在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： h]>7Dl]
• 生成材料 _u q[D`=
• 插入波导和输入平面 ( b#4Z
• 编辑波导和输入平面的参数 5MHc gzyp
• 运行仿真 pQCocy
• 选择输出数据文件 qq '% 9
• 运行仿真 Ux-i iH#s
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 )F'r-I%Hi
;2} w rX
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 " 7g\X$
z]HaE|j}S
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： pB:/oHV
• 定义MMI星型耦合器的材料 F S!D
• 定义布局设置 oYAHyCkVq
• 创建MMI星形耦合器 |
{T q/
• 运行模拟 t|?eNKVV9'
• 查看最大值 ngOGo =
• 绘制输出波导 P^^WViVX
• 为输出波导分配路径 ((AIrE>Rr
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 4vJg"*?
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 7-VP)|L#G
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 N1yx|g:
1. 定义MMI星型耦合器的材料 b_ w(F_0
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 f-`C1|\w
步骤 操作 a)QSq<2*
1) 创建一个介电材料： uN@El1ouY
名称：guide
%\] x}IC
相对折射率(Re)：3.3 Vb,'VN%
2) 创建第二个介电材料 !:3X{)4
名称： cladding #pnB+h&tE
相对折射率(Re)：3.27 ^t Y
_ q
3) 点击保存来存储材料 +} x\|O
4) 创建以下通道： &P&VJLA e
名称：channel W|(U} PrC
二维剖面定义材料: guide !g4u<7
5 点击保存来存储材料。 ^4Tf6Fw#
F$@ (0c
2. 定义布局设置 ;T :]?5W!
要定义布局设置，请执行以下步骤。 M
\UB
r4
步骤 操作 0y`r.)G
1) 键入以下设置。 R1~wzy
a. Waveguide属性： |ITh2m
宽度：2.8 s"~3.J
配置文件：channel >';UF;\5]Q
b. Wafer尺寸： ^@f.~4P*I
长度：1420 n;LjKE
宽度：60 >e!Y 63`
c. 2D晶圆属性： j8W<iy
材质：cladding \Vx_$E
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 Hm'aD2k
v}TFM
3. 创建一个MMI星型耦合器 :6J&%n
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 8'M:uI
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 R$bDj >8
步骤 操作 e2kW,JV/<$
1) 绘制和编辑第一个波导 r3 dGXiu
a. 起始偏移量： U+,R P$r@
水平：0 (qzBy \\p
垂直：0 L&0aS:
b. 终止偏移： NUFW
SL>
水平：100 '"T9y=9]s
垂直：0 *p0Kw>
2) 绘制和编辑第二个波导 -z">ov-)
a. 起始偏移量： ;tC$O~X
水平：100 0ax ;Q[z2
垂直：0 JnLF61
b. 终止偏移： bnZ H
水平：1420 \. a 7F4h
垂直：0 RZ|M;c
c. 宽：48 y@r g_Paq
3) 单击OK，应用这些设置。 >qZl
s'
