主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： 6&L8 {P • 定义MMI耦合器的材料； ]lA.? • 定义布局设定； cLm{gd4 W • 创建一个MMI耦合器； _Sult;y"u • 插入输入面； 7F8>w 7Y] • 运行模拟； ^A$p) `KR • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 vR'rYDtU@ *.zC 9Y, 1. 定义MMI耦合器的材料 #RP7?yGM, 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： PZhpp " 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ jT :kk #& & 图1.初始性能对话框
? o_ D#gG* 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” tkf^sGgNO ){"-J&@? 图2.轮廓设计窗口
@H|3e@5([ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 sU ;aA0kz
ZvkBF9d Xv?'*2J 图3.电介质材料创建窗口
bj U]] 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： |gM@}!DL − Name : Guide IW- BY =C − Refractive Index (Re) : 3.3 rPF2IS(5 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 hV[= xJF}6yPm@ 图4.创建Guide材料
Oh/2$72 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： c~{)vL0K − Name : Cladding p^9u8T4l1 − Refractive Index (Re) : 3.27 jt4c*0 z − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 c_) lTI4 <#No t 1R 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 )L%[(iI,x
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： B&4NdL/ − Name ： Guide_Channel S$1dX XT − 2D profile definition: Guide 9e'9$-z − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 fv?vfI+m U+'h~P '4 图6.构建通道
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