[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. \lVxlc0{?  
T&Y?IE}  
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... ;Zb+WGyj  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ $okGqu8z.O  
/`YHPeXu  
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ , 4Vr,?"EO  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 Yl[GO}M  
    \Lxsg!wtJ  
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 ] 8sVXZ  
    H]5%"(h  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 v:c_q]z#B  
    }v[*V 
 
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 v%(2l|M  
    Hf( d x\5  
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 #F\}PCBe'  
    FI1R7A
 
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 q| p6UL9  
    #<20vdc  
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。  GU99!.$  
 k23*F0Dv  
8.模擬光源假設條件： x35(
i  
&D,gKT~  
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 H"8fnN=xB  
|7Z7_YWs  
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 V QE *B  
:*V1jp+  
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? Xk[;MZ[  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大