300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm -8-
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm %E}f7GT4
780~1200 nm T ave <1% )'?3%$EM
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用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) !o+#T==p
Z
`sM(?m
H: Ta2O5 L:SiO2 { " woBOaA
EdlU}LU
該如何設計