300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm s[h;9
I1w
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm
8J$1N*J|
780~1200 nm T ave <1% /.!&d^
Y%eW6Y#
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 8N9,HNBT$
@d|Sv1d%
H: Ta2O5 L:SiO2 SSE,G!@
XP% _|Q2X
該如何設計