300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm x 96}#0'
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 2ed@HJu
780~1200 nm T ave <1% S45'j(S=
:#qUMiu$
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ?%93b ,7
JW-|<CJ
H: Ta2O5 L:SiO2 gEE9/\>%-
se!g4XEWD
該如何設計