300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm R04%;p:k#
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm y_s^dQe
780~1200 nm T ave <1% "7]YvZYu0
<>|&%gmz
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) %VV\biO]
p"xti+2,
H: Ta2O5 L:SiO2 `.MY"g9
. J/x@
該如何設計