300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm C\{A|'l!x
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm #x 6/"Y2
780~1200 nm T ave <1% :@(1~Hm
<ppdy,j:
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) [l=@b4Og
iKq_s5|sW
H: Ta2O5 L:SiO2 WOPIF~1v
i59}6u_f
該如何設計