300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm Pt";f
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm :g+R}TR[i
780~1200 nm T ave <1% YUM%3
8'Z9Z*^h#x
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /bfsC&
3
ldI;DoE#U1
H: Ta2O5 L:SiO2 _9\ayR>d
JS!rZi
該如何設計