300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm }oV3EIH
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm <(Tiazg
780~1200 nm T ave <1% =}"R5
mUiOD$rO
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) V3 qT<}y|
DYkC'+TEX
H: Ta2O5 L:SiO2 ([1=> Jw"
QW,cn7
該如何設計