300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm #1OOU
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm y*qVc E
780~1200 nm T ave <1% D]zwl@sRX:
<0Xf9a8>
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ;lE%M
,J+}rPe"sf
H: Ta2O5 L:SiO2 Zy`m!]G]80
<3LbNFP
該如何設計