Dear各位大大................. k..AP<hH
*PM#ngLX}r
我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... l|v`B6(
WUrE1%u
以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ Lcb5^e?'Q
FJCs$0
1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ @q]4]U)
m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 zncKd{Q\tP
_0}u0fk
2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 i]9C"Kw$L
q#=HBSyM
3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 /*P) C'_M
5:|9pe)
4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 2ca#@??R
7vTzY%v
5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 [n4nnmM
GHY+q{'#V_
6.監視面:10mm*10mm之正方面。 fJOwE
g|
Uo?4o*}
7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 z^vfha
ox*1F+Xri
8.模擬光源假設條件: w p\-LO~
<p/zm}?')
(1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 .d I".L
{8>g?4Q#
(2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 ,.Lwtp,n
P?p]sLrP
9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? ncqAof(/