300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm LyXABQ]
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm =WP}RZ{S
780~1200 nm T ave <1% `V0]t_*D
%}&9[#
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) }@A~a`9g
X4*/h$48 w
H: Ta2O5 L:SiO2 BQ&h&57K
55|$Imnf
該如何設計