300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm LAU\.d
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm lD@`xq.M;
780~1200 nm T ave <1% Vae=Yg=fw
.dTXC'
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) N:&EFfg3
nn{PhyK
H: Ta2O5 L:SiO2 R}HNi(%"
w ;xbQZ|+
該如何設計