300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm =3w;<1 ?'
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm z|D*ymz*EY
780~1200 nm T ave <1% [K\b"^=<
Y.]$T8
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 7g(Z@
>20dK
H: Ta2O5 L:SiO2 [i ~qVn2vT
Pap6JR{7
該如何設計