300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm aYc^ 9*7
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Q 87'zf
780~1200 nm T ave <1% iV!V!0- @
'($$-P\/
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) x~](d8*=
>Sb3]$$
H: Ta2O5 L:SiO2 U.Y7]#P:
$weC '-n@
該如何設計