4 金属化方案 dV16'  
12.5 金属化质量测量 I6gduvkXi4  
12.6 金属化检查及故障排除 k@h0 }%  
12.7 小结 4i5b.bU$  
HgBu:x?&  
第13章 光刻：气相成底膜到软烘 4sW~7:vU  
目标 bI_MF/r''  
13.1 引言 s:(z;cj/  
13.2 光刻工艺 ;>;it5 l=  
13.3 光刻工艺的8个基本步骤 ^dsj1#3z  
13.4 气相成底膜处理 EJQT\c  
13.5 旋转涂胶 ZU;jz[}  
13.6 软烘 LGVy4D  
13.7 光刻胶质量测量 %Pj}  
13.8 光刻胶检查及故障排除 Z",2db  
13.9 小结 H S
Gz-  
rkR~%U6V  
第14章 光刻：对准和曝光 k g Rys  
目标 jzZ
]+'t  
14.1 引言 N8x.D-=gG  
14.2 光学光刻 %tZrP$DQ  
14.3 光刻设备 12_7UWZ"  
14.4 混合和匹配 ]*Q,~uV^|  
14.5 对准和曝光质量测量 l4(FM}0X5}  
14.6 对准和曝光检查及故障排除 & 9 c^9<F  
14.7 小结 {^^LeUd#V  
8.7q -<Q  
第15章 光刻：光刻胶显影和先进的光刻技术 jUgx ;=  
目标 e$JC
ak=  
15.1 引言 C5$?Y8B3  
15.2 曝光后烘焙 6Z2|j~  
15.3 显影 5zkj;?s  
15.4 坚膜 xU}J6 Tv  
15.5 显影检查 (/!@ -]1  
15.6 先进的光刻技术 qDz[=6BF  
15.7 显影质量测量 DlAwB1Ak  
15.8 显影检查及故障排除 7^mQfQv  
15.9 小结 " vc4QH$  
1oQbV`P  
第16章 刻蚀 Zk>m!F>,p  
目标 @$ lX%p>  
16.1 引言 O=lRI)6w@e  
16.2 刻蚀参数 XW@C_@*J  
16.3 干法刻蚀 /=A@O !l  
16.4 等离子体刻蚀反应器 2Vu?Y
 
16.5 干法刻蚀的应用 B., BP  
16.6 湿法腐蚀 Ro<x#Uo  
16.7 刻蚀技术的发展历程 ?4Fev_5m
  
16.8 去除光刻胶 VB T66kV  
16.9 刻蚀检查 ;OD-?bC  
16.1 0刻蚀质量测量 QnS#"hc\a  
16.1 1干法刻蚀检查及故障排除 _@gg,2 u-  
16.1 2小结  6E:H  
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-q"  
第17章 离子注入 L~by`q N_  
目标 sG[qlzR=8  
17.1 引言 SW+;%+`  
17.2 扩散 p9mGiK4!  
17.3 离子注入 &0:Gj3`  
17.4 离子注入机 B,%KvL&xMX  
17.5 离子注入在工艺集成中的发展趋势 O, :|  
17.6 离子注入质量测量 ?i\V^3S n$  
17.7 离子注入检查及故障排除 TBba3%  
17.8 小结 _bg Zl  
:`"-Jf  
第18章 化学机械平坦化 !dcvG9JZ  
目标 ,# .12Q!  
18.1 引言 rg]b$tL~  
18.2 传统的平坦化技术  E<0Mluk  
18.3 化学机械平坦化 Cw kQhj?  
18.4 CMP应用 _5O~]}  
18.5 CMP质量测量 hNgT/y8  
18.6 CMP检查及故障排除 SMRCG"3qwA  
18.7 小结 {#`wW`U^  
S1'?"zAmd  
第19章 硅片测试 fb^R3wd$ff  
目标 l[m*csDk"  
19.1 引言 $AMcU5^b7  
19.2 硅片测试 c'Z)uquvP  
19.3 测试质量测量 9.( [,J  
19.4 测试检查及故障排除 MBKF8b'k  
19.5 小结 $#W^JWN1  

*ezft&{)`  
第20章 装配与封装 T?=]&9Y'  
目标 -49I3&  
20.1 引言 Z("N *`VP;  
20.2 传统装配 GkU$Z @  
20.3 传统封装 Fl{~#]  
20.4 先进的装配与封装 |Zp') JiS  
20.5 封装与装配质量测量 ?:l:fS0:{  
20.6 集成电路封装检查及故障排除 \VW":+  
20.7 小结 x;~@T9.  
附录A 化学品及安全性 -4F}I3I  
附录B 净化间的沾污控制 b'R]DS{8  
附录C 单位 NE)w$>0M  
附录D 作为氧化层厚度函数的颜色 h<PS<  
附录E 光刻胶化学的概要 XH/!A`ZK  
附录F 刻蚀化学 :6EX-Xyj  
术语表 ]6|?H6'/`v  
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