300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm =Jp:dM*
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm %_ew{ff|
780~1200 nm T ave <1% 9KK^1<46c
|s/)lA:9
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) /#9P0@Y
6 ;'s9s"
H: Ta2O5 L:SiO2 D;sG9Hky
uh\G6s!4/
該如何設計