在完成教程1、2和3后,你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序: O$Wi=5
• 生成材料 ;kSRv=S
• 插入波导和输入平面 j7(sYo@x7
• 编辑波导和输入平面的参数 8Ld`$_E
• 运行仿真 jZjWz1+
• 选择输出数据文件 `pMI@"m
• 运行仿真 ;^XF;zpg
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 75@!j[QL<
26SXuFJ@
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上,对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息,可参阅之前课程中提供的操作。 SM57bN
#[ei/p
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2:创建一个简单多模干涉星型(下文简称为MMI)耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下: 0c2O'&$au
• 定义MMI星型耦合器的材料 &cZQ,o
• 定义布局设置 C%2BDj
• 创建MMI星形耦合器 kJQH{n+)R
• 运行模拟 r]h>Bb
• 查看最大值 OQlmzg
• 绘制输出波导 7a$K@iWU
• 为输出波导分配路径 D4@).%
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 YmrrZ&]q
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 v|!u]!JM
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 v'Y0|9c
1. 定义MMI星型耦合器的材料 5j8aMnv s
要定义单向弯曲器件的材料,请执行以下步骤。 Dno]N
步骤 操作 nt 9LBea
1) 创建一个介电材料: PK C}!>2
名称:guide mu#IF'|b
相对折射率(Re):3.3 z3n273W>6
2) 创建第二个介电材料 U yb -feG
名称: cladding U0ZT9/4
相对折射率(Re):3.27 ro& /
3) 点击保存来存储材料 .uh>S!X, ]
4) 创建以下通道: GHs,,J;
名称:channel iXoEdt)
二维剖面定义材料: guide Ow#a|@
5 点击保存来存储材料。 ^}w@&Bje
gGaA;YW1
2. 定义布局设置 _i3?;Fds
要定义布局设置,请执行以下步骤。 |wxAdPe
步骤 操作 H{)DI(,Y^P
1) 键入以下设置。 c
-sc*.&
a. Waveguide属性: 3_DwqZ 'O
宽度:2.8 8"'Z0
Ey
配置文件:channel p*NKM}
]I
b. Wafer尺寸: Sg &0a$
长度:1420 Y)O88C
宽度:60 009[`Z
c. 2D晶圆属性: w@![rH6~F
材质:cladding &@v&5EXOw
2) 点击OK,将此设置应用到布局中。 T'ko =k
z|M+
FHl$
3. 创建一个MMI星型耦合器 +6~y1s/B[
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道,因此需要找到在教程2(教程2:创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述,这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 )%+7"7.
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度,请执行以下步骤。 \ u*R6z
步骤 操作 whW%c8
1) 绘制和编辑第一个波导 gAudL)X
a. 起始偏移量: A"3"f8P8a
水平:0 ^ g'P
H{68
垂直:0 YigDrW
b. 终止偏移: QmKEl|/{u
水平:100 e0"80"D
垂直:0 9#>t% IF~
2) 绘制和编辑第二个波导
tLE7s_^
a. 起始偏移量: 9cIKi#Bl
水平:100 ?wi^R:2|j
垂直:0 5y~Srb?2
b. 终止偏移: &cpqn2Z
水平:1420 @$7'{*
垂直:0 Z1~`S!(}
c. 宽:48 cU|tG!Ij?
3) 单击OK,应用这些设置。 oypF0?!m