300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm mGx!{v~i&
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ZK:dhwer
780~1200 nm T ave <1% EmrUzaGD
?LJ$:u
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) *+(t2!yFmE
UNLmnj;-Q
H: Ta2O5 L:SiO2 TdGda'C
8VG6~>ux'>
該如何設計