300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm b;ZAz
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm 3o^M%
780~1200 nm T ave <1% !qv;F?2
<g
nmrk-#._@9
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) (LPD
*&MkkI#
H: Ta2O5 L:SiO2 RjHpC7b*%
F'*4:WD7
該如何設計