300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm m_hN*v
Py
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm uC.K<jD%
780~1200 nm T ave <1% )iq-yjO6
pqUCqo!m\
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) R=.4
?MXejEC
H: Ta2O5 L:SiO2 nv)2!mAh\
t'9*R7=
該如何設計