300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm r 7w1~z
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm o*OYZ/_L
780~1200 nm T ave <1% ^2-2Jz@
s=0z%~H
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ?+-uF}
hl`4_`3y
H: Ta2O5 L:SiO2
;0G+>&C8
qcau(#I9.
該如何設計