主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： )o</gt ) • 定义MMI耦合器的材料； "4hpU]4j • 定义布局设定； g A1i n • 创建一个MMI耦合器； A<5`[<x$ • 插入输入面； I 47GQho • 运行模拟； f$|v0Xs • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ,HkhK bQ o=#
[^Zv 1. 定义MMI耦合器的材料
Z:J.FI@ 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： dKQV4dc> 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ mh7sY;SvM W.D 3$ 图1.初始性能对话框
T$8~ 9 qx 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” Z"|P(]A #*$@_ 图2.轮廓设计窗口
WTYFtZD[yH 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 q;zf|'&*7C
%=4ak]As ~)a ;59<$ 图3.电介质材料创建窗口
;Fem<p)V 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： |ch^eb^7" − Name : Guide N[<`6dpE − Refractive Index (Re) : 3.3 7$'mC 9 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ^% %5 5 Vo}G %g 图4.创建Guide材料
ERRT_G? 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： f THun?Vn − Name : Cladding _RL-6jw#o − Refractive Index (Re) : 3.27 a950M7 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 ) Ct*G=
N -?B9>6 h " 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 W _,;ey o
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： ]( =wlq) − Name ： Guide_Channel =8~R $z% − 2D profile definition: Guide hJ[mf1je= − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 rt^45~ ]AA%J@ 图6.构建通道
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