300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm K%,2=.
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm +>8'mf
780~1200 nm T ave <1% =J18eH!]
1XrO~W\=
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Df}A^G >X
#Vnkvvv
H: Ta2O5 L:SiO2 ?fQ'^agq
TEP,Dq
該如何設計