半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

发布:cyqdesign 2010-01-30 21:53 阅读:4222
半导体光谱光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 IExo#\0'6  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 w7$*J:{  
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第一章 半导体的光学常数  #:_qo  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系  $J>GCY  
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 !jL|HwlA  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 ,di'279|  
1.4 半导体光学常数的实验测量 $-[V)]h  
参考文献 NOLw119K  
&[f.;1+C  
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 ?D]4*qsIlu  
2.1 半导体的带间跃迁过程 "ys#%,Z  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 o_p#sdt"  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程  jhjb)r.  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 uV!Ax *'  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 :^tw!U%y1  
参考文献 w>>)3:Ytd  
i[/g&fx  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 97lM*7h;  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 9bR lSb@  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 >j5) MF{"  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 l5F>v!NA  
3.4 半导体的调制光谱 uo;aC$US  
3.5 激子吸收 Kv^ez%I  
参考文献 q{5wx8_U  
GoP,_sd\O  
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 +dw$IMwb  
4.1 带内越和自由载流子吸收 RO+B/)~0<  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 Kq e,p{=  
4.3 杂质吸收光谱 _\hZX|:]  
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 D7H,49#1Q  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 6:O3>'n  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 wYQTG*&h  
参考答献 s+&Ts|c#  
W L$nchS9  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 P,r9  <  
5.1 引言 _-eF &D  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 8d|omqe~P  
5.3 激子符合发光 w DswK "T  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 d0ThhO  
5.5 非本征辐射复合发光过程 ++n"` ]o,  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 W iqlc  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 1t haQ"  
参考答献 20750G  
,S 5tkTa  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 H=Rqr  
6.1 引言 Vw.c05x  
6.2 光电导现象的分类 JRt^YX  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 Pz#D9.D0  
6.4 光扩散效应 86igP  
6.5 光电磁效应 T\ZWKx*#  
6.6 光伏效应 y`O !,kW  
6.7 光激发载流子的寿命 NfvvwG;M  
6.8 非本征光电导 &$F4/2|b%  
6.9 热电子光电导 2 g5Ft  
参考答献 Jlw%t!Kx  
-6a4H?L  
第七章 半导体磁光效应  $0>>Z  
7.1 回旋共振 "S#4  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 ]vj4E"2;  
7.3 磁光效应的量子力学解释 Z0*Lm+d9z  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 :U)>um34e  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 vFz%#zk>  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 c&r8q]u  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 4|*b{Ni  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用  +]Ca_`  
参考文献 $ZX^JWq  
kx,9n)  
第八章 半导体的拉曼散射 i(R&Q;{E^  
8.1 概述 PhBdm'  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 x/D"a|  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 \pI)tnu6'U  
8.4 半导体的二级拉曼散射 > w:+nG/r  
8.5 半导体的共振拉曼散射 v,t;!u,40  
参考文献 *lHI\5  
y,&.<Yc  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 qjcy{@ j  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 mUW|4zl i}  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 3Mw\}q  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱 VK\ Bjru9  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射 5sJi- ^  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 ngF5ywIG  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱 z d 9Gi5&  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 Q` mw2$zv  
参考文献 !u~h.DrvZ  
n';"c;Ye)  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 Z#7T!/28  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 &atT7m  
10.2 半导体量子线光谱 ZqKUz5M4  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 'Gwa[ |6i  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 )zw}+z3st  
参考文献 XrR@cDNx{  
英汉对照主题索引 Eq$Q%'5*ua  
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