300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm &B$%|~Y5
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm GwmYhG<{
780~1200 nm T ave <1% G6X5`eLQ
ayLINpL
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) f;bfR&v
z/pxZB~"
H: Ta2O5 L:SiO2 ^fbzlu?G4-
Xzqx8Kd
該如何設計