Dear各位大大................. =q w &dwIQ
SWT:frki`
我在做led模擬，目前遇到些瓶頸，請各位大大為我解答一下....... f7Zf} 1|
L.kD,'G}>
以下是我的模擬資料，其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ e|VJ9|;3
Ee8--
1.LED Chip：由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ 90p3V\LO
m；p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 82|q7*M*.
`0?^[; [u[
2.基板：Sapphire substrate (藍寶石基板)，Index=1.7。 B3Mx,uXT\
0rcjorWI
3.材料：GaN (氮化鎵)，Index=2.4。 0vDg8i\
@m?{80;uQ
4.光源：p-n junction上下面各1 流明，共2流明。 R3?:\d{
+lKrj\Xj
5.光束：p-n junction上下面各1000 rays，共2000 rays。 i *B:El1
l]$40 j
6.監視面：10mm*10mm之正方面。 }C_|gd
Wk}D]o0^@
7.距離：LED Chip與監視面之間距離為15mm。 o_O+u%y
)
o xIzF
8.模擬光源假設條件： 9
Va40X1
?I\v0H*
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部無任何設定，下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 -?5$ PH
l~['[Ub0)
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收，無反射現象，上部與下部無任何設定。 ?ql2wWsQO
n26>>N
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7，設定為不發光，其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm，但我做研究的結果，其厚度改變，但結果卻是不變，也就是說光強度並未改變，我有設important sampling，target center z為15.003，如果薄膜厚度改變，其光強度不變的話，與光學原理不符，請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? kxh 5}eB
