300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm {g>k-.
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ;$y(Tvd;
780~1200 nm T ave <1% 0UmK S\P
I9`R LSn
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) DVNGV
.f V-puE
H: Ta2O5 L:SiO2 jy] hP?QG
@JWoF^U
該如何設計