在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： _1P`]+K\D$
• 生成材料 {(%~i3 7
• 插入波导和输入平面 q 4) Ey
• 编辑波导和输入平面的参数 B.}cB' |
• 运行仿真 M"B@M5KT
• 选择输出数据文件 n%*tMr9 s
• 运行仿真 e^=NL>V6p
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 6i| ~7 md,
/,X7.t_-
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 :b5XK v^
.wD>Gs{sH[
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： %uua_&#)
• 定义MMI星型耦合器的材料 hD*(AJ
• 定义布局设置 ).Q[!lly
• 创建MMI星形耦合器 {d,?bs)
• 运行模拟 w]}f6VlEl
• 查看最大值 `4skwvS=
• 绘制输出波导 FJ}gUs{m
• 为输出波导分配路径 \ZsP]};*
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 !O 8.#+
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 xdqK.Z%
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 2Y $
1. 定义MMI星型耦合器的材料 c`ftd>]
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 js
-2"I
步骤 操作 94y9W#
1) 创建一个介电材料： #hy+ L
名称：guide { l@WCR
相对折射率(Re)：3.3 B 2Z 0
2) 创建第二个介电材料 m d_g}N(C
名称： cladding bLco:-G1E1
相对折射率(Re)：3.27 EWO / u.z
3) 点击保存来存储材料 _-RyHgX
4) 创建以下通道： =-5[Hn%
名称：channel L0xsazX:x
二维剖面定义材料: guide i&*<lff
5 点击保存来存储材料。 i(Vm! Y82
>4M<W4
2. 定义布局设置 Fo(y7$33*
要定义布局设置，请执行以下步骤。 DL 1
+c`d
步骤 操作 f 7
wm w2
1) 键入以下设置。 HD H
a. Waveguide属性： ;t!9 ]1
宽度：2.8 ki#bPgT
配置文件：channel :] -$dEu&
b. Wafer尺寸： F<gMUDB
长度：1420 n$xszuNJ`
宽度：60 >uHb ^
c. 2D晶圆属性： ?M~
k$
材质：cladding =9<$eLE0
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 ,Y-S(
ntZ~m
3. 创建一个MMI星型耦合器 x9D/s`!
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 =+\$e1Mb*
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 x;(g
步骤 操作 3daC;;XO
1) 绘制和编辑第一个波导 9DPb|+O-
a. 起始偏移量： TL'0T,Jo
水平：0 ^e%k~B^
垂直：0 Fpf><Rn
b. 终止偏移： MyFCJJ/
水平：100 1]Lh'.1^
垂直：0 =Epq%,4nG
2) 绘制和编辑第二个波导 D J_DonO]
a. 起始偏移量： A%n?}
水平：100 NNp}|a9
垂直：0 Tyd
h9I
b. 终止偏移： JqS r[q
水平：1420 )qd= {
垂直：0 $L\@da?
c. 宽：48 'kEG. Oq7
3) 单击OK，应用这些设置。 R{`gR"*
