300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm eqUn8<<s
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm [ ;3EzZL
780~1200 nm T ave <1% [r~rIb%Zj
v^lm8/}NO
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 9q0,K" x)
;hfG${l;
H: Ta2O5 L:SiO2 fXXm@tMx>
JG+g88
該如何設計