主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： P{wF"vf • 定义MMI耦合器的材料； @6wFst\t • 定义布局设定； E%r k[wI • 创建一个MMI耦合器； n/ Sw P • 插入输入面； q1Q L@Ax • 运行模拟； )(ImLbM) • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 q(`/Vo4g( _H j!2 ' 1. 定义MMI耦合器的材料 .?R!DYC` 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： \.-}adKg 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ GT0Of~?f a0D%k: k5 图1.初始性能对话框
"uaMk}[ <! 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” FFu9&8Y d@5[B0eH 图2.轮廓设计窗口
nEJY5Bz$ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 sg$rzT-S4
B" !l2 xT 图3.电介质材料创建窗口
gP0LCK > 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： n ~shK<!C − Name : Guide H@%GSE − Refractive Index (Re) : 3.3 (NF~Ck$#q − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ]Q>.HH vU ohtS* 图4.创建Guide材料
XCU7x i $d 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： u*Pib gd< − Name : Cladding 7cc O93Mz − Refractive Index (Re) : 3.27 X!9 B2w − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 45,1-? -! &e#~<Wm82 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ;c4 gv,q@
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： f;W|\z ' − Name ： Guide_Channel 0{,Z{&E − 2D profile definition: Guide X voo= − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 `f *Q$Ulqx u>kN1k Q8 图6.构建通道
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