300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm .f!:@fX>=
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm =CCddLO
780~1200 nm T ave <1% wOrj-Smx
|I|,6*)xg
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) +8GxX$
r]wy-GT
H: Ta2O5 L:SiO2 o_[I#PT
:r{W)(mm
該如何設計