[求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

Dear各位大大................. _{T`
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... GY0<\-  
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ UlQ}   
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ ox)/*c<  
                        m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 '?Hy"5gUA  
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2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 ?ILNp`k  
    F5)Ta?3|"<  
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 e3',? 5j  
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4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 +]UPY5:F  
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5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 /n(0nU[  
    OhIUm4=|$  
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 vChkSY([  
    J]$%1Y  
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 `\#Qr|GC  
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8.模擬光源假設條件： m|e!1_:H  
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(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 {:fyz#>>^  
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(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 DlTV1X-^1  
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9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? _es>G'S  

光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大