在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： zc TY"w\b
• 生成材料 $xsmF?Dsx5
• 插入波导和输入平面 f qgm`4>
• 编辑波导和输入平面的参数 oL 69w1
• 运行仿真 eS{ xma
• 选择输出数据文件 S.kFs{;1x
• 运行仿真 av*M #
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 0XNj! ^&
}:5>1FfX=
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 F< #!83*%
4{1 .[##]o
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： v8L&F9
o
• 定义MMI星型耦合器的材料 al3[Ph5G
• 定义布局设置 +^6v%z
• 创建MMI星形耦合器 8(Y=MW;g
• 运行模拟 ,B<Tt|'
• 查看最大值 ZdJer6:Z}
• 绘制输出波导 G?OwhX
• 为输出波导分配路径 `*1059
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 G3G"SJ np
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 ! "Q8KV
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 [Bz'c1
1. 定义MMI星型耦合器的材料 u+RdC;_
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 7v~\c%1V
步骤 操作 =k(~PB^>
1) 创建一个介电材料： 1jhGshhp
名称：guide x _3Zd
相对折射率(Re)：3.3 VK)K#!O8
2) 创建第二个介电材料 |5}~n"R5
名称： cladding y&.[Nt '+
相对折射率(Re)：3.27 o5N];Nj
3) 点击保存来存储材料 Dl#%tYL+3h
4) 创建以下通道： NNQro)Lpe
名称：channel Hkv 4t5F
二维剖面定义材料: guide } 0({c~z\
5 点击保存来存储材料。 ?=]*r >a3
Q.Kr;64G
2. 定义布局设置 mYudUn4Wo
要定义布局设置，请执行以下步骤。 g8{?;
步骤 操作 "DFj4XKXY9
1) 键入以下设置。 4^KoH eM6
a. Waveguide属性： hOX$|0i
宽度：2.8 j nK8
[och
配置文件：channel M- 2:$;D
b. Wafer尺寸： m_TZY_;
长度：1420 !@ _( W
宽度：60 ]x hmM1$
c. 2D晶圆属性： %KeQp W
材质：cladding I54O9Aoy
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 * 6)u5
}[u 9vZL
3. 创建一个MMI星型耦合器 H].
4~ 8
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 Bu'PDy~W,
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 U C^Bn1
步骤 操作 -o+_PL
$\
1) 绘制和编辑第一个波导 sBuVm<H
a. 起始偏移量： c
25wm\\
水平：0 yD`{9'L
-
垂直：0 #N|)hBz9-
b. 终止偏移： 6 qK0G$>
水平：100 U4_ <
垂直：0 !}()mrIlP
2) 绘制和编辑第二个波导 xa #:oKF3
a. 起始偏移量： _c|>m4+X
水平：100 _9Kdcoh
垂直：0 o_gpBaWD
b. 终止偏移：
]D7z&h
水平：1420 $} S5&
垂直：0 }TRr*]
P<%
c. 宽：48 E jB<`yT
3) 单击OK，应用这些设置。 lX`)Avqa
