300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm R3d>|`) +
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm LH"MJWOJ
780~1200 nm T ave <1% 7S7gU\qOj
;E(gl$c:
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) Zn1+} Z@I
Z8(1QU,~2
H: Ta2O5 L:SiO2 `^9 Zbwq
zwN;CD1
該如何設計