Dear各位大大................. aIo%~w
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我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下.......
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以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........
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1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ _sAcvKH
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 a"m-&mN
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2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 JH._/I
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3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 &mkL4 jXG
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4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 5}TTf2&Xo#
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5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 0-: dzf
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6.監視面：10mm*10mm之正方面。 [&sabM`Ul
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7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 M^{=&
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8.模擬光源假設條件： YBL.R;^v
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(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 v >cPr(
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(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 K0|:+s@ u
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9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? '. ]<lh!
