300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm i.dAL)V
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm pYvF}8
780~1200 nm T ave <1% jxOVH+?l%
Pc
?G^
Xol
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 3$G25=eN
^EBM;&;7
H: Ta2O5 L:SiO2 {kO:HhUg
M,U=zNPnk
該如何設計