300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm -ZihEyG?V
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ={maCYlE.
780~1200 nm T ave <1% e1&c_"TOih
&2?kD{
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) YVW!u6W'[6
0HxF#SlKM
H: Ta2O5 L:SiO2 f "Iv
4TR:bQZs
該如何設計