在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： b%_[\((
• 生成材料 b!l/O2
G
• 插入波导和输入平面 e b*w$|y6"
• 编辑波导和输入平面的参数 {8im{]8_
• 运行仿真 kf -/rC)>
• 选择输出数据文件 7nl
• 运行仿真 >XU93 )CX
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 p+.{ "%
i-W! `1LH'
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 uc?`,;8{`
) mG
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： 'kE^oX_
• 定义MMI星型耦合器的材料 PvkHlb^ x%
• 定义布局设置 )K >2
• 创建MMI星形耦合器 no
UXRQ
• 运行模拟
gU%R9
• 查看最大值 =>u9k:('9
• 绘制输出波导 ?S0gazZm
• 为输出波导分配路径 .4cOMi G
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 > Du>vlT Y
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 Q"D%xY
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 ^hIKDc!.m
1. 定义MMI星型耦合器的材料 @;P\`[(*
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 ATq-&1 hs
步骤 操作 >G<.^~o
1) 创建一个介电材料： s e^(1R k
名称：guide M\w%c5
相对折射率(Re)：3.3 YA'_Ba(v)
2) 创建第二个介电材料 %>)&QZig/
名称： cladding w @Gk#
相对折射率(Re)：3.27 Ag@R 60#
3) 点击保存来存储材料 n q3B(
4) 创建以下通道： o<f| jGY0
名称：channel DNp4U9
二维剖面定义材料: guide 2Hj;o
5 点击保存来存储材料。 o ImW
U.0bbr
2. 定义布局设置 z ;KUIWg
要定义布局设置，请执行以下步骤。 p }{V%!`_
步骤 操作 B9Z=`c.T
1) 键入以下设置。 7iM;X2=7}
a. Waveguide属性： Z+J; nl
宽度：2.8 U<Z\jT[
配置文件：channel Da WzQe=
b. Wafer尺寸： |= U(8t
长度：1420 8~s-@3J
宽度：60 cQ<* (KU
c. 2D晶圆属性： GP._C=] ?c
材质：cladding k w] m7 T
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 ; rJ
2`]_c=
3. 创建一个MMI星型耦合器 i[M]d`<36
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 9e xHR&>{
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 DHO +JtO
步骤 操作 DJ#z0)3<p
1) 绘制和编辑第一个波导 4 fxD$%9
a. 起始偏移量： va_TC!{ ;
水平：0 {cF >, T
垂直：0 c(y~,hN&p
b. 终止偏移： 6opu bI<
水平：100 +iL,8eW
垂直：0 `'^&*
7,
2) 绘制和编辑第二个波导 raPUx _$PH
a. 起始偏移量： T2$V5R yX
水平：100 <fLk\
=
垂直：0 \jcEEIEi
b. 终止偏移： mp x/~`c
水平：1420 ;PrL )!
垂直：0 +v}R-gNR
c. 宽：48 k-M-=VvA
3) 单击OK，应用这些设置。 8(Y=MW;g
