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    [求助]使用TracePro模擬薄膜厚度改變後之透射率問題 [复制链接]

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    离线阿秋
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2008-04-03
    Dear各位大大................. zFjG20w%3g  
    gc:qqJi)X  
    我在做led模擬,目前遇到些瓶頸,請各位大大為我解答一下....... e!wS"[,  
    Ojkbv  
    以下是我的模擬資料,其模擬目的為研究薄膜厚度與透射率改變影響光強度(lux)之關係........ f:k3j}&  
    ;SzOa7  
    1.LED Chip:由substrate(300µm*300µm*100µm)及p-n junction組成(n-type為300µm *300µm*4µ 1NO<K`  
                            m;p-type為300µm*300µm*0.3µm )。 GNXQD}L?b?  
        "h/{YjUS  
    2.基板:Sapphire substrate (藍寶石基板),Index=1.7。 =nEl m*E  
        (lhbH]I  
    3.材料:GaN (氮化鎵),Index=2.4。 &0O1tM*v  
        R/ 7G  
    4.光源:p-n junction上下面各1 流明,共2流明。 Z8$@}|jN  
        x.r~e)x=  
    5.光束:p-n junction上下面各1000 rays,共2000 rays。 tr2@{xb  
        hu-fwBK  
    6.監視面:10mm*10mm之正方面。 $4`RJ{ZJw]  
        `j088<?j  
    7.距離:LED Chip與監視面之間距離為15mm。 WKZ9i2hcdf  
    -OZRSjmY  
    8.模擬光源假設條件: B`a5%asJn  
    t#kR@t+6$\  
    (1)藍寶石基板其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部無任何設定,下部設定為全反射(假設當作一維光子晶體模擬)。 GLA,,i'i9  
    qFmvc  
    (2)LED Chip其它四面(前、後、左、右)設定為全部吸收,無反射現象,上部與下部無任何設定。 w,]cFT  
    ]%(hZZ  
    9.我在p-type上再加設一層薄膜index為1.7,設定為不發光,其厚度由100nm、110nm、120nm一直到200nm,但我做研究的結果,其厚度改變,但結果卻是不變,也就是說光強度並未改變,我有設important sampling,target center z為15.003,如果薄膜厚度改變,其光強度不變的話,與光學原理不符,請問我是不是在哪裡有設定錯誤呢? mFOuE5  
     
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    离线lifeng513
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    只看该作者 1楼 发表于: 2008-04-04
    光形应该变的 总的光通量不会变 因为你的观测面相对chip足够大