在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： NNTrH\SU #
• 生成材料 m7 XN6zX
• 插入波导和输入平面 cIkA ~F
• 编辑波导和输入平面的参数 2t
• 运行仿真 V \FlKC
• 选择输出数据文件 i= M[$
• 运行仿真 K@!hrye
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 5GPAt
E%stFyr9`/
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 <S;YNHLC
h"}F3E
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： E )X_
• 定义MMI星型耦合器的材料 2(e;pM2Dq
• 定义布局设置 e(`r"RrQ
• 创建MMI星形耦合器 ~{kA;uw
• 运行模拟 YhAO
• 查看最大值 !VrBoU 4<d
• 绘制输出波导 R_Bf JD .
• 为输出波导分配路径 I>-}ys`[
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 9+5F(pd(
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 q?L*Luu+
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 F0r 5$Pl*
1. 定义MMI星型耦合器的材料 HBk5 p>&
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 ~Sd,Tu%:
步骤 操作 f)Z'#[A*t7
1) 创建一个介电材料： %VXI iu[
名称：guide F[ .IF5_
相对折射率(Re)：3.3 #SD2b,f
2) 创建第二个介电材料 =umF C[. W
名称： cladding E !I4I'
相对折射率(Re)：3.27 I4c %>R
3) 点击保存来存储材料 Tm~jYgJ
4) 创建以下通道： (KfdN'vW
名称：channel f\~w!-
二维剖面定义材料: guide :b#5 cMUe
5 点击保存来存储材料。 aIWpgUd`
: R8+jO
2. 定义布局设置 % %2~%FVb
要定义布局设置，请执行以下步骤。 *S Z]xrs
步骤 操作 U?(,Z$:N
1) 键入以下设置。 R/^;,.
a. Waveguide属性： sn@)L ~$V
宽度：2.8 icK U)
配置文件：channel ]7h;MR
b. Wafer尺寸： lw4#C`bx
长度：1420 rmI@ #'
宽度：60 I+Fr #1
c. 2D晶圆属性： uuCVI2|
材质：cladding $,T3vX]<
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 V<REcII.
z]O>`50Q
3. 创建一个MMI星型耦合器 QkO4Td<
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 _&xkj8O
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 [|HQfTp$
步骤 操作 <R#:K7> O
1) 绘制和编辑第一个波导 &0-Pl.M
a. 起始偏移量： e9B$"_ &2
水平：0 :!,.c $M
垂直：0 <5sfII
b. 终止偏移： x1:1 Jj:
水平：100 -ktYS(8&
垂直：0 Zo,]Dx
2) 绘制和编辑第二个波导 z &[[4[
a. 起始偏移量： )#Y:Bj7H@2
水平：100 W8!8/ IZbN
垂直：0 8@I.\u)0
b. 终止偏移： 6r,zOs- I]
水平：1420 Szlww
垂直：0 )v.\4Q4
c. 宽：48 / B
3) 单击OK，应用这些设置。 It^_?o iK
