300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm s_.q/D@vu
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm y{?
6U>_
780~1200 nm T ave <1% *=MC+4E
AXH4jQw
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) +'=^/!
I=D`:u\H
H: Ta2O5 L:SiO2 )KaQ\WJ:
'ujtw:Z:
該如何設計