300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm D&ve15wL
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm }%-t+Tf,
780~1200 nm T ave <1% ;@nFVy>U
Dl&GJ`&:p
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) {u\%hpD_
QI!F6pGF
H: Ta2O5 L:SiO2 ;c-3g]
R|P_GN6>
該如何設計