300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm ^;F{)bmu+)
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm R|!B,b(
780~1200 nm T ave <1% Kud'pZ{P
u}6v?!
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 5+X_4lEJK(
NBl
__q
H: Ta2O5 L:SiO2 t^EhE
}g f}eH
該如何設計