300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm zqAK|jbL
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm {pU Ou8`Z
780~1200 nm T ave <1% 9s)YPlDz
d87pQ3e:&
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) <wTkPErUG
9;;1 "^4/
H: Ta2O5 L:SiO2 FK!9to>
n15c1=gs
該如何設計