[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. 8F;f&&L"y  
yt@;yd:OEk  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... !gKz=-C  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ [l7 G9T}/[  
R=ipK63  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ P>wDr`*  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 9!kH:Az[p  
    2l YA% n  
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 H({Y  
    O7x'q<PFU  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 ET1>&l:.  
    nB+UxU@  
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 M< 1rQW'  
    M;$LB@h  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 uHNh|ew21  
    y. A]un1  
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 V|njgcn d  
    ="<S1}
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7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 r@.3.Q  
 | 
WN9&  
8.模擬光源假設條件： yE6EoC^  
B/n/bi8T  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 {Iu9%uR>@  
]JUb;B;Z  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 jr=>L:  
f]*_]J/  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? 8!!iwmH{  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大