切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 5623阅读
    • 1回复

    [求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线阿秋
     
    发帖
    25
    光币
    104
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2008-04-03
    Dear各位大大................. F z 6&.f  
    />EH]-|  
    我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... |~Op|gs  
    e/{1u$  
    以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ n:#gKR-J  
    ;Wws;.~  
    1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ 1l(_SD;90t  
                            m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 WN+D}z]  
        :4(.S<fH)-  
    2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 Gd]!D~[1  
        "{&?t}rj+  
    3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 Z|h&Zd1z  
        \en}8r9cy  
    4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 :*`5|'G}  
        M2.Pf s  
    5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 =DT7]fU  
        ju AUeGT  
    6.監視面:10mm*10mm之正方面。 <A_LZi  
        mqx#N%  
    7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 wj'5D0   
    z'(][SB  
    8.模擬光源假設條件: z TM1 e  
    O$2'$44HX  
    (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 9MmAoLm  
    X;hV+| Bo  
    (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 F_?aoP&5  
    :JEzfI1  
    9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? e{~3&  
     
    分享到
    离线lifeng513
    发帖
    30
    光币
    9
    光券
    0
    只看该作者 1楼 发表于: 2008-04-04
    光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大