300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm 05:?5M4};
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm
nZ)E @
780~1200 nm T ave <1% ;;6$d{
]
n\]ao
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) pHXs+Ysw+
>#)%/Ti}DU
H: Ta2O5 L:SiO2 <4n"LJ9
l(W?]{C[%
該如何設計