300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm oT&m4I
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Rj6|Y"gq9
780~1200 nm T ave <1% o8z)nOTO;
8S
U%
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) "&QH6B1U6H
&q>zR6jne
H: Ta2O5 L:SiO2 ue0s&WF|
SW9fE:v
該如何設計