主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： /(BMG/Tb • 定义MMI耦合器的材料； \,7}mdQSv • 定义布局设定； iIq)~e/ Z • 创建一个MMI耦合器； q Qsku;C?i • 插入输入面； 6N;wqn • 运行模拟； '_/Bp4i • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 cdZ~2vk A0q|J/T 1. 定义MMI耦合器的材料 uec!RKE 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： s+EAB{w$ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ /i- J& *6_ D*F4it. 图1.初始性能对话框
- qy6Un+ 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” B&.FO O w`i l=ZAC 图2.轮廓设计窗口
J~1r{5V4{ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 Ie`13 L2
)Ib<F 7 v 3+G@g#MY 图3.电介质材料创建窗口
Z]j*9#G1s 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： ]jaQ[g$F − Name : Guide 7~G B;1 n − Refractive Index (Re) : 3.3 },>pDeX^P − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 :SGF45>B@ mqAWL:VvQ7 图4.创建Guide材料
`^FGwx@ 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： KOp162X>r − Name : Cladding elG<k%/2 − Refractive Index (Re) : 3.27 O Vko+X` − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 Mc%Nf$XQ xg NJ eQ 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 -sjd&)~S[
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： /~Z?27F6@ − Name ： Guide_Channel '&gF> − 2D profile definition: Guide 4x;/HEb7? − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 vpld*TL* bLQ ^fH4ww 图6.构建通道
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