300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm $y]||tX
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm &s}@7htE
780~1200 nm T ave <1% Lw+1|
yPxG`w'
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) F>oxnhp6
4\eX=~C>:
H: Ta2O5 L:SiO2 -GkK[KCH
'|A5a+[
該如何設計