300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm D}j`T
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 5,g +OY=\
780~1200 nm T ave <1% F"O\uo:3
Xc}XRKiy{
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Zj'%c2U_
"k{so',7z
H: Ta2O5 L:SiO2 6)P.wW
%Ta"H3ZW
該如何設計