半导体光谱和光学性质(精装,作者:沈学础)

发布:cyqdesign 2010-01-30 21:53 阅读:4602
《半导体光谱和光学性质(精)》系统论述了半导体及其超晶格、量子阱、量子线以及廊子点结构等的光谱和光学性质。从宏观学常数和量子理论出发,分别论述了它们的反射和吸收光谱、发光光谱与辐射复合、光电导和光电子效应、激光效应、拉曼散射以及量子阱、量子线、量子点的光谱和光学性质。《半导体光谱和光学性质(精)》总结了近30年来国内外这一领域的主要研究成果,并将这些研究成果和基本理论融会贯通起来,从光谱和光学性质研究半导体及其微结构中的微观状态和过程。《半导体光谱和光学性质(精)》重视物理图象,并力求用通俗语言简述基本理论和基本研究方法。 aUdbN&G  
《半导体光谱和光学性质(精)》可作为光电子物理、凝聚态光谱、半导体光电子物理和技术、信息科学等领域的研究生教材及相关研究的科技人员的参考读物。 h6*&1r  
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第一章 半导体的光学常数 *4i)aj  
1.1 半导体的光学常数及其相互关系 L[]*vj   
1.2 一定厚度片状样品透射比和反射比的表达式 I9! eL4e  
1.3 色散关系,克拉默斯-克勒尼希变换 0XrB+nt  
1.4 半导体光学常数的实验测量 Q}KNtNCpx  
参考文献 m=^`u:=  
61Z#;2]  
第二章 半导体带间光跃迁的基本理论 F{#m~4O  
2.1 半导体的带间跃迁过程 6.o8vC/PZ  
2.2 带间跃迁的量子力学理论 thoAEG80  
2.3 半导体带间直接跃迁光吸收过程 [-Zp[  
2.4 间接跃迁的量子力学处理 >&@hm4  
2.5 半导体带间直接跃迁辐射复合光过程 +GgJFBl  
参考文献 )'<B\P/  
} {! #` 's  
第三章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带间跃迁过程 y Iab3/#`  
3.1 外界条件对半导体光吸收边的影响 xW$F-n  
3.2 掺杂对半导体光吸收边的影响,伯斯坦-莫斯效应 C~do*rnM^  
3.3 吸收边以上基本吸收区域电子跃迁过程的光谱研究 Sv*@3x  
3.4 半导体的调制光谱 /`M> 3q[  
3.5 激子吸收 T;cyU9  
参考文献 ]!u12^A{  
dXkgWLI~  
第四章 半导体的吸收光谱和反射光谱-带内跃迁过程及与杂质、缺陷、晶格振动有关的跃迁过程 -#=y   
4.1 带内越和自由载流子吸收 L53qQej<  
4.2 自由载流子吸收的量子理论 x=+R0ny  
4.3 杂质吸收光谱 "2>I?  
4.4 极性半导体光学声子晶格振动反射谱 {U$qxC]M  
4.5 半导体的晶格振动吸收光谱 \htL\m^$9  
4.6 杂质诱发定域模和准定域模振动吸收 :NB,Dz+i  
参考答献 81\$X  
e ~X<+3<  
第五章 半导体的发光光谱和辐射复合 64Ot`=A"  
5.1 引言 8q)wT0A~  
5.2 导带-价带辐射复合跃迁 z*Y4t?+  
5.3 激子符合发光 .g CC$  
5.4 束缚激子辐射复合发光光谱 nI1DLVt  
5.5 非本征辐射复合发光过程 CYr2~0<g  
5.6 高激发强度下半导体的辐射复合发光和半导体激光器 y-UutI&  
5.7 发光光谱在半导体电子能态研究和材料检测中的应用 "3!!G=s P  
参考答献 G2FP|mf,  
/ 38b:,  
第六章 半导体的光电导和其他相关效应 Km~\^(a '  
6.1 引言 Sm(QgZO[4  
6.2 光电导现象的分类 Rp~#zt9:  
6.3 带间激发情况下的光电导输运方程 /?POIn+0o  
6.4 光扩散效应 traJub  
6.5 光电磁效应 e=11EmN9  
6.6 光伏效应 u3!aKXnv<  
6.7 光激发载流子的寿命 7g-#v'.N  
6.8 非本征光电导 d^"dL" Q6m  
6.9 热电子光电导 xy@1E;  
参考答献 yOn +Y  
b\/:-][  
第七章 半导体磁光效应 )4d)G5{  
7.1 回旋共振 % -~W|Y  
7.2 法拉第旋转和沃伊特效应 < V?CM(1C  
7.3 磁光效应的量子力学解释 KRS_6G],{  
7.4 磁场中半导体的能级、K.P微扰法及三带模型 >U~B"'!xV  
7.5 窄禁带半导体的回旋共振和其他磁光效应 #A8d@]Ps  
7.6 半导体空间电荷层准二准电子体系的回旋共振及相关效应 f%LzWXA  
7.7 半导体中局域能级的塞曼分裂和有关效应 u-W6 hZ$  
7.8 磁场下的浅质能级,杂质电子-电子互作用的电子-声子互作用 ,`7;S,f  
参考文献 Onr#p4UT  
S~"1q 0  
第八章 半导体的拉曼散射 7m;2M]BRi  
8.1 概述 xl%!7?G|$>  
8.2 晶体拉曼散射的基本理论 )7mX]@  
8.3 半导体的一级拉曼散射谱 -.A8kJ  
8.4 半导体的二级拉曼散射 =*q|568  
8.5 半导体的共振拉曼散射 ;H#'9p,2  
参考文献 =e7,d$i  
ICNS+KsI  
第九章 半导体量子阱和超晶格的光学性质 |Rr^K5hmD  
9.1 半导体超晶格、量子阱的量子态和带间光跃迁过程 zcrLd={  
9.2 量子阱中的激子及其光跃迁过程 >3H/~ Y  
9.3 量子阱中导带子带和价带子带间的带间跃迁及激光谱 %0]vW;Q5  
9.4 超晶格结构中的声子行为和拉曼散射 (wmMHo|  
9.5 量子阱中的浅杂质光谱 WA-` *m$v  
9.6 半导体单量子结构的带间跃迁光谱 $9znRTFEj  
9.7 量子阱同一带内子带间跃迁吸收光谱和发光光谱 L[zg2y  
参考文献 2[&3$-]  
3F,$} r#  
第十章 代表团量子线和量子点的光谱 sQ65QJtt0A  
10.1 一维半导体量子线和电子态和光跃迁过程 |H67ny&K^&  
10.2 半导体量子线光谱 I At;?4  
10.3 半导体量子点中的量子态和光跃迁过程 sIuk  
10.4 半导体量子点的带间跃迁光谱 Q]_3 #_'  
参考文献 $tyF(RybG  
英汉对照主题索引 ^/ K\a ,  
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