300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm e(F42;$$
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm `~UZU@/x
780~1200 nm T ave <1% f&,{XZ
O#EV5FeF.
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) F(#rQ_z]
x_!0.SU
H: Ta2O5 L:SiO2 g$:Xuw1
5m:i6,4
該如何設計