300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm Y9}8M27vQG
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm YT2'!R
1
780~1200 nm T ave <1% m[2'd
w! q&
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) ]" x\=A
"2HY5AE
H: Ta2O5 L:SiO2 q"aPJ0ni'
I>w^2(y
該如何設計