300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ~y1k2n
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm .Kssc lSD1
780~1200 nm T ave <1% M+WN \.2pX
-qpe;=g&f
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) \8]("l}ms8
F<(?N!C?@
H: Ta2O5 L:SiO2 uOb}R
y>&
s;
該如何設計