300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm v,0D GR~
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm oB9m\o7$
780~1200 nm T ave <1% (XJQ$n
EMG*8HRI>r
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) MeX1y]<It
2e"}5b5
H: Ta2O5 L:SiO2 RHbwq]
:X
f3wP=
該如何設計