300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm +Gqh
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm G,9osTt/
780~1200 nm T ave <1% 5|f[evQj<S
1,=U^W.G
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) aF2eGh
sJg-FVe2
H: Ta2O5 L:SiO2 u`dWU}m)
3C 84b/A
該如何設計