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半导体光谱和
光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和
光电子效应、
激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视
物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。
JvDsr0]\# 《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。
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<-F"&LI{< _a&|,ajy> 第一章 半导体的光学常数
"YL-!P 1.1 半导体的光学常数及其相互关系
+RkYW*|$S 1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式
qo@dFKy 1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换
a%dx\&K 1.4 半导体光学常数的实验测量
h,x] 参考文献
,<1* (5> ibe 第二章 半导体带间光跃迁的基本理论
Iqsk\2W]a3 2.1 半导体的带间跃迁过程
K +~v<F 2.2 带间跃迁的量子力学理论
R*X2Z{n 2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程
/>C~a]} 2.4 间接跃迁的量子力学处理
guv@t&;t0 2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程
))`Zv=y" 参考文献
Nj0)/)<r+ MxR U6+a 第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程
#E9['Jn Z 3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响
^mi4q[PM 3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应
T Rw6$CR 3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究
?_aR-[XRg 3.4 半导体的调制光谱
mB{{o}'<u 3.5 激子吸收
vgj^ - 参考文献
9$&e~^&B oui!fTy 第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程
c~xo@[NaS 4.1 带内越和自由载流子吸收
k`TJ<Dv; 4.2 自由载流子吸收的量子理论
s{e(- 7' 4.3 杂质吸收光谱
l,.?-|Poa 4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱
`l2q G# 4.5 半导体的晶格振动吸收光谱
hli10p$ 4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收
%v[Kk-d 参考答献
\w^QHX1+ 6>:~?gs 第五章 半导体的发光光谱和辐射复合
U*Qq5=dqD 5.1 引言
R`2A-c 5.2 导带-价带辐射复合跃迁
AxlFU~E4 5.3 激子符合发光
M"^Vf{X^ 5.4 束缚激子辐射复合发光光谱
N-`;\ 5.5 非本征辐射复合发光过程
Eap/7U1Q 5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体
激光器 .KucjRI 5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用
s &hA 参考答献
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