300~380 T abs <1% , T=50%@405nm +- 10nm w|$;$a7)
425~680 Tave >90% , T=50%@720nm +-10nm W 6jB!W
780~1200 nm T ave <1% 9`vse>,-hg
Q>z0?%B
用 (0.5H L 0.5H)^s (0.5L H 0.5L)^s (0.5L H 0.5L)^s 3個膜堆(2短1長 ) 5Pv>`E2^
-4HI9Czts
H: Ta2O5 L:SiO2 Ob(j_{m
Q2k\8i
該如何設計