300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm [nq@m c~<
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm ");a3hD
780~1200 nm T ave <1% a%0EiU
VIf.q)_k
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) pA4xbr 2
X:{!n({r=
H: Ta2O5 L:SiO2 %?/X=}sE
_+MJ%'>S
該如何設計