300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm R~9\mi5^UH
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Y8*k18~
780~1200 nm T ave <1% z&a%_
]Q*
M\%LB}4M
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) %O9kq
>0#WkmRY
H: Ta2O5 L:SiO2 41\r7
BS
\W"N{N
該如何設計