300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm fizW\f8ai
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm Jh.~]\u
780~1200 nm T ave <1% ~R;/u")@e
u.yR oZ8/!
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) E7O3$B8
S]@;`_?m{
H: Ta2O5 L:SiO2 k[8F: T-
k'8q/]
該如何設計