300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm %y q}4[S+o
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm .(-3L9T}
780~1200 nm T ave <1% ?)&TewP
;1nd~0o
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /<@tbZJ*8
oS4ag
H: Ta2O5 L:SiO2 tdm /U
e+mD$(h
該如何設計