300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm qJZ:\u8oO
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm "b6ew2\
780~1200 nm T ave <1% ';J><z{>
rv26vnJy"
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 6<`tb)_2~
^;DbIo\6H
H: Ta2O5 L:SiO2 (\A~SKEX
Eq82?+9
該如何設計