在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： 3 /6/G}s
• 生成材料 j
-O2aL
• 插入波导和输入平面 )9nE lb2
• 编辑波导和输入平面的参数 !Jfs? Hy
• 运行仿真 \l#>dq "Y
• 选择输出数据文件 E8}+k o
• 运行仿真 ?(zoTxD
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 <eN R8(P
c9Es%@]
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 in%;Eqk
'Pltn{iq[
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： ;&;W
T
• 定义MMI星型耦合器的材料 wdE ?SD s
• 定义布局设置 t2{~bzq1X
• 创建MMI星形耦合器 B/uniR^x
• 运行模拟 mry N}
• 查看最大值 q!, zq
• 绘制输出波导 [Gr*,nVvB
• 为输出波导分配路径 `cB_.&
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 ?:rx1}:F
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 +F FG#6e
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 u62 )QJE
1. 定义MMI星型耦合器的材料 @Cq? :o<
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 bMoAD.}
步骤 操作 ``Q 2P%
1) 创建一个介电材料： yl]FP@N(
名称：guide *e"a0
相对折射率(Re)：3.3 ffDc 6*.Q
2) 创建第二个介电材料 ':
F}3At
名称： cladding D$k8^Vs
相对折射率(Re)：3.27 3eIr{xs
3) 点击保存来存储材料 TJ@Cj y%
4) 创建以下通道： f>Td)s1
M
名称：channel zri}
h/{
二维剖面定义材料: guide oUDVy_k
5 点击保存来存储材料。 %Q|eiXD
**_&i!dtL
2. 定义布局设置 B33$ u3d
要定义布局设置，请执行以下步骤。 0&Gl@4oZ"
步骤 操作 9 |r* pK[
1) 键入以下设置。 i^Ut015q%
a. Waveguide属性： 5rxA<G s
宽度：2.8 %uESrc-;
配置文件：channel SqPtWEq@P
b. Wafer尺寸： A]`:VC=IU
长度：1420 ;I6s-moq_
宽度：60 ` |e!Kq?#Q
c. 2D晶圆属性： KlxN~/gyik
材质：cladding [ .yJV`
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 %B2XznZ:
X!, @ j\L
3. 创建一个MMI星型耦合器 JyBp-ii
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 |(IO= V4P
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 l)8&Ip
步骤 操作 8Cf|*C+_'
1) 绘制和编辑第一个波导 "l~Ci7& !a
a. 起始偏移量： Va<H U:<
水平：0 U\ <-mXv
垂直：0 +",S 2Qmo
b. 终止偏移： U5 ZX78>a
水平：100 @M;(K<%h
垂直：0 ~4 #B'Gy[
2) 绘制和编辑第二个波导 '"YYj$>
'
a. 起始偏移量： n~0z_;5
水平：100 1 TJ0D_,
垂直：0 L _O$>c
b. 终止偏移： cSD{$B:
水平：1420 %|Qw9sbd
垂直：0 D#rrW?-z
c. 宽：48 %HuyK
3) 单击OK，应用这些设置。 5mB]N%rfW%
