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    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

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    科学家
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 05-12
    摘要 aA'of>'ib|  
    RSup_4A  
     Xx ou1l!  
    ` pfRY!  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率，大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池，与基于其他材料的电池相比，它们可以变得更薄而不损失吸收效率，因此已经很普遍地使用了。 &o'$uLF~Y  
    e;9x%kNs!  
    建模任务 1Hs'YzvY  
     "&@{f:+  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 =LKf.@]#  
    Hh* KcIRX  
    系统来源：J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 q$'[&&_  
    L$v<t/W  
    探测器 bRK\Tua 6  
     gpogv -  
    功率（吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算） j8;Uny9  
     )&qr2Cm*  
    太阳能电池 Ht|"91ZC5  
     Gyb|{G_  
    F[>Y8e<[  
    *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 &!B4v<#,U  
     uj+{ tc  
    系统构建模块-分层的介质组件 |g1Pr9{wy  
     9s?gI4XN  
    >tm4Rg~y  
    对于涂有涂层的反射镜，我们使用分层介质组件，因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。 Av!xI  
    wxy@XN"/i+  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 EF'8-*  
    分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域（k域）中工作。它包括： vK$wc~  
    每个均质层的特征值求解器。 L9d|7.b  
    一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 jOm7:+H  
    mQ2=t%  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法，因为与传统的传递矩阵不同，它避免了计算步骤中的指数增长函数。 ubM  N  
    WG +]  
    -#,4rN#  
    更多信息： v1=N?8Hz1  
    层矩阵（S矩阵） vb3hDy  
     oj@=Cq':-  
    系统构建模块-已采样的介质 gObafIA  
     yYdh+x  
    #X2wy$GTG  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录，可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。 &ju.5v|  
    iqKs:v@+x  
    系统构建模块-探测   JH*fxG  
    LQV&;O4'  
    BDLJDyf B  
    总结——组件 I8k+Rk*  
     6VLo4bq 5  
    Gh 352  
    Y++n0sK5<  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 U^]@0vR  
     m$7C{Mr'  
       `nY.&YT  
    参考文献：J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured o>|DT(Ib  
    Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. O+]'*~a  
    dFmpx%+p  
    CIGS层厚度变化量：100/150/200nm J[c`Qq:&e  
    吸收材料的厚度是影响电池整体效率的最重要因素之一。 #Y'ewu;qJ  
    G!lF5;Ad`  
    h.kjJF  
     
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