300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm
Omd;
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm oXo>pl
780~1200 nm T ave <1% Jv~R/qaaD
.jRI
$vm
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) }n)0}U5;0
74e=zW?
H: Ta2O5 L:SiO2 XQ1]F{?/H
Ir;JYY!0?
該如何設計