在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： FpZ5@
• 生成材料 zS '{F>w
• 插入波导和输入平面 1w#vy1m J
• 编辑波导和输入平面的参数 -qG7, t
• 运行仿真 WnhH]WY
• 选择输出数据文件 ?f*>=;7=
• 运行仿真 J9P\D !
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 5")BCA
m5 l&
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 l"%WXi"X
M $zt;7P|
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： jF-0 fK;)*
• 定义MMI星型耦合器的材料 z8
K#G%,:
• 定义布局设置 40$9./fe)
• 创建MMI星形耦合器 wrVR[v>E<
• 运行模拟 !L)yI#i4C
• 查看最大值 jV' tcFr4
• 绘制输出波导 g_?bWm4br
• 为输出波导分配路径 1-PFM-
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 JC9OL .Ob
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 Kr%`L/%
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 J7k=5Fqej;
1. 定义MMI星型耦合器的材料 lr$,=P`
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 eNrwkV^
步骤 操作 Z|j\_VKhl
1) 创建一个介电材料： 9g7O k9dF
名称：guide 5D>cbzP@
相对折射率(Re)：3.3 *2Q x6 9`
2) 创建第二个介电材料 5K00z?kD2V
名称： cladding i~tps
相对折射率(Re)：3.27 ;V^ I>-fnm
3) 点击保存来存储材料 a]4|XJ_
4) 创建以下通道： ~TjTd
名称：channel EC?U#!kv
二维剖面定义材料: guide xt8@l
[Z
5 点击保存来存储材料。 ]% UAN_T
kv`5"pa7M
2. 定义布局设置
sVP2$?
要定义布局设置，请执行以下步骤。 SpZmwa #\
步骤 操作 94.M 8
1) 键入以下设置。 Zk0? =f?j
a. Waveguide属性： <"`P;,S
宽度：2.8 b2YOnV
配置文件：channel s_7 6)7
b. Wafer尺寸： + N!/>w]n
长度：1420 { =_xze)
宽度：60 #e6x _o|
c. 2D晶圆属性： osTin*T.
材质：cladding #DcK{|ty
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 Cx Vrnb[`q
X($@E!|
3. 创建一个MMI星型耦合器 s=n_(}{ q
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 =[o/D0-Kn
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 yj9 Ad*.
步骤 操作 a0Q\]S
1) 绘制和编辑第一个波导 m\ /V 0V\
a. 起始偏移量： IO?6F@(
水平：0 34~[dY
垂直：0 6d YUMqQ
b. 终止偏移： n/IDq$/P
水平：100 r 'u[>uY
垂直：0 m ,TYF
2) 绘制和编辑第二个波导 a4N8zDS
a. 起始偏移量： ]yA_N>k2K
水平：100 &qZ:"k
垂直：0 )> a^%V9
b. 终止偏移： 2LH.I f
水平：1420 K|-RAjE
垂直：0 ^os|yRzV*M
c. 宽：48 q.PXO3T
3) 单击OK，应用这些设置。 i- r y5x
