300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm W1ql[DqE{
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm o]<J&<WM
780~1200 nm T ave <1% \m#{{SGm
jD?*sd
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) S3^(L
Bo0f`EC I
H: Ta2O5 L:SiO2 6*:U1{Gl)
:kvQ3E0
該如何設計