300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm !y>MchNv
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Tmo+I4qoL
780~1200 nm T ave <1% !%x=o&
,DT=(
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) y ~
A]
]qJ6#sAw75
H: Ta2O5 L:SiO2 i*JbFukG
/!*gH1s
該如何設計