300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm OQ&l/|{O0?
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ZwM(H[iqL
780~1200 nm T ave <1% ~m3Q^ue
n86LU Sj5
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 4}`z^P<C
;?4EVZ#o
H: Ta2O5 L:SiO2 "Doz~R\\
-%,=%FBi~4
該如何設計