300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm D&d:>.~u
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm %((3'le
780~1200 nm T ave <1% @Lv_\^2/}
~\IDg/9Cj
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) c,%>7U(w_
M<m64{m1
H: Ta2O5 L:SiO2 d7zE8)D U7
C$;s+ALy[
該如何設計