300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm H}bJ"(9$vC
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ~O&:C{9=
780~1200 nm T ave <1% '(L7;+E
kq,ucU%>p
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) = {wcfhUl+
)f<z%:I+Z
H: Ta2O5 L:SiO2 }@+:\
exUu7&*:
該如何設計