300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm sZDxTP+
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm F97HFt6{
780~1200 nm T ave <1% b(HbwOt~3
mS9ITe
M
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) #dj,=^1_14
_'}Mg7,V
H: Ta2O5 L:SiO2 }2]m]D@%7
)*`cJ_t
該如何設計