在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： A* qR<cp[
• 生成材料 $ R ze[3
• 插入波导和输入平面 A\ mSS
• 编辑波导和输入平面的参数 % m lH
• 运行仿真 SgQmR #5
• 选择输出数据文件 q ) 5s'(
• 运行仿真 Ld:-S,2
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 -;Mh|!yg
X..M!3W
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 FFwu$S6e
: [?7,/w
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： 4t*VI<=<[
• 定义MMI星型耦合器的材料 Kk. \P|k2
• 定义布局设置 ]\ZJaU80I~
• 创建MMI星形耦合器 M YJDfI
• 运行模拟 qzY:>>d'
• 查看最大值 p& XuNk
• 绘制输出波导 p*$=Eo mY
• 为输出波导分配路径 @B+8' b$9
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 T;kh+ i
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 :`yW^b
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 Xhyc2DKa_
1. 定义MMI星型耦合器的材料 h _c11#
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 !Y^B{bh
步骤 操作 Ki :98a$
1) 创建一个介电材料： iF##3H$c
名称：guide Ka{QjW!%d<
相对折射率(Re)：3.3 R=NK3iGT f
2) 创建第二个介电材料 o9D#d \G
名称： cladding l
Hu8ADva
相对折射率(Re)：3.27 v~^*L iP+
3) 点击保存来存储材料 SX? hu|g_r
4) 创建以下通道： (ia+N/$u
名称：channel -oju-gf K
二维剖面定义材料: guide )1 0aDTlr
5 点击保存来存储材料。 yaC_r- %U&
I*+*Wf
2. 定义布局设置 }z-)!8vF
要定义布局设置，请执行以下步骤。 g{?{N
步骤 操作 )Zyw^KN^
1) 键入以下设置。 B`% %,SLJ
a. Waveguide属性： BYI13jMH+Y
宽度：2.8 rt! lc-g%/
配置文件：channel [H RP&jr
b. Wafer尺寸： OYfP!,+bn
长度：1420 "y .(E7 6
宽度：60 +P*,i$MV
c. 2D晶圆属性： oM}P Wf-
材质：cladding # Nv0d|0\
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 `Z#]lS?
Zg ;Ht
3. 创建一个MMI星型耦合器 Y,%G5X@S<
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 F> q% ~
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 `t #I e *
步骤 操作 JR /^Go$^
1) 绘制和编辑第一个波导 ^ @q $c
a. 起始偏移量： {<^P YN>`
水平：0 -QydUr/(o
垂直：0 >\ ym{@+*
b. 终止偏移： rI1;>/Ir
水平：100 <Y#EiC.
垂直：0
7w|4BRL
2) 绘制和编辑第二个波导 1'J|yq
a. 起始偏移量： [~r Bnzb
水平：100 L5>.ku=T
垂直：0 *j|BSd
P
b. 终止偏移： 6EX8,4c\
水平：1420 _i&awm/U
垂直：0 NB/ wJ3 F
c. 宽：48 }qdGS<{
3) 单击OK，应用这些设置。 R$ 40cW3`
