300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm hu bfK~
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm LXBbz;vYl
780~1200 nm T ave <1% hB|H9+
:iP>z}h
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) v_y!Oh?EG
^L>MZA
?
H: Ta2O5 L:SiO2 ..vSL
W,QnU d'N
該如何設計